北京工业大学博士启动基金(X0006015201101)
- 作品数：3 被引量：11H指数：2
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- 空气密度测量仪的研制与测试研究被引量：4
- 2013年
- 研制了空气密度测量仪,能够同时测量并直接显示空气的温度、湿度、压强和密度.密封空气的测量结果较好地验证了理想气体状态方程,空气密度测量不确定度为0.1kg/m3,湿度的不确定度对密度测量的影响最大.
- 王旭崔敏周琪崔成宇万欣邓金祥王吉有原安娟刘国庆
- 关键词：不确定度温度压强
- 氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜的制备及微结构研究
- 氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜是一种优异的光电功能材料,在太阳能电池、薄膜晶体管和大面积液晶显示等高技术领域起着十分重要的作用。我们在其他条件一定的情况下改变衬底温度,以制备高质量的氢化非晶硅薄膜,薄膜利用红外吸收光谱和...
- 李廷邓金祥崔敏杨学良秦扬杨萍曲艳丽
- 关键词：氢化非晶硅微结构A-SI:H
- 文献传递
- 直流反应磁控溅射法制备太阳电池用ITO透明导电膜被引量：5
- 2012年
- 采用直流反应磁控溅射法制备了ITO透明导电薄膜,针对氧流量、溅射气压、溅射电流3种工艺参数对ITO薄膜电阻率和可见光区透射率的影响进行了分析和研究。结果表明:从ITO薄膜作为太阳电池用减反射层和电极出发,得到了工艺参数的优化值,分别为氧流量0.2 ml/min(标准状态),溅射气压3 Pa和溅射电流0.2 A,ITO薄膜的电阻率为3.7×10-3Ω.cm,透过率(550 nm)高达93.3%。另外,利用该优化工艺条件下制备的ITO薄膜作为电极和减反射层,制备了结构为ITO/n+-nc-Si∶H/-i nc-Si:H/p-c-Si/Ag的太阳能电池,电池开路电压Voc达到534.7mV,短路电流Isc达到49.24mA(3 cm2),填充因子为0.4228。
- 崔敏邓金祥张维佳段苹
- 关键词：ITO薄膜直流磁控溅射太阳电池工艺参数
- 直流反应磁控溅射法制备太阳电池用ITO透明导电膜
- 锡掺杂氧化铟(ITO,In203:Sn)薄膜是一种n型半导体材料,具有较宽的带隙(3.5-4.3eV),较高的载流子密度(1021cm-3)。另外,ITO薄膜还具有许多其它优异的物理、化学性能,例如高的可见光透过率和电导...
- 崔敏邓金祥张维佳
- 关键词：ITO薄膜直流磁控溅射太阳电池工艺参数
- 文献传递
- 氢化非晶硅薄膜制备及其椭圆偏振光谱测试分析被引量：2
- 2014年
- 射频磁控溅射法制备a-Si:H薄膜,利用椭圆偏振光谱对不同气压下a-Si:H薄膜的厚度、折射率和消光系数进行了测试和研究。薄膜采用双层光学模型,通过Forouhi-Bloomer模型对椭圆偏振光谱参数进行拟合,获得450-850 nm光谱区域的a-Si:H薄膜光学参数值。结果表明,随着工作气压增加,薄膜厚度增厚,沉积速率升高;相同工作气压下,随偏振光波长增大,折射率呈下降趋势;相同波长偏振光下,折射率随工作气压上升而下降,折射率变化范围在3.5-4.1;消光系数随着工作气压增大呈略微增大的趋势。根据吸收系数与消光系数的关系,获得了薄膜的吸收谱,测算出不同工作气压下a-Si:H薄膜的光学带隙为1.63 eV-1.77 eV。
- 崔敏邓金祥李廷陈亮陈仁刚高学飞孔乐王旭
- 关键词：A-SI椭圆偏振光谱光学参数工作气压
- 氢化非晶硅薄膜制备及其椭圆偏振光谱测试分析
- 氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜是一种优异的光电功能材料,具有光吸收率高、电阻温度系数大、可大面积低温成膜、易掺杂、基片种类不限、与硅半导体工艺兼容等突出优点,在太阳能电池、薄膜晶体管、液晶显示和光电探测等领域有着广泛的应...
- 崔敏邓金祥李廷陈亮陈仁刚高学飞王旭
- 关键词：氢化非晶硅薄膜A-SI:H椭圆偏振光谱光学参数
- 文献传递
