您的位置: 专家智库 > >

国家工程实验室开放基金(NEL201202)

作品数:1 被引量:10H指数:1
相关作者:宋磊梁曦东更多>>
相关机构:学研究院清华大学更多>>
发文基金:国家工程实验室开放基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇直流
  • 1篇直流污闪
  • 1篇直流污闪特性
  • 1篇特高压
  • 1篇污闪特性
  • 1篇绝缘
  • 1篇绝缘子
  • 1篇海拔

机构

  • 1篇清华大学
  • 1篇学研究院

作者

  • 1篇梁曦东
  • 1篇宋磊

传媒

  • 1篇高电压技术

年份

  • 1篇2013
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
高海拔特高压并联绝缘子的直流污闪特性被引量:10
2013年
为给已建成的±800kV特高压直流输电线路提供运行维护指导,并为拟建设的直流特高压线路的外绝缘设计提供参考,研究了双串并联绝缘子在高海拔特高压条件下的污闪特性。选用大吨位瓷绝缘子XZP-300和1大1中4小复合绝缘子作为试品,重点研究了在实际海拔2 100m条件下的双串并联绝缘子人工污闪试验电压的概率分布特性,分析了双串并联与单串悬挂绝缘子污闪特性的差异,研究了边缘间距对双串并联绝缘子污闪特性的影响。结果表明,在高海拔条件下,采用升降法获得的双串并联悬挂的瓷和复合绝缘子污闪电压值均满足正态分布;当盐密在0.03~0.2mg/cm2范围内时,双串并联瓷绝缘子的单片绝缘子污闪电压范围为19.6~5.8kV,低于单串的20.5~6.9kV;当盐密在0.05~0.2mg/cm2范围内时,双串并联复合绝缘子的单位绝缘子高度污闪电压范围为105.6~38.7kV/m,低于单串的109.9~43.1kV/m,;当边缘间距>20cm时,边缘间距值的变化对双串并联绝缘子污闪电压的影响不显著。
宋磊张福增梁曦东廖一帆李锐海
关键词:绝缘子污闪特性直流
共1页<1>
聚类工具0