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国家重点基础研究发展计划(2004CB619302)

作品数:39 被引量:169H指数:7
相关作者:徐可为蒋庄德张建民王海容赵玉龙更多>>
相关机构:西安交通大学陕西师范大学西安工程大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 39篇期刊文章
  • 9篇会议论文

领域

  • 17篇一般工业技术
  • 17篇理学
  • 10篇电子电信
  • 4篇自动化与计算...
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇机械工程
  • 2篇轻工技术与工...
  • 1篇化学工程

主题

  • 10篇溅射
  • 10篇磁控
  • 10篇磁控溅射
  • 9篇纳米
  • 7篇ZNO薄膜
  • 5篇金属
  • 5篇感器
  • 5篇传感
  • 5篇传感器
  • 4篇多层膜
  • 4篇微机电系统
  • 4篇机电系统
  • 4篇MEMS
  • 4篇残余应力
  • 4篇电系统
  • 3篇电路
  • 3篇硬质
  • 3篇射频磁控
  • 3篇射频磁控溅射
  • 3篇塑性

机构

  • 38篇西安交通大学
  • 12篇陕西师范大学
  • 5篇西安工程大学
  • 3篇兰州交通大学
  • 2篇电子科技大学
  • 2篇中国科学院
  • 1篇大连理工大学
  • 1篇北京大学
  • 1篇四川大学
  • 1篇天津大学
  • 1篇空军工程大学

作者

  • 19篇徐可为
  • 13篇蒋庄德
  • 10篇张建民
  • 6篇马胜利
  • 6篇王海容
  • 5篇赵玉龙
  • 4篇刘明霞
  • 4篇余花娃
  • 4篇王晶
  • 3篇汪渊
  • 3篇王昕
  • 3篇徐敬波
  • 3篇宋忠孝
  • 3篇高立
  • 3篇白宣羽
  • 3篇孙剑
  • 3篇张英
  • 2篇周向阳
  • 2篇舒瑜
  • 2篇吴喜军

传媒

  • 8篇物理学报
  • 4篇稀有金属材料...
  • 3篇西安交通大学...
  • 3篇陕西师范大学...
  • 3篇压电与声光
  • 2篇Journa...
  • 2篇仪器仪表学报
  • 2篇功能材料
  • 2篇纺织高校基础...
  • 2篇薄膜技术学术...
  • 1篇分析化学
  • 1篇科学通报
  • 1篇计量学报
  • 1篇中国机械工程
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇宝鸡文理学院...
  • 1篇西安工程科技...
  • 1篇Scienc...
  • 1篇陕西科技大学...
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 2篇2011
  • 3篇2010
  • 5篇2009
  • 6篇2008
  • 13篇2007
  • 12篇2006
  • 3篇2005
  • 4篇2004
39 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
退火温度对ZnO薄膜性能的影响被引量:1
2009年
采用射频磁控溅射法在硅衬底上制备出具有(002)择优取向ZnO薄膜.利用X射线衍射分析(XRD)、原子力显微镜(AFM)、双光束紫外可见分光光度计等仪器分析了退火温度对ZnO薄膜的结构、应力状态、表面形貌和光学性能的影响.结果表明,在射频功率为100W时所制备的ZnO薄膜,当退火温度为600℃时,能获得最佳c轴取向和最小半高宽,此时ZnO薄膜具有较低的表面粗糙度和较高的透射率.
余花娃杜亚利王晶严祥安高宾
关键词:ZNO薄膜X射线衍射分析原子力显微镜退火温度透射率
高温退火处理对TiAlSiN硬质薄膜的微观结构与硬度的影响分析被引量:4
2010年
用弧离子增强反应磁控溅射方法,在高速钢(W18Cr4V)基体上沉积出具有较高Al,Si含量的TiAlSiN多元硬质薄膜,研究了不同温度退火后薄膜的微观结构和硬度变化.结果表明:由于沉积速率较高和沉积温度较低,沉积态的TiAlSiN薄膜主要形成非晶结构;高温退火后,TiAlSiN薄膜由非晶转变为纳米晶/非晶复合结构;1000℃以下退火后产生的晶体为AlN及TiN;1100℃以上退火后晶体为TiN,其余为非晶结构;1200℃时薄膜发生氧化,生成Al2O3,表明TiAlSiN薄膜具有相当高的抗氧化温度.TiAlSiN薄膜随退火温度升高晶粒尺寸逐渐增大,高温退火后平均晶粒尺寸小于30nm.沉积态TiAlSiN薄膜具有较高的显微硬度(HV0.2N=3300),但随退火温度的升高,硬度逐渐降低,800℃退火后硬度降低至接近TiN硬度值(HV0.2N=2300).
王昕徐建华马胜利徐可为
关键词:磁控溅射高温退火
镍基体上银和铜膜的择优取向及其价电子分析
2008年
目的研究在Ni(100)基体上沉积Ag和Cu膜的择优取向的形成机理。方法采用X-射线衍射进行分析,根据固体与分子经验电子理论(EET)的键距差(BLD)方法,计算Ni(100)晶面、Ag和Cu的33个晶面的平均电子密度及相对电子密度差。结果X-射线衍射分析结果表明,在Ni(100)基体上沉积Ag和Cu膜的主要择优取向为(111),其次依次为(100)和(110)。计算结果表明,2个晶面的电子密度差越小,相应的择优取向越强。结论从界面处电子密度的连续原理成功地分析了在基体上沉积薄膜的择优取向的产生机理。
张晓军张建民王安祥翟学军
关键词:固体与分子经验电子理论电子密度
磁控溅射制备参数对ZnO薄膜结构和光学性能的影响被引量:5
2007年
采用RF磁控溅射法,在硅(100)衬底上生长出高质量(002)晶面取向的ZnO薄膜.通过XRD和透射光谱研究了射频功率和氧气比例对ZnO薄膜的晶粒尺度、应力状态和光学性能的影响.研究结果显示,射频功率在100W下制备的ZnO薄膜,当氧气比例为60%时,能获得单一c轴择优取向和最小半高宽,压应力最小的薄膜,即结晶性较好的薄膜.
余花娃杜亚利王晶刘静
关键词:磁控溅射ZNO薄膜射频功率
MMI微压印模板的设计与研究被引量:2
2008年
微纳米压印技术作为代替传统光刻的一种新兴技术,有着重要的应用潜力。近年来在直接加工微器件如微流体、微生物器件,特别是在微平面光学器件方面得到了较快的发展。采用微压印法直接加工聚合物微平面光学器件是一个具有实用价值和研究价值的课题。该文首先讨论并选取了聚甲基丙稀酸甲酯(PMMA),研究了聚合物多模干涉(MMI)耦合器器件的微压印模板的设计和加工,讨论了压印模板材料的影响。根据典型基于MMI聚合物分光器件模板的设计实例,由聚合物的光学性能和分光要求,设计出模板的几何尺寸,通过微细加工工艺加工出模板,并给出了初步的热压印实验结果。
王海容蒋庄德刘俊明周志涛张英
Effects of annealing temperature on the microstructure and hardness of TiAlSiN hard coatings被引量:11
2011年
TiAlSiN hard coatings were synthesized on high-speed steel using an arc ion enhanced magnetic sputtering hybrid system.The microstructure and hardness of the coatings at different annealing temperatures were explored by means of XRD,TEM,EDAX and Vickers indentation.The as-deposited TiAlSiN coatings were confirmed to be amorphous due to high depositing rate and low deposition temperature during the film growth.The transformation from amorphous to nanocomposites of nano-crystallites and amorphousness were observed after the annealing treatment,the microstructure of TiAlSiN coatings annealed at 800°C and 1000°C were consisted of crystalline hcp-AlN,fcc-TiN and amorphous phase,however,the coatings were only consisted of fcc-TiN and amorphous phase when annealing at 1100°C and 1200°C.Meanwhile,the formation of Al2O3 was detected on the coating surface after annealing at 1200°C and it indicated the excellent oxidation resistance of the TiAlSiN coatings under the present experimental conditions.Furthermore,the average grain size of the TiAlSiN coatings after high temperature annealing even at 1200°C was less than 30 nm and the size increased with the increasing temperature.However,the hardness of the so-deposited coatings with HV0.2N=3300 dramatically decreased with the increase of temperature and reached nearly to the hardness of TiN coatings with HV0.2N=2300.
WANG Xin XU JianHua MA ShengLi XU KeWei
关键词:退火温度硬质涂层TIN涂层沉积温度
基于三维特征的微机电系统器件结构设计方法被引量:2
2007年
提出了一种表面硅微器件结构设计方法,解决了目前微机电系统(MEMS)结构设计中直观性差、工艺难度大等问题.该方法将三维特征建模的设计思想运用到MEMS设计中,在建立三维特征库的基础上实现了器件结构的快速直观设计.通过三维设计软件SolidWorks的用户接口开发的应用程序不仅实现了从器件结构中自动提取掩膜版和工艺流程,而且消除了人工设计掩膜版和工艺流程的繁琐过程.应用实例表明,与传统的通过掩膜版设计MEMS器件结构的方法相比,该方法简洁、高效,更符合设计者所看即所得的思维方式.同时,SolidWorks软件作为开发MEMS辅助设计工具的基础平台,可以省去开发几何造型模块的任务,从而为新一代MEMS辅助设计工具的开发提供了新的思路.
张长富蒋庄德卢德江任泰安王久洪
关键词:微机电系统SOLIDWORKS
MEMS微型柔性力—位移传动机构设计被引量:5
2006年
为了提高微机电系统中微执行器的作用距离,设计了一种全硅结构的微型柔性力-位移传动机构,用于放大微执行器的输出位移。建立了传动机构的简化力学模型和有限元模型,并对机构性能的影响因素进行了分析。用深层反应离子刻蚀工艺在硅隔离衬底上成功制备了电热微执行器-微型柔性传动机构样机,并进行测试。结果表明,柔性力-位移传动机构能够有效地放大微执行器的输出位移,实测放大倍数达到18.9,可以极大地扩展微机电系统微执行器的应用范围。
高建忠蒋庄德赵玉龙
关键词:微机电系统深刻蚀
微纳加工技术在超微电极制备中的应用被引量:4
2006年
从电极材料、绝缘材料、薄膜的图形化等方面,评述了微纳加工技术在单超微电极和超微电极阵列制备中的应用。在单超微电极的制备中,随着微纳加工技术的引入,可以实现具有规则几何形状和微小电极尖端的单超微电极的重复性制备。
朱明智蒋庄德
一种集成三轴加速度、压力、温度的硅微传感器被引量:5
2007年
针对恶劣环境和严格空间体积限制条件下的多参数测量问题,利用绝缘体上硅(SOI)材料,采用微型机械电子系统(MEMS)技术,研制了一种可以同时测量三轴加速度、绝对压力、温度参数的单片集成硅微传感器,其中加速度、绝对压力传感器基于掺杂硅压阻效应,温度传感器基于掺杂硅电阻温度效应。结合芯片中各传感器的工作原理,用有限元方法对设计的结构进行了仿真,确定集成传感器的电阻分布和结构参数。根据确定的集成传感器结构,制定了相应的制备工艺步骤。最后给出了集成传感器芯片的性能测试结果。
徐敬波赵玉龙蒋庄德孙剑
关键词:集成传感器SOIMEMS
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