国家科技攻关计划(00-068)
- 作品数：15 被引量：49H指数：3
- 相关作者：范广涵陈练辉吴文光陈贵楚李述体更多>>
- 相关机构：华南师范大学中国计量学院南昌大学更多>>
- 发文基金：国家科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 量子级联激光器的电路模型分析被引量：2
- 2005年
- 通过分析量子级联激光器(QCL)中的电子在量子阱输运的单极行为,得到它的速率方程,以此为基础建立起它的等效电路模型,利用PSPICE进行电路模拟,得到了它的频率响应特性,并对可能影响它的调制特性的一些因素进行了分析。
- 吴文光范广涵陈贵楚李华兵陈练辉
- 关键词：激光技术量子级联激光器电路模型频率响应
- 功率型白光LED的热特性研究被引量：26
- 2006年
- 大功率LED照明单元在光通量提高的同时伴随着散热,且普通功率型白光LED多采用蓝光芯片激发荧光粉的方法,随着温度的提升,荧光粉对应的波长会发生漂移。本文从功率型白光LED的发热原理出发,试验了其在脉冲源作用下,用于照明的可能性。试验表明,在此激励源的作用下,LED输出与散热很好,并从理论上进行了解释。
- 雷勇范广涵廖常俊刘颂豪李述体黄琨
- 关键词：白光LED光通量散热脉冲源
- GaInP/(Al_xGa_(1-x))InP多量子阱结构的光荧光特性分析
- 2003年
- 利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)技术生长了GaInP/(AlxGa1-x)InP多量子阱(MQW)结构材料,对其进行光荧光特性测量,观察到在波长λ=647 8nm和λ=861 6nm处分别存在一个强发光锋和一个弱发光峰.理论计算和实测结果基本一致.
- 陈练辉范广涵陈贵楚吴文光李华兵
- 关键词：多量子阱光荧光谱
- P型掺杂对AlGaInP双异质结发光二极管的Al组分确定的影响
- 2003年
- 在双异质结发光二极管(DH-LED)实际材料生长过程中,它的限制层的Al组分的确定有较大的随意性.在不同的P型掺杂程度下,通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了限制层Al组分分别对应确定为一个最合适的取值,此时有源层中的载流子应有一个最大数量的复合,LED的复合效率最高.从而可以探索P型掺杂对限制层Al组分确定的影响的规律,并得到一个较合适的掺杂浓度.这对于器件结构设计以及相关的金属有机化合物气相沉积(MOCVD)材料生长有一定的指导意义.
- 陈贵楚范广涵陈练辉刘鲁
- 关键词：ALGAINPP型掺杂
- 退火对p型GaP和p型AlGaInP载流子浓度的影响被引量：1
- 2004年
- 采用LP-MOCVD技术在n-GaAs衬底上生长了AlGaInP/GaInP多量子阱红光LED外延片.相关研究表明退火对p型GaP和p型AlGaInP载流子浓度有重要影响.与未退火样品相比,460℃退火15min,外延片p型GaP层的空穴浓度由5 6×1018cm-3增大到6 5×1018cm-3,p型AlGaInP层的空穴浓度由6 0×1017cm-3增大到1 1×1018cm-3.这可能是由于退火破坏了Mg-H复合体,恢复了Mg受主的活性导致的.
- 李述体范广涵周天明孙慧卿王浩郑树文郭志友
- 关键词：砷化镓载流子浓度退火
- A1GaInP四元系材料双异质结发光二极管的最佳Al组分分析被引量：4
- 2003年
- 鉴于双异质结发光二极管(DH—LED)限制层的Al组分的不确定性,本文通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了Al组分确定为一个最合适的取值时,有源层中的载流子应有一个最大数量的复合,此时LED的复合效率最高、发光最强。这个最佳Al组分的确认,对于器件结构设计以及相关的MOCVD材料生长有指导意义。
- 陈贵楚范广涵陈练辉刘鲁
- 关键词：AL组分
- Ⅲ-Ⅴ族混合晶体的长波长光学声子被引量：1
- 2005年
- 在修正的随机元素等位移-MREI模型的基础上建立了一个新模型,计算了AB1-xCx型Ⅲ-Ⅴ族半导体混晶的长波长光学声子模频率的组分变化关系。模型中假设次邻力常数远小于近邻力常数,同时,运用离子晶体结合的重叠排斥能,估算出两个近邻力常数随组分x呈负幂指数变化,而非常规的线性变化。最后比较了AsAl1-xGax、GaP1-xAsx和SbAl1-xGax三种混晶的理论结果和实验数据,两者符合较好。
- 李华兵范广涵陈练辉吴文光熊予莹刘颂豪
- 关键词：光电子学光学声子
- AlGaInP/GaInP多量子阱的拉曼光谱被引量：1
- 2004年
- 利用LP-MOCVD生长了不同周期的AlGaInP/GaInP MQW样品,并测量了它们的拉曼光谱。由于样品包括了掺杂的电流扩展层和欧姆接触层以及上、下限制层,拉曼光谱中观察到了与掺杂有关的耦合电子(空穴)气-纵光学声子模。根据喇曼光谱的选择定则,结合光致发光谱,发现AlP-LO/TO的相对强度比可以评定晶体AlGaInP MQW的生长质量。
- 陈练辉范广涵孟耀勇刘桂强
- 关键词：光电子学MQW拉曼光谱
- 垂直腔面发射激光器的原理与设计被引量：2
- 2001年
- 阐述了垂直腔面发射激光器(VCSEL)的工作原理及器件的设计方案.并设计出激射波长为 980 nm,InGaAs/GaAs多量子阱作为发光材料,氧化物限制电流,衬底面出光的基横模低阈值的器件 结构.
- 邓云龙范广涵廖常俊刘颂豪文尚胜刘鹏王浩曹明德刘鲁
- 关键词：半导体激光器面发射激光器INGAAS氧化物垂直腔面发射激光器
- 生长模式控制对MOCVD生长GaN性能的影响被引量：3
- 2005年
- 采用MOCVD以A l2O3为衬底对GaN生长进行了研究.用X射线双晶衍射、电化学CV技术对GaN的结晶性能和电学性能进行了表征.研究表明,GaN的生长模式对其电学性能和结晶性能影响很大.在高温GaN生长初期,适当延长GaN的三维生长时间,能明显改善GaN薄膜的结晶性能,降低薄膜的缺陷密度和本底载流子浓度,使GaN质量明显提高.
- 李述体范广涵周天明孙慧卿郑树文郭志友
- 关键词：半导体GANMOCVDX射线双晶衍射
