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教育部科学技术研究重大项目(313017)

作品数:3 被引量:1H指数:1
相关作者:王颖陈杰胡海帆刘云涛杜斌更多>>
相关机构:中国科学院微电子研究所哈尔滨工程大学更多>>
发文基金:国家教育部博士点基金教育部科学技术研究重大项目中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇电荷
  • 2篇电荷收集
  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇电极
  • 1篇调制器
  • 1篇有源像素
  • 1篇运算放大器
  • 1篇阵列电极
  • 1篇探测器
  • 1篇全差分
  • 1篇全差分运算放...
  • 1篇全三维
  • 1篇终端结构
  • 1篇像素
  • 1篇抗辐射
  • 1篇抗辐射加固
  • 1篇沟槽
  • 1篇放大器
  • 1篇非理想

机构

  • 3篇哈尔滨工程大...
  • 3篇中国科学院微...

作者

  • 3篇陈杰
  • 3篇王颖
  • 2篇胡海帆
  • 1篇赵士斌
  • 1篇杜斌
  • 1篇刘云涛

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇中国科学:技...

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2014
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
抗辐射加固的Σ-Δ调制器设计被引量:1
2014年
针对辐射环境下的传感器应用,设计了一种抗辐射加固的∑-△调制器。通过对调制器非理想特性的建模来确定电路的设计参数。通过调节放大器的偏置电路使其在总剂量(TID)辐射引起的阈值偏移下仍然工作在饱和区。该调制器用3阶MASH结构实现,为了获得更好的线性度,采用单位量化技术。在TSMC2P4M工艺下,信号带宽为22kHz,电源电压3.3V,采样时钟频率为11.264MHz。仿真结果表明,功耗为39mw,可达到17bit以上的有效转换位数。在温度-40~85℃及辐射剂量100Mrad以下范围内,该设计均保持17bit以上的有效转换位数,能够在极端环境下有效工作。
杜斌王颖陈杰刘云涛
关键词:∑-△调制器抗辐射加固全差分运算放大器
三维阵列电极粒子像素辐射探测器的终端结构仿真研究
2015年
在新型绝缘衬底上硅互补金属氧化物半导体(SOI CMOS)粒子像素(ASCP)探测器结构基础上,提出背部沟槽终端结构.采用二维和三维器件仿真对比研究有源边界终端结构,结果表明:背部沟槽终端结构会在沟槽拐角处形成电场峰,同像素内N+沟槽底端电场等效对称,改善衬底电场分布,提高像素探测器终端耐压.在等效中子辐射流通量0-10^16cm^-2内,背部沟槽终端和有源边界终端的边缘像素有相近的电荷收集特性.此外,还分析了ASCP探测器的粒子角度入射特性.
胡海帆王颖陈杰
关键词:终端结构沟槽电荷收集
全三维电离粒子有源像素探测器优化仿真
2014年
提出了一种双外延高能离子注入的单片集成有源像素探测器的传感器结构,以提升传感器对电荷的收集性能和辐射加固,并进行了三维工艺模拟和物理级器件仿真计算.研究结果表明,所提出的传感器结构改善了内部电场和电势的分布,且目标电极的电荷收集效率提高70%,电荷收集时间减少64%.此外,当等效中子辐射流通量在1012—1015cm-2范围内时,所提出的传感器结构比标准传感器结构有更高的电荷收集能力.
胡海帆王颖陈杰赵士斌
关键词:探测器电荷收集
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