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国家自然科学基金(61204087)

作品数:5 被引量:26H指数:4
相关作者:兰林锋彭俊彪林振国张鹏徐华更多>>
相关机构:华南理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇晶体管
  • 3篇薄膜晶体
  • 3篇薄膜晶体管
  • 2篇氧化物
  • 2篇氧化铟
  • 2篇溅射
  • 2篇
  • 1篇电极
  • 1篇有机发光
  • 1篇有机发光二极...
  • 1篇势垒
  • 1篇热压
  • 1篇热压烧结
  • 1篇稳定性
  • 1篇亮度
  • 1篇空穴
  • 1篇空穴注入
  • 1篇空穴注入层
  • 1篇甲氧基
  • 1篇甲氧基苯

机构

  • 4篇华南理工大学

作者

  • 4篇彭俊彪
  • 4篇兰林锋
  • 2篇林振国
  • 1篇肖鹏
  • 1篇张鹏
  • 1篇李民
  • 1篇宁洪龙
  • 1篇刘佰全
  • 1篇孙圣
  • 1篇邹建华
  • 1篇徐华
  • 1篇李育智
  • 1篇张鹏
  • 1篇宋威

传媒

  • 3篇物理学报
  • 1篇物理化学学报
  • 1篇Chines...

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 2篇2013
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
具有新型双空穴注入层的有机发光二极管被引量:4
2013年
采用新型双空穴注入层N,N,N′,N′-tetrakis(4-Methoxy-phenyl)benzidine/Copper phthalocyanine(MeO-TPD/CuPc)及器件结构:ITO/MeO-TPD(15nm)/CuPc(15nm)/N,N′-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N′-bis(phenyl)benzidine(NPB,15nm)/8-hydroxyquinoline(Alq3,50nm)/LiF(1nm)/Al(120nm),研制出高效有机发光二极管(器件D),与其他器件(器件A,没有空穴注入层的器件;器件B,MeO-TPD单空穴注入层;器件C,CuPc单空穴注入层)相比,其性能得到明显改善.器件D的起亮电压降至3.2V,比器件A,B,C的起亮电压分别降低了2,0.3,0.1V.器件D在10V时,其最大亮度为23893cd/m2,最大功率效率为1.91lm/W,与器件A,B,C的最大功率效率相比,分别提高了43%(1.34lm/W),22%(1.57lm/W),7%(1.79lm/W).性能改善的主要原因是由于空穴注入和传输性能得到了改善,通过单空穴型器件的J-V曲线对这一现象进行了分析.
刘佰全兰林锋邹建华彭俊彪
关键词:有机发光二极管空穴注入层功率效率势垒
热压烧结靶材制备氧化铟锌薄膜晶体管被引量:3
2017年
本文研究了热压烧结条件对氧化铟锌(IZO)靶材和薄膜晶体管(TFT)性能的影响。以80%:20%(质量分数比)的ZnO和In_2O_3的混合粉体为原料通过热压烧结法制备IZO靶材,以制备的靶材通过磁控溅射制备IZO TFT。X射线衍射(XRD)图谱以及扫描电镜(SEM)图像表明IZO靶材结晶性好,元素分布均匀。烧结温度为850℃时靶材呈现烧结致密化,900℃-60 min条件下In_2O_3的挥发破坏了靶材烧结致密化。提高烧结温度或延长烧结时间加速In向ZnO晶格的扩散以及空位向表面迁移,有利于靶材致密化以及形成InZnO_x晶相。TFT器件表征结果表明低密度和过高密度靶材会恶化薄膜质量,降低器件性能,可见适当高密度的靶材对制备TFT至关重要,最终900℃-90 min条件的靶材所制备的TFT性能最好,迁移率为16.25 cm^2·V^(-1)·s^(-1)。
宋二龙兰林锋林振国孙圣宋威李育智高沛雄张鹏彭俊彪
关键词:薄膜晶体管热压烧结靶材磁控溅射
源漏电极的制备对氧化物薄膜晶体管性能的影响被引量:4
2014年
本文采用钼-铝-钼(Mo/Al/Mo)叠层结构作为源漏电极,制备氧化铟锌(IZO)薄膜晶体管(TFT).研究了Mo/Al/Mo源漏电极中与IZO接触的Mo层溅射功率对TFT器件性能的影响.随着Mo层溅射功率的增加,器件开启电压(Von)负向移动,器件均匀性下降.通过X射线光电子能谱(XPS)深度剖析发现IZO/Mo界面有明显的扩散;当Mo层溅射功率减小时,扩散得到了抑制.制备的器件处于常关状态(开启电压为0.5 V,增强模式),不仅迁移率高(~13 cm2·V-1·s-1),而且器件半导体特性均匀.
徐华兰林锋李民罗东向肖鹏林振国宁洪龙彭俊彪
关键词:溅射功率薄膜晶体管
Color-stable,reduced efficiency roll-off hybrid white organic light emitting diodes with ultra high brightness被引量:4
2013年
High-brightness and color-stable two-wavelength hybrid white organic light emitting diodes (HWOLEDs) with the configuration of indium tin oxide (ITO)/ N, N, N, N-tetrakis(4-methoxyphenyl)-benzidine (MeO-TPD): tetrafluoro-tetracyanoqino dimethane (F4-TCNQ)/N,N-di(naphthalene-1-yl)-N,N-diphenyl-benzidine (NPB)/ 4,4-N,N-dicarbazolebiphenyl (CBP): iridium (III) diazine complexes (MPPZ) 2 Ir(acac)/NPB/2-methyl-9,10-di(2-naphthyl)anthracene (MADN): p-bis(p-N,N-di-phenyl-aminostyryl)benzene (DSA-ph)/bis(10-hydroxybenzo[h] quino-linato)beryllium complex (Bebq2)/LiF/Al have been fabricated and characterized. The optimal brightness of the device is 69932 cd/m2 at a voltage of 13 V, and the Commission Internationale de l'Eclairage (CIE) chromaticity coordinates are almost constant during a large voltage change of 6-12 V. Furthermore, a current efficiency of 15.3 cd/A at an illumination-relevant brightness of 1000 cd/m2 is obtained, which rolls off slightly to 13.0 cd/A at an ultra high brightness of 50000 cd/m2. We attribute this great performance to wisely selecting an appropriate spacer together with effectively utilizing the combinations of exciton-harvested orange-phosphorescence/blue-fluorescence in the device. Undoubtedly, this is one of the most exciting results in two-wavelength HWOLEDs up to now.
刘佰全陶洪苏跃举高栋雨兰林锋邹建华彭俊彪
关键词:超高亮度甲氧基苯基
氧化物薄膜晶体管研究进展被引量:12
2016年
氧化物半导体材料因其载流子迁移率高、制备温度低、电学均匀性好、对可见光透明和成本低等优势,被认为是最适合驱动有机发光二极管的薄膜晶体管(TFT)的半导体有源材料之一.目前氧化物TFT已成功地应用在平板显示的驱动背板上.本文从氧化物TFT的历史和发展状况出发,先介绍了氧化物半导体材料及其载流子输运机理,然后详细介绍了氧化物TFT的结构、制备方法以及电学稳定性。
兰林锋张鹏彭俊彪
关键词:薄膜晶体管稳定性
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