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废弃焦粉提纯新工艺研究被引量：1: 2013年; 针对高灰分焦粉大量废弃堆存的状况,采用不同浸出剂对高灰分焦粉进行脱灰实验,确定了碱-酸联合浸出的脱灰工艺,研究了碱-酸联合浸出脱灰过程温度与脱灰率的关系.使用光谱分析、XRF和化学分析方法,分析了原料焦粉、碱浸焦粉、碱浸后酸浸焦粉灰分中主要杂质元素铁、铝、钙、硅的存在形态和含量,探讨了提纯过程的反应机理.焦粉经碱-酸联合浸出后,灰分由28.6%降至3.85%,脱灰率达到86.5%.; 宁哲谢克强马文会魏奎先杨扬; 关键词：焦粉脱灰碱浸酸浸

模板剂对MCM-41介孔分子筛结构的影响: 2014年; 以微硅粉为硅源，利用水热合成法成功制备出MCM-41介孔分子筛，利用XRD、N2吸附曲线和TEM等测试方法对样品进行了表征，结果表明，模板剂的用量对样品的结构具有显著的影响，当CTAB／SiO2的摩尔比为0．15时，样品的结构有序性最高；混合模板剂可明显提高样品的比表面积和孔容，合成的MCM-41介孔分子筛比表面积从299m2／g提高到837．3m2／g，孔容从0．051cm。／g提高到0．79cm3／g。; 朱文杰李明明周阳马文会于洁谢克强; 关键词：微硅粉 MCM-41 水热合成

电子束注入对多孔硅吸杂效果的影响: 2014年; 研究了电子束注入对多孔硅吸杂效果的影响。采用电化学腐蚀方法利用双电解槽在单晶硅片上制备多孔硅。电子束注入以后多孔硅的微观形貌发生了变化,通过3min的电子束注入处理,硅片的电阻率发生了明显的改变,大于相同条件下经过快速热处理的硅片的电阻率,这充分证明了电子束注入有热效应与电场效应的双重作用,对去除杂质B有一定的效果。电子束注入时间对去除杂质的效果有一定的影响。; 游小刚谭毅李佳艳石爽郭素霞; 关键词：多孔硅吸杂电阻率

多晶硅真空定向凝固系统的仿真优化与实验研究被引量：3: 2014年; 采用模拟和实验相结合的方法,研究了真空定向凝固系统中炉内底部保温层结构对多晶硅温度场及凝固过程中固-液界面的影响,对比了底部保温层为开口、半封闭与全封闭3种情况下的温度分布及凝固情况。模拟的结果表明,在底部保温层全封闭时,热区的辐射加热效果加强,同时也增加了冷区的散热效果,使坩埚中的硅料温度梯度增大。在此基础上,建立了不需要进行坩埚底部水冷换热的凝固系统,并进行了实验。实验结果与理论分析基本一致,说明可以通过调节炉内装置来优化多晶硅的真空定向凝固系统,对该系统的设计和优化起到指导与参考作用。; 杨玺吕国强马文会魏奎先罗涛戴永年; 关键词：多晶硅系统仿真保温结构

采用原位反应法在石墨坩埚表面制备SiC涂层: 2014年; 通过原位反应在石墨坩埚切片表面成功制备了SiC涂层,并对其进行了循环热氧化试验,研究了SiC涂层的形成机理以及烧结温度和时间对涂层厚度的影响,并评价了涂层对提高石墨抗热氧化性及抗热冲击性的作用。结果表明:原位反应制备的SiC涂层厚度较为均匀;不同温度下的原位反应由不同的动力学过程控制;当温度接近硅熔点时,长时间加热能显著增加SiC涂层的厚度;烧结温度越高,SiC涂层的厚度越大;石墨表面的SiC涂层能够提高石墨基体的抗热氧化及抗热冲击性,且涂层厚度越大,作用越显著。; 游小刚谭毅李佳艳; 关键词：原位反应 SIC涂层石墨坩埚

冶金法多晶硅中铁杂质对其电阻率的影响研究: 多晶硅经真空定向凝固后通常含有Fe杂质,且电阻率分布很不均匀。研究Fe杂质在硅锭中的赋存形态和分布情况,以及其对电阻率的影响,对提高真空定向凝固多晶硅的电学性能具有非常重要的意义。本文采用真空定向凝固法制备多晶硅锭,结合...; 张聪魏奎先马文会高隆重杨玺戴永年; 关键词：多晶硅电阻率; 文献传递

Fabrication of Different SiC Architecture Via a Simple Method: 2012年; Silicon carbide architecture with different morphology has been synthesized via catalyst-free carbothermic reduction of silica under normal atmosphere pressure.X-ray powder diffraction(XRD)and Scanning electron microscopy(SEM)were used to characterize the architecture.The results show that the mole ratio of carbon/silica has a great influence on the morphology of silicon carbide architecture.At different carbon/silica mole ratio,platelet-,bamboo-,pagoda-,and bead-like silicon carbide architecture have been synthesized.; MA Wen-huiLUO Xiao-gangWEI Kui-xianZHOU YangXIE Ke-qiangYANG BinDAI Yong-nian; 关键词：SEMICONDUCTOR CARBIDE ARCHITECTURE REDUCTION NANOSTRUCTURE

冶金法制备太阳能级多晶硅的生命周期评价研究被引量：1: 2016年; 运用生命周期评价(LCA)方法对冶金法制备太阳能级多晶硅的生产过程环境负荷进行了研究,得到了生产1 000 kg冶金法太阳能级多晶硅的具体环境负荷和1 kg冶金法太阳能级多晶硅的生命周期环境综合影响值.研究表明:生产1 000 kg冶金法太阳能级多晶硅的具体环境负荷为4 178 kg硅石、26 609 kg ce、149 552 kg CO_2、631.6 kg SO_2、352 kg粉尘、12.67 kg CFC-11(氟利昂)、0.161 2 m3填埋空间、57 416.9 kg非致癌有毒物;1 kg冶金法太阳能级多晶硅的生命周期环境综合影响值为31.91,其中最大的环境影响为全球变暖影响(GWP),占综合影响的67.4%;冶金法的主要环境负荷源于火电消耗,应该主要从减少生产过程中电力消耗的角度进行改善评价.; 于志强马文会郑达敏魏奎先席风硕; 关键词：生命周期评价环境负荷

直接电解还原SiO2制备硅过程中B,P行为研究: 在CaCl2-CaO电解体系下,直接电解还原SiO2制备得到单质硅。利用能斯特方程计算得到,若要使电解还原产物硅中的杂质B,P浓度小于1ppmw,则电解质中B、P的最高极限浓度分别为1.8和3.1 ppmw。采用B,P浓...; 谢江生马文会陈家辉秦博魏奎先; 关键词：单质硅

不同纯度冶金级硅电导率随温度的变化: 2013年; 在不同温度下,采用自主设计的测试设备测试了不同纯度和不同厚度的冶金级硅的电导率,分析了冶金级硅的纯度对电导率的影响。结果表明:采用厚度较薄的硅片进行电导率测试能更准确反映出电导率随温度的变化关系;当温度达到650℃以上时,本征激发作用明显,冶金级硅电导率开始迅速增大,并且纯度较高、金属杂质含量较少的硅电导率随温度的升高增幅较大;最后,根据测量出的电导率进行了数值拟合,得到了冶金级硅电导率随温度变化的数学表达式。; 杨玺吕国强马文会罗涛; 关键词：电导率温度变化金属杂质

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