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中央高校基本科研业务费专项资金(200972105499)

作品数：1 被引量：0H指数：0
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇单轴
  • 1篇应力
  • 1篇价带
  • 1篇硅
  • 1篇P

机构

  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 1篇王晓艳
  • 1篇马建立
  • 1篇王冠宇
  • 1篇宋建军
  • 1篇张鹤鸣
  • 1篇徐小波

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
单轴〈111〉应力硅价带结构计算
2011年
基于k·p微扰法计算了单轴〈111〉应力作用下硅的价带结构,并与未受应力时体硅的价带结构进行了比较.给出了单轴〈111〉应力作用下硅价带顶处能级的移动、分裂以及空穴有效质量的变化情况.计算所得未受应力作用时硅价带顶处重空穴带、轻空穴带有效质量与相关文献报道体硅有效质量结果一致.拓展了单轴应力硅器件导电沟道应力与晶向的选择范围,给出的硅价带顶处重空穴带、轻空穴带能级间的分裂值和有效质量随应力的变化关系可为单轴〈111〉应力硅其他物理参数的计算提供参考.
马建立张鹤鸣宋建军王晓艳王冠宇徐小波
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