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国家重点基础研究发展计划(2006CB302702)

作品数:6 被引量:17H指数:2
相关作者:周润德张建良王硕张盛刘萌萌更多>>
相关机构:清华大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 4篇宽带
  • 4篇超宽带
  • 2篇低功耗
  • 2篇功耗
  • 2篇CMOS
  • 2篇LNA
  • 1篇带通
  • 1篇带阻
  • 1篇带阻特性
  • 1篇电路
  • 1篇抑制窄带干扰
  • 1篇英文
  • 1篇窄带
  • 1篇窄带干扰
  • 1篇时钟
  • 1篇通信
  • 1篇全集成
  • 1篇转换器
  • 1篇脉冲超宽带
  • 1篇脉冲发生器

机构

  • 6篇清华大学

作者

  • 5篇周润德
  • 4篇张盛
  • 4篇王硕
  • 4篇张建良
  • 3篇刘萌萌
  • 1篇梁仁荣
  • 1篇何洋
  • 1篇朱钧
  • 1篇李兆麟
  • 1篇李蔚
  • 1篇王为之
  • 1篇王柳笛
  • 1篇张志刚
  • 1篇胡应波

传媒

  • 3篇清华大学学报...
  • 1篇Journa...
  • 1篇电子学报
  • 1篇电路与系统学...

年份

  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
一个全集成的CMOS脉冲超宽带发射机被引量:2
2010年
本文给出了一个低功耗、全集成的CMOS脉冲式超宽带发射机电路的设计和流片测试结果,其集成了亚纳秒脉冲发生器、脉冲位置调制(PPM)器和天线驱动电路等,可支持多种调制方式并产生最高达1Gp/s的超宽带脉冲序列。设计采用数字驱动信号上升沿触发的新型反馈结构脉冲发生器,可产生稳定的脉冲信号。通过可调的脉冲宽度和PPM调制步长,设计提供了工艺参数和温度变化的补偿手段。
张建良张盛王硕刘萌萌周润德
关键词:超宽带脉冲发生器发射机
基于不同测量手段的纳米晶器件的存储特性(英文)
2007年
对纳米晶器件,尤其是MOS电容进行了横截面TEM分析和不同条件下的电学特性(C-V特性)测量,包括+/ -BT分析.揭示了系统的纳米晶存储物理机制,例如电荷俘获、界面态填充和温度特性.研究结果表明,高温、大电压摆幅和偏置情况下,器件编程窗口的恶化和阈值电压的漂移与多数载流子的种类有关.
李蔚张志刚梁仁荣何洋王柳笛朱钧
关键词:纳米晶
用于超宽带通信的低功耗4b 2GHz flash ADC
2009年
宽带信号的高速采集电路是超宽带(ultra-wideband,UWB)通信系统的基本单元,在满足高速采集要求的同时保持低功耗是设计的难题。该文通过改进全差分预放和高速比较器电路,设计了一个用于超宽带的4 b flash模数转换器(ADC),获得了2 GHz的采样速率,而功耗仅为38mW。基于和舰0.18μm CMOS工艺的仿真设计和流片测试结果表明,该ADC最大积分非线性(INL)和微分非线性(DNL)指标分别为+0.31/-0.28 LSB和+0.53/-0.36LSB;采样率在600 MHz以内时非杂散动态范围(SFDR)大于38 dB。所设计的ADC核心面积小于0.14 mm2。
张建良张盛王硕王为之周润德
关键词:模数转换器通信超宽带
两种新型低时钟摆幅TSPC触发器被引量:1
2008年
为了降低时钟系统的功耗,提出了2种适合于低功耗应用的基于真单相时钟(TSPC)锁存器的低时钟摆幅触发器:一种是低时钟摆幅边沿触发TSPC触发器(LCSETTFF),另一种是低时钟摆幅脉冲触发TSPC触发器(LCSPTTFF)以及它的几种改进形式。这2种触发器都具有结构简单、功耗低并能降低时钟网络功耗的优点。利用0.18μm CMOS工艺在HSPICE中的仿真表明,与传统的触发器相比,LCSETTFF可以使功耗降低42%,而提出的几种形式的LCSPTTFF可以使功耗和功耗延时积分别降低45%~60%和11%~27%;此外,LCSETTFF和LCSPTTFF的时钟网络功耗可分别降低约56%和78%。实验还表明该文所提出的触发器在嵌入逻辑以提高电路总体性能方面有明显的优势。
胡应波李兆麟周润德
关键词:大规模集成电路触发器低功耗
一种CMOS超宽带LNA的优化设计方法被引量:11
2009年
为实现性能更优的超宽带(UWB)射频前端低噪声放大器(LNA),本文提出了一种通用的基于CMOS工艺的超宽带LNA优化设计方法.基于源端电感负反馈的LNA电路模型,本文提出利用最优化的数学方法分别确定晶体管尺寸、输入匹配网络和负载网络各元件参数的方法,实现了较好的输入阻抗匹配,达到了较高的增益、较好的增益平坦度以及优秀的噪声系数,并具有较低的功耗;本设计方法所用无源元件不但适宜CMOS集成,而且对工艺偏差具有一定的忍耐力.仿真结果说明用上述方法设计的超宽带LNA在工作频带内能够达到预期的各项性能要求.
刘萌萌张盛王硕张建良周润德
关键词:超宽带CMOS
具有抑制窄带干扰带阻特性的3~10GHz超宽带LNA被引量:3
2009年
为在超宽带(Ultra-wideband,UWB)通信中抑制工作频带内的窄带干扰,提高接收机性能,提出了一个用于超宽带接收机的具有带阻特性的低噪声放大器(low noiseamplifier,LNA)。该放大器利用源简并电感得到实数的输入阻抗,利用输入匹配网络扩展工作带宽,利用具有带阻特性的负载网络得到宽带内的带阻特性。通过建立源简并结构超宽带LNA的电路模型,分析了超宽带LNA的放大器晶体管尺寸与功耗、增益、噪声系数之间的关系,提出了放大器晶体管尺寸的设计方法,同时给出了输入匹配网络和负载网络的电路结构和设计方法。基于SMIC 0.18μm CMOS工艺的仿真表明,通过该方法设计的LNA,其通带和阻带性都能符合设计指标要求。
刘萌萌张盛王硕张建良周润德
关键词:LNA带阻超宽带
共1页<1>
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