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深圳市科技计划项目(JCYJ20120821162230170)

作品数：6 被引量：2H指数：1
相关作者：李世国周志文沈晓霞叶剑锋更多>>
相关机构：深圳信息职业技术学院更多>>
发文基金：深圳市科技计划项目广东省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇锗
  • 2篇电阻
  • 2篇界面层
  • 2篇金属
  • 2篇N型
  • 1篇电子学
  • 1篇形变
  • 1篇压应变
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇锗量子点
  • 1篇探测器
  • 1篇外延层
  • 1篇量子点
  • 1篇接触电阻
  • 1篇接触电阻率
  • 1篇金属氧化物半...
  • 1篇金属氧化物半...
  • 1篇晶体管
  • 1篇缓冲层
  • 1篇光电

机构

  • 6篇深圳信息职业...

作者

  • 6篇周志文
  • 6篇李世国
  • 3篇叶剑锋
  • 3篇沈晓霞

传媒

  • 3篇半导体技术
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇深圳信息职业...

年份

  • 4篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
Si基Ge薄膜共振腔增强型光电探测器的设计与模拟
2014年
设计了Si衬底上Ge薄膜共振腔增强型光电探测器的器件结构,理论计算了上下反射镜Si/Si O2的对数、吸收区Ge薄膜的厚度、有源区面积等参数对器件的外量子效率、带宽等性能的影响。当器件上下反射镜Si/Si O2的对数分别为2和3,Ge薄膜的厚度为0.46μm,器件的台面面积小于176μm2时,探测器在中心波长1.55μm处的外量子效率达到0.64,比普通结构提高了30倍,同时器件的带宽达到40 GHz。
周志文沈晓霞李世国
关键词：光电子学光电探测器锗
低温锗量子点缓冲层技术生长硅锗弛豫衬底研究
2015年
为了提高生长在硅衬底上的硅锗弛豫衬底的质量,提出了低温锗量子点缓冲层技术,分析了该技术在应变弛豫的促进,表面形貌的改善,位错密度的降低等方面的作用机理。基于低温锗量子点缓冲层技术,利用超高真空化学气相淀积系统,在硅衬底上生长出高质量的硅锗弛豫衬底。锗组份为0.28,厚度不足380 nm的硅锗弛豫衬底,应变弛豫度达到99%,表面没有Cross-hatch形貌,表面粗糙度小于2 nm,位错密度低于105 cm-2。
周志文叶剑锋李世国
压应变SiGe和张应变Si的能带结构研究
2016年
根据体Si和体Ge的能带结构特点,基于形变势理论,计算了SiGe合金的应变对其能级的影响。静压应变导致能级偏移,单轴应变导致简并能级分裂,使得应变SiGe合金的禁带宽度随应变的增加而减小。共度生长在体Si衬底上的SiGe合金,以及共度生长在体SiGe衬底上的Si,它们的禁带宽度随Ge组份的增加近乎线性减小。完全压应变的Si_(0.5)Ge_(0.5)合金,其禁带宽度从无应变时的0.93eV减小为0.68eV。Ge组份为0.5时,完全张应变的Si,其禁带宽度从无应变时的1.12eV减小为0.85eV。
周志文叶剑锋李世国
关键词：SIGE合金
硅衬底上锗外延层的生长被引量：2
2016年
利用超高真空化学气相沉积系统,基于低温Ge缓冲层技术,研究了Si衬底上高质量Ge外延层的生长。结果表明,低温Ge缓冲层的表面起伏较大,降低生长温度并不能抑制三维岛状生长。然而,低温Ge缓冲层的压应变几乎被完全弛豫,应变弛豫度达到90%以上。在90 nm低温Ge缓冲层上生长的210 nm高温Ge外延层,表面粗糙度仅为1.2 nm。Ge外延层X射线双晶衍射峰的峰形对称,峰值半高宽约为460 arcsec,无明显的Si-Ge互扩散。湿法化学腐蚀部份Ge外延层,测量位错密度约为5×10~5cm^(-2)。
周志文沈晓霞李世国
关键词：硅衬底表面形貌
降低金属与n型Ge接触电阻方法的研究进展
2016年
Ge材料中n型杂质激活的电子浓度偏低,以及费米能级钉扎效应导致的金属与n型Ge接触电子势垒高度偏大,使金属与n型Ge接触电阻较大。基于Ge的材料特性,分析了缺陷对杂质浓度以及费米能级钉扎对电子势垒高度的影响;综述了提高Ge材料中n型掺杂电子浓度的方法,如激光退火、磷和锑共掺、循环离子注入/退火、氟钝化等;讨论了降低金属与n型Ge接触电子势垒高度的途径,即插入薄的界面层形成金属-界面层-Ge接触。电子浓度的提高,以及电子势垒高度的降低,有效地减小了金属与n型Ge接触电阻。
周志文沈晓霞李世国
关键词：N型掺杂接触电阻
界面层对金属与n型Ge接触的影响
2016年
通过理论计算,对比分析了不同界面层对金属与n型锗(Ge)接触的影响。结果表明,界面层有利于降低费米能级钉扎效应,使金属与n型Ge接触的电子势垒高度降低。然而,由于界面层与Ge的导带之间存在带阶,界面层额外增加了不利的隧穿电阻。优化选择合适的界面层材料,降低电子势垒高度的同时减小隧穿电阻,有利于减小比接触电阻率。采用厚度为1.5 nm的Zn O作界面层,电子势垒高度为0.075 e V,比接触电阻率为2×10-8Ω·cm2,比无界面层的0.26Ω·cm2降低了7个数量级。
周志文叶剑锋李世国
关键词：锗比接触电阻率
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