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国防基础科研计划(A1320070032)

作品数:2 被引量:7H指数:2
相关作者:杨晔胡黎明秦莉王烨李再金更多>>
相关机构:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所中国科学院研究生院清华大学更多>>
发文基金:中国人民解放军总装备部预研基金国防基础科研计划吉林省科技厅发展计划项目更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇有限元
  • 2篇有限元法
  • 2篇占空比
  • 2篇激光
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体激光
  • 1篇温度分布
  • 1篇列阵
  • 1篇激光列阵
  • 1篇激光器
  • 1篇激光阵列
  • 1篇高占空比
  • 1篇功率
  • 1篇功率半导体
  • 1篇半导体激光列...
  • 1篇半导体激光阵...
  • 1篇LDA
  • 1篇大功率
  • 1篇大功率半导体

机构

  • 2篇中国科学院研...
  • 2篇中国科学院长...
  • 1篇清华大学

作者

  • 2篇刘云
  • 2篇王立军
  • 2篇李再金
  • 2篇王烨
  • 2篇秦莉
  • 2篇胡黎明
  • 2篇杨晔
  • 1篇王冰冰

传媒

  • 1篇中国激光
  • 1篇光学学报

年份

  • 2篇2010
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
大功率无铝量子阱半导体激光阵列特性被引量:3
2010年
针对微通道热沉封装的大功率无铝量子阱半导体激光阵列(LDA)建立三维有限元模型,模拟分析了热沉温度、工作电流以及占空比等工作条件对有源区温度的影响,并通过实验手段研究了不同工作条件下,大功率半导体激光阵列的输出特性的变化情况。结果表明,热沉温度越高、占空比越大时,器件达到稳态所需时间越长,有源区温度越高,中心波长红移越大;阈值电流越大,转换效率、斜率效率越低,输出功率越小。外推了半导体激光阵列在20℃热沉温度,20%高占空比,300 A高注入电流条件下工作的输出特性,得到输出功率超过300 W,转换效率达45%,且没有出现热饱和现象。
胡黎明李再金秦莉杨晔王烨刘云王冰冰王立军
关键词:激光器半导体激光阵列占空比有限元法大功率
高占空比大功率半导体激光线阵热特性分析被引量:4
2010年
针对微通道热沉封装半导体激光列阵(LDA)建立三维有限元热分析模型,对其在20%高占空比工作时的瞬态和稳态温度分布进行模拟分析。模拟结果表明加电流后的几十微秒内有源区温度缓慢上升,此后相邻发光单元之间发生热交叠,温度快速上升,最后由于热弛豫积累效应达到热平衡;稳态时有源区温度分布呈现与器件结构一致的周期性,各发光单元温度分布一致,温升集中在有源层电极区内,绝缘区温升快速减小,出光面温度较高,180 A电流下工作时沿腔长方向最大存在3 K的温差。试验测试不同电流下工作时的输出特性,得到器件的有源区温升及稳态热阻与模拟结果基本吻合。
胡黎明李再金秦莉杨晔王烨刘云王立军
关键词:温度分布有限元法高占空比
共1页<1>
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