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国际科技合作与交流专项项目(2002DFG0051)

作品数：1 被引量：13H指数：1
相关作者：孙建耿新华韩晓艳张德坤任慧志更多>>
相关机构：河北工业大学南开大学更多>>
发文基金：国际科技合作与交流专项项目国家重点基础研究发展计划天津市科技攻关项目更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇稳定性
  • 1篇光稳定性
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇SW

机构

  • 1篇南开大学
  • 1篇河北工业大学

作者

  • 1篇王岩
  • 1篇朱锋
  • 1篇薛俊明
  • 1篇郭群超
  • 1篇侯国付
  • 1篇赵颖
  • 1篇任慧志
  • 1篇张德坤
  • 1篇韩晓艳
  • 1篇耿新华
  • 1篇孙建

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
相变域硅薄膜材料的光稳定性被引量：13
2006年
采用RF-PECVD技术,通过改变反应气体的硅烷浓度制备了一系列不同晶化率不掺杂的硅薄膜材料,研究了工艺变化对材料结构的影响及材料光电特性同微结构的关系.随后进行了光衰退试验,在分析光照前后光电特性变化规律的基础上,认为材料中的非晶成分是导致材料光电特性衰退的主要原因.在靠近过渡区非晶一侧的硅材料比普通非晶硅稳定,衰退率较少;高晶化率微晶硅材料性能稳定,基本不存在光衰退;在靠近过渡区微晶一侧的硅材料虽然不是完全不衰退,但相比高晶化率硅材料来说更适合制备高效微晶硅电池.
王岩韩晓艳任慧志侯国付郭群超朱锋张德坤孙建薛俊明赵颖耿新华
关键词：硅薄膜稳定性
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