国防科技技术预先研究基金(3110705)
- 作品数：2 被引量：17H指数：1
- 相关作者：陈伟王桂珍何宝平龚建成韩福斌更多>>
- 相关机构：西北核技术研究所中国科学院更多>>
- 发文基金：国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 不同集成度SRAM硬X射线剂量增强效应研究
- 2003年
- 给出了不同集成度 16K— 4Mb随机静态存储器SRAM在钴源和北京同步辐射装置BSRF3W1白光束线辐照的实验结果 ;通过实验在线测得SRAM位错误数随总剂量的变化 ,给出相同辐照剂量时 2 0— 10 0keVX光辐照和Co60 γ射线辐照的剂量损伤效应的比例因子 ;给出集成度不同的SRAM器件抗γ射线总剂量损伤能力与集成度的关系 ;给出不同集成度SRAM器件的X射线损伤阈值 .这些结果对器件抗X射线辐射加固技术研究有重要价值 .
- 郭红霞陈雨生韩福斌罗剑辉杨善潮龚建成谢亚宁黄宇营何伟胡天斗
- 关键词：静态存储器硬X射线集成度光子数
- CMOS器件^(60)Coγ射线、电子和质子电离辐射损伤比较被引量：17
- 2006年
- 利用TRIM95蒙特卡罗软件计算了质子在二氧化硅中的质量阻止本领和能量沉积,比较了质子在二氧化硅中的电离阻止本领与核阻止本领,分析了质子在材料的表面吸收剂量与灵敏区实际吸收剂量的关系.利用60Coγ射线、1MeV电子和2—9MeV质子对CC4007RH和CC4011器件进行辐照实验,比较60Coγ射线和带电粒子的电离辐射损伤情况.实验结果表明,60Coγ射线、1MeV电子和2—7MeV质子辐照损伤效应中,在0V栅压下可以相互等效;在5V栅压下,以60Coγ射线损伤最为严重,1MeV电子的辐射损伤与60Coγ射线差别不大,9MeV以下质子辐射损伤总是小于60Coγ射线,能量越低,损伤越小.
- 何宝平陈伟王桂珍
- 关键词：Γ射线质子
