教育部科学技术研究重点项目(210207)
- 作品数：12 被引量：16H指数：2
- 相关作者：杨宇王茺靳映霞李亮韦冬更多>>
- 相关机构：云南大学昆明物理研究所中国科学院更多>>
- 发文基金：教育部科学技术研究重点项目国家自然科学基金云南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程更多>>
- Ge 组分对应变 Si1-x Gex 沟道 P-MOSFET 电学特性影响被引量：2
- 2011年
- 利用二维数值模拟方法,研究了不同Ge组分应变Si1-xGex沟道p-MOSFET的电容-电压特性以及阈值电压的变化情况.计算结果表明:提高应变Si1-xGex沟道层中的Ge组分,器件亚阈值电流明显增大;栅电容在器件进入反型状态时产生显著变化;阈值电压的改变量与Ge组分基本成线性关系.通过改变Si1-xGex沟道的长度,并结合相关物理模型,在低电场情况下,沟道中的空穴迁移率与总电阻对沟道长度的微分成反比关系.
- 杨洲王茺王洪涛胡伟达杨宇
- 关键词：沟道P-MOSFET空穴迁移率栅电容
- 绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET电学特性模拟分析被引量：1
- 2013年
- 利用数值模拟软件ISE TCAD对绝缘层上应变SiGe (SGOI)和Si (SOI) p-MOSFET的电学特性进行了二维数值模拟.计算结果表明,与传统的SOI p-MOSFET相比,SGOI p-MOSFET的漏源饱和电流几乎要高出两倍；其亚阈值电流要高出1～3个数量级.Ge合金组分作为应变SiGe沟道MOSFET的重要参数,就不同Ge合金组分对SGOI p-MOSFET的电学特性的影响也进行了较为深入的研究.随着Ge合金组分的增大,SGOI p-MOSFET的总体电学性能有所提高.
- 于杰王茺杨洲陈效双杨宇
- 关键词：P-MOSFET
- 硅离子注入SOI晶片中发光研究
- 2012年
- 本文报道了通过500 keV从1013cm-2到3×1014cm-2的不同剂量的28Si离子自注入技术,结合不同温区退火,在SOI晶片中引入一系列发光中心(X,W,R,D4,D3,D2和D1中心)研究。采用光致发光测量表征,分别研究了退火温度、注入剂量以及测试温度对样品光学性质的影响。研究发现,W线的最佳退火温度大约为275℃,注入剂量为1013cm-2量级;R线发光强度最大时需要的注入剂量为3×1013cm-2,退火温度为700℃;与体Si晶体不同,离子注入SOI晶片内仅在275℃的低温退火3 min,在1013cm-2小剂量样品的PL谱中也观察到D1和D2带。本研究结果为硅基红外光电器件的探索奠定了基础。
- 杨宇杨杰靳映霞王茺
- 关键词：光致发光离子注入退火
- C+离子注入Si晶体中堆垛层错的研究
- 在室温下能量为60keV,剂量为3.0×1015cm-2对晶面指数为(400)的P型硅样品中进行了的C+离子注入,对样品进行了XRD和拉曼光谱测试,同时与计算注入后样品的平均晶粒尺寸进行了对比,发现样品出现明显的晶格损伤...
- 周原王茺韦冬杨宇
- 关键词：堆垛层错
- 文献传递
- 外延GaNAs薄膜价带分裂随温度变化的研究被引量：1
- 2010年
- 利用分子束外延(MBE)技术在GaAs(001)衬底上生长了GaN0.01As0.99薄膜,然后使用光调制反射(PR)光谱研究了薄膜的光学性质和能带结构。PR光谱实验表明GaN0.01As0.99/GaAs薄膜价带在Γ点发生轻、重空穴分裂,且分裂的轻、重空穴带到导带边的2个跃迁峰随着温度的升高均发生红移。采用Varshni法则、Bose-Einstein关系和BAC模型分别对轻、重空穴的能隙分裂和红移特征进行了拟合。分析结果表明,随着温度的升高,Ga-NAs外延层与GaAs衬底间晶格失配的减少可能是导致应变能和价带分裂能量减少的主要因素。
- 陈雪梅唐利斌万锐敏王茺杨宇
- 关键词：温度
- 两步法溅射中缓冲层厚度对Ge薄膜质量的影响被引量：1
- 2012年
- 采用低温缓冲层技术制备Ge薄膜,利用AFM和Raman光谱研究缓冲层厚度对低温Ge缓冲层残余应变弛豫的影响。实验结果显示:随着缓冲层厚度的增加,残余应变弛豫度增大。在30 nm厚的低温Ge缓冲层上生长800nm厚的Ge外延层。Ge薄膜具有良好的结晶性,表面粗糙度RMS为2.06 nm。
- 关中杰靳映霞王茺叶小松李亮杨宇
- 关键词：射频磁控溅射
- 缓冲层生长温度对量子点生长的影响
- 采用离子束溅射技术,在生长了Si缓冲层的硅基底上制备了一系列Ge量子点样品。利用Raman光谱和AFM对样品进行表征,系统研究了随着缓冲层生长温度的改变,量子点的面密度和尺寸的演变规律。实验结果表明,通过控制缓冲层的生长...
- 潘红星王茺熊飞张学贵杨杰李天信杨宇
- 关键词：锗量子点离子束溅射
- 文献传递
- 溅射气压对Ge/Si纳米点表面形貌的影响被引量：1
- 2012年
- 利用磁控溅射技术在Si(100)衬底上直接外延生长一系列不同压强下的Ge纳米点样品,并利用AFM、Raman和XRF对Ge纳米点样品形貌和结构进行了研究。结果表明Ge薄膜表面粗糙度在某一临界压强下发生突变,高能粒子热化的临界值与这种转变密切相联;分析讨论了Ge岛在不同溅射气压下的生长过程,在一定范围随着压强的增大会显示典型生长阶段的特征。
- 叶小松王茺关中杰靳映霞李亮杨宇
- 关键词：磁控溅射表面形貌
- 热退火诱导C^+注入Si晶体的蓝光发射
- 2014年
- 在室温和注入能量为60 keV的条件下,在硅晶片中注入C+,使其剂量达到5.0×1016cm-2,随后即对样品进行高温退火处理。采用X射线衍射(XRD),拉曼和光致发光(PL)光谱技术对样品进行了表征。实验结果显示:C+注入后经高温退火的样品的XRD图谱中,在40°附近处出现了衍射峰,表明经退火后样品中形成了纳米尺寸的SiC团簇,并观察到了强烈的蓝光发射。PL光谱中的蓝光峰起源于量子限制效应。
- 周原王茺韦冬卢赛杨宇
- 关键词：离子注入量子限制效应
- 绝缘氧化层上自离子注入Si薄膜W线发光性能的调控
- 2011年
- 对SOI基片上的Si薄膜进行了一系列Si+自注入和热退火的改性实验,并利用低温光致发光(PL)光谱对这些Si薄膜样品的发光性能进行了测试.在这些SOI样品的PL光谱中观察到了丰富的光学结构,包括D1,D2,D3,X以及异常尖锐的W线.通过对比在同等光谱测试条件下的W线归一化强度,获得了针对SOI基片发射W线较为理想的自注入和热退火参数.同时,还对D系列发光峰以及W线的缺陷起源和光学性质进行了很好的讨论.
- 王茺杨宇杨瑞东李亮韦冬靳映霞Bao Ji-Ming
- 关键词：SOI结构
