北京市教委资助项目(KM200310005009)
- 作品数：11 被引量：21H指数：3
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- 相关机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：北京市教委资助项目国家自然科学基金北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 新型室温中远波段红外探测器的关键工艺研究被引量：1
- 2004年
- 介绍了一种基于MEMS技术的新型室温中远红外波段硅基电容式红外探测器原理和制作工艺过程,并详细介绍了针对单面光刻机而采用的对准孔双面对准和键合对准技术、浓硼扩散EPW腐蚀停止技术制备超薄敏感硅膜以及薄膜的疏水处理等关键工艺。还对各环节所遇到的问题和其相应的解决方法进行了详细地阐述。
- 杨道虹徐晨董典红李兰吴畯苗张建铭阳启明邹德恕沈光地
- 关键词：MEMS红外探测器键合光刻
- 一种适用于薄膜结构的静电键合方法
- 2005年
- 针对带弹性敏感薄膜结构的微机械器件的硅/玻璃静电键合,介绍了一种有效的方法--局部电场屏蔽法,在键合过程中屏蔽弹性敏感薄膜所在位置的电场,使薄膜结构不受静电力的影响,从根本上解决了薄膜受静电吸引力而产生形变,与玻璃贴合甚至破裂的问题,大大提高了成品率.
- 赵慧徐晨霍文晓赵林林沈光地邹德恕
- 关键词：MEMS
- 应用双电场减小阳极键合过程中MEMS器件可动部件的损伤(英文)被引量：3
- 2004年
- 提出了采用双电场对硅 /玻璃进行阳极键合的方法 .采用这种方法 ,能够有效地避免和减少键合过程中的静电力对 MEMS器件的可动敏感部件的损伤和破坏 ,同时实验结果也验证了该方法 .
- 杨道虹徐晨沈光地
- 关键词：微电子机械系统阳极键合
- 激光在MEMS键合技术中的应用被引量：3
- 2004年
- 键合技术已经广泛地应用于微电子机械系统(MEMS)领域,但传统的键合技术由于其缺点,限制了其应用范围,而激光以其独特的优势在键合技术中得到了人们的重视。文章介绍了激光在键合技术中的应用及其原理,以及今后发展的方向。
- 杨道虹董典红徐晨张剑铭阳启明沈光地
- 关键词：微电子机械系统硅直接键合激光
- 一种新颖的低温硅片直接键合技术
- 提出一种使用CF4等离子体激活处理硅片表面来降低退火温度的低温硅片直接键合新方法。硅片用CF4等离子体激活处理,经过亲水处理预键合后,再在N2保护下进行40h 300℃的热处理,硅片的键合强度达到了体硅本身的强度。
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- 关键词：等离子体
- 文献传递
- 金硅共晶键合在微机械Golay-cell红外探测器中的应用被引量：1
- 2005年
- 利用硅微机械加工技术制备微机械Golay-cell红外探测器硅可动敏感薄膜,探测器气室由带薄膜结构硅片与带孔结构硅片键合密闭形成,气室中敏感气体吸收红外辐射而膨胀,使硅膜产生形变,借助硅膜电极板与金属电极板形成的平行板电容反映该形变变化量.运用Si/Ti/Au/Au/Ti/Si实现对探测器的金/硅共晶键合封装,形成气室,制备出探测器样品并初步得到响应.该键合方法能够进行选择区域键合,实验证明键合强度达到体硅强度.
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- 关键词：红外探测器共晶键合
- 一种新颖的低温硅片直接键合技术被引量：1
- 2005年
- 提出一种使用CF4等离子体激活处理硅片表面来降低退火温度的低温硅片直接键合新方法.硅片用CF4等离子体激活处理,经过亲水处理预键合后,再在N2保护下进行40h 300℃的热处理,硅片的键合强度达到了体硅本身的强度.
- 徐晨霍文晓杨道虹赵慧赵林林沈光地
- 关键词：等离子体
- 硅腐蚀停止技术制备超薄硅膜中的分形现象被引量：3
- 2005年
- 利用浓硼扩散腐蚀停止技术制备自由悬空硅薄膜时 ,在薄膜的表面观察到了呈分形生长的反应生成络合物聚集结构 .研究表明 ,薄膜表面的生成物的分形属于典型的有限扩散集团凝聚模型 ,其分形维数值约为 1 6 6 7.实验还发现 。
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- 关键词：分形扫描电镜分形维数
- 一种适用于薄膜结构的静电键合方法
- 针对带弹性敏感薄膜结构的微机械器件的硅/玻璃静电键合,介绍了一种有效的方法——局部电场屏蔽法,在键合过程中屏蔽弹性敏感薄膜所在位置的电场,使薄膜结构不受静电力的影响,从根本上解决了薄膜受静电吸引力而产生形变,与玻璃贴合甚...
- 赵慧徐晨霍文晓赵林林沈光地邹德恕
- 关键词：MEMS
- 文献传递
- 硅超薄可动悬空薄膜的弹性模量测试分析被引量：4
- 2005年
- 利用纳米硬度计通过对超薄悬空薄膜的弯曲试验来测定硅可动悬空薄膜的弹性模量。硅悬空薄膜采用各向异性湿法腐蚀自停止技术制备。纳米硬度计测试方法精确测量了硅悬空薄膜的弯曲形变。试验研究表明,尺寸为2mm×1μm的硅悬空薄膜的弹性模量平均值为152GPa,差异为3.9%-6.8%。
- 赵林林徐晨霍文晓赵慧杨道虹沈光地
- 关键词：微电子机械系统杨氏模量
