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中国科学院知识创新工程(KGCX2-SW-107)
作品数:
1
被引量:5
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相关作者:
陈延湖
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2006
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C波段3.5W/mm,PAE>40%的InGaP/GaAs HBT功率管
被引量:5
2006年
通过优化InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)的材料结构和器件结构,采用BE金属自对准、发射极镇流和电镀空气桥等工艺技术,研制了C波段InGaP/GaAsHBT功率管.其击穿电压BVCBO大于31V,BVCEO大于21V;在5.4GHz时连续波(CW)饱和输出功率达到1.4W,功率密度达到3.5W/mm,功率附加效率(PAE)大于40%.
申华军
陈延湖
严北平
葛霁
王显泰
刘新宇
吴德馨
关键词:
INGAP/GAAS
异质结双极晶体管
功率管
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