福建省农科院青年科技人才创新基金(2004J021)
- 作品数：7 被引量：29H指数：5
- 相关作者：李成赖虹凯陈松岩林桂江余金中更多>>
- 相关机构：厦门大学中国科学院筑波大学更多>>
- 发文基金：福建省农科院青年科技人才创新基金国家自然科学基金福建省科技重点项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 带有Bragg反射镜的谐振腔增强型Si光电探测器被引量：5
- 2006年
- 采用电子束蒸发和键合技术,制作了具有高反射率的、表面为薄层单晶Si的分布Bragg反射器。用标准光刻工艺在单晶Si薄层上制作出窄带谐振腔增强型(RCE)金属-半导体-金属(MSM)光电探测器,响应峰值波长分别在836、900、965和1 030 nm处,其中在900 nm处峰值半高宽为18 nm。该器件具有波长选择特性,可有效抑制相邻频道间的串扰,而且容易制成集成面阵。
- 李成赖虹凯陈松岩王启明
- 关键词：谐振腔键合
- 微波大功率SiGe HBT的研究进展及其应用被引量：7
- 2005年
- 文章论述了SiGe异质结双极晶体管(HBT)在微波功率领域应用的优势,详细介绍了微波功率SiGe HBT的结构设计方法,以及主要影响器件性能的材料和结构因素,评述了其最新进展及今后发展方向。
- 徐剑芳李成赖虹凯
- 关键词：SIGE异质结双极晶体管微波大功率
- 电致发光谱测量β- FeSi_2-Si异质结载流子限制(英文)
- 2005年
- 设计了一种将 β FeSi2 颗粒埋入非故意掺杂Si中的Sip π n二极管来确定 β FeSi2 Si异质结的能隙差 .当二极管处于正向偏置时 ,通过Sin p-结注入的电子扩散到 β FeSi2 并由于Si与 β FeSi2 之间的能隙差而受到限制 ,电荷在异质结的积累反过来阻挡了电子的继续扩散 ,将电子局域化在靠近Sin p-结的 p- Si区 .少子的局域化减少了非辐射复合的途径 ,Si和β FeSi2 的发光增强 ,淬灭速率变慢 ,在室温低电流下仍可得到Si和 β FeSi2 电致发光 .Si和 β FeSi2 发光强度的比率对温度的依存性表明同型异质结对电子限制能力的减弱符合热发射模型 ,由此确定出Si和 β FeSi2 异质结导带带阶差为 0 2eV .
- 李成末益崇长谷川文夫
- 关键词：电致发光
- 太赫兹Si/SiGe量子级联激光器的能带设计被引量：5
- 2006年
- 使用nextnano^3模拟软件计算Si／Si1-xGex／Si量子阱的能带结构，对Si／SiGe量子级联激光器有源区的能带结构进行设计，结果表明使用Ge组分为0．27～0．3，量子阱宽度为3nm的SiGe合金与垒宽为3nm的Si层构成对称应变级联异质结构，有利于优化THz Si／SiGe量子级联激光器结构。
- 林桂江赖虹凯李成陈松岩余金中
- 关键词：SI/SIGE量子级联激光器
- Si/SiGe量子级联激光器的能带设计被引量：5
- 2007年
- 详细论述Si/SiGe量子级联激光器的工作原理,通过对比找到一组合适的Si,Ge和SiGe合金的能带参数,进而应用6×6k.p方法计算了不同阱宽、不同Ge组分Si/Si1-xGex/Si量子阱价带量子化的空穴能级本征值及其色散关系,分析Si/Si1-xGex/Si量子阱空穴态能级间距随阱宽和组分的变化规律,最后应用计算结果讨论了Si/SiGe量子级联激光器有源区的能带设计,有益于优化Si/SiGe量子级联激光器结构.
- 林桂江周志文赖虹凯李成陈松岩余金中
- 关键词：量子级联激光器
- Ge组分对SiGe HBT直流特性的影响被引量：2
- 2008年
- 制作了基区Ge组分分别为0.20和0.23的多发射极指数双台面结构SiGe异质结双极型晶体管(HBT)。实验结果表明,基区Ge组分的微小增加,引起了较大的基极复合电流,但减小了总的基极电流,提高了发射结的注入效率,电流增益成倍地提高。Ge组分从0.20增加到0.23,HBT的最大直流电流增益从60增加到158,提高了约2.6倍。
- 张永李成赖虹凯陈松岩康俊勇成步文王启明
- 关键词：锗硅合金异质结双极型晶体管直流特性
- 硅基波导共振增强型光电探测器的设计与模拟被引量：6
- 2006年
- SiGe是间接带隙材料,吸收系数非常小,因而SiGe探测器在红外波段的量子效率很低.本文提出一种新型的探测器结构,即波导共振增强型光电探测器,该器件主要由两个介质布拉格反射镜和波导吸收区构成,器件尺寸较传统波导型探测器大为减小,吸收区的长度不受SiGe临界厚度的限制,实现了量子效率和响应速度的优化.本文在数值模拟的基础上,对器件结构进行了优化设计,结果表明7·6μm长的波导探测器可以得到20%以上的量子效率.
- 陈荔群李成
- 关键词：探测器
- 不同发射极指数的SiGe HBT直流特性分析
- ＜正＞SiGe HBT 具有良好的频率特性和功率特性,已经在微波领域和无线通信中得到了广泛的应用。但是,在大功率应用中,HBT 器件由于承载较大的电流而引起发射极电流集边效应和自加热等效应, 通常将器件的发射极设计为义指...
- 张永徐剑芳陈荔群蔡坤煌李成赖虹凯陈松岩康俊勇成步文王启明
- 文献传递
