国家自然科学基金(60277019)
- 作品数：4 被引量：17H指数：3
- 相关作者：李金华袁宁一谢建生陈汉松周懿更多>>
- 相关机构：江苏工业学院中国科学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 微测辐射热计的红外热响应模拟被引量：5
- 2006年
- 利用有限元法对微桥结构的测辐射热计进行了二维热模拟.定量地分析了探测单元的大小尺寸、支撑层的厚度,支撑臂的长度和宽度、引线材料的选取等对微测辐射热计探测单元在红外辐射下温度的变化和热响应的快慢情况.评估了真空封装对微测辐射热计红外响应的影响.同时作为比较对平板空腔结构的红外探测器也进行了分析.
- 袁宁一李格李金华陈效双
- 关键词：微测辐射热计有限元
- 用掺杂方法改变VO_2多晶薄膜相变温度研究被引量：6
- 2005年
- 用离子束增强沉积方法对二氧化钒多晶薄膜作Ar和W掺杂,明显改变了二氧化钒薄膜的相变温度。研究表明,成膜时注入的氩在二氧化钒结构形成前就很快外释,掺杂Ar对相变温度降低的贡献主要来自间隙Ar。W原子的掺杂可有效地将二氧化钒多晶薄膜的相变温度降低到室温附近,为大幅提高薄膜的室温电阻-温度系数提供了可能。
- 谢建生李金华袁宁一陈汉松周懿
- 关键词：二氧化钒薄膜掺杂改性相变
- 离子束增强沉积掺杂氧化钒薄膜的最佳退火条件被引量：1
- 2005年
- 用离子束增强沉积方法制备掺杂Ar和W的VO2多晶薄膜,明显改变了VO2薄膜的相变温度。试验发现,薄膜存在一个形成VO2结构的临界结晶温度,该温度随薄膜制备时沉积条件的不同而改变。选择适当的杂质和退火条件可以将VO2薄膜的相变温度降低到室温附近,获得较高室温电阻温度系数的薄膜。
- 谢建生李金华袁宁一
- 关键词：氧化钒薄膜退火离子束增强沉积
- 钽掺杂对二氧化钒多晶薄膜相变特性的影响被引量：5
- 2010年
- 将Ta2O5与V2O5均匀混合,压制成溅射靶,用离子束增强沉积方法在二氧化硅衬底上沉积掺Ta氧化钒薄膜。在氮气中适当退火,形成掺杂二氧化钒多晶薄膜。X射线衍射结果显示,薄膜具有单一的(002)取向。XPS测试表明,膜中V为+4价,Ta以替位方式存在。温度-电阻率测试表明,薄膜具有明显的相变行为,原子比为3%的Ta掺杂后,二氧化钒多晶薄膜相变温度降低到约48℃。Ta原子的半径大于V原子的半径,Ta的掺入在薄膜中引入了张应力;5价Ta替代4价V,在d轨道中引入多余电子,产生施主能级,这些是掺钽二氧化钒多晶薄膜相变温度降低的原因。
- 付学成李金华谢建生袁宁一
- 关键词：二氧化钒薄膜离子束增强沉积
