国家重点基础研究发展计划(2002CB613306)
- 作品数：18 被引量：142H指数：6
- 相关作者：李效民周济于伟东高相东崔学民更多>>
- 相关机构：中国科学院清华大学广西大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划上海市科学技术发展基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术化学工程电气工程更多>>
- 低温共烧陶瓷无源集成技术及其应用被引量：16
- 2005年
- 低温共烧陶瓷技术是近年发展起来的令人瞩目的整合组件技术,已经成为无源集成的主流技术,成为无源元件领域的发展方向和新元件产业的经济增长点。介绍了目前 LTCC 无源集成技术及其国内外研究动态和应用前景。
- 王悦辉周济崔学民沈建红
- 关键词：低温共烧陶瓷无源集成集成技术无源元件组件技术陶瓷技术
- 脉冲激光沉积法生长In掺杂SrTiO3薄膜及其微观结构研究被引量：4
- 2008年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)方法在MgO/TiN/Si(100)衬底上,生长不同In掺杂量的SrIn_xTi_(1-x)O_3(x=0、0.1、0.2)薄膜,研究In掺杂及本征SrTiO_3(STO)缓冲层对薄膜结晶性能、表面形貌、生长模式及紫外拉曼光谱特性的影响.结果表明,In掺杂导致薄膜结晶度降低,通过引入本征STO缓冲层可有效提高In掺杂STO薄膜的结晶度,增强薄膜的(200)择优取向性.然而随In掺杂量的增加,薄膜表面平均粗糙度增大;生长模式由层状生长转变为岛状-层状复合模式;拉曼一次声子振动模式峰强逐渐增强,说明薄膜的晶体对称性降低.
- 张亦文李效民赵俊亮于伟东高相东吴峰
- 关键词：脉冲激光沉积法SRTIO3薄膜缓冲层结晶度
- La-Nb双施主掺杂BaTiO_3陶瓷的研究被引量：4
- 2005年
- 采用固相法进行La2O3和Nb2O5两种施主添加剂复合掺杂(Ba1-xLa2x/3)(Ti1-xNb4x/5)O3陶瓷改性研究.研究结果表明,La-Nb双施主掺杂(Ba1-xLa2x/3)(Ti1-xNb4x/5)O3陶瓷烧结体晶相为准立方相.当x=0.05时,陶瓷烧结体内存在Ba6Ti17O40富钛的第二相.当x>0.2时,Ba3La3Ti5Nb5O30固溶体作为第二相析出.随着La-Nb双施主掺杂剂掺量的增加,晶粒尺寸减小,介电常数下降,介电常数随温度变化率降低,表现明显的移峰、展峰作用.
- 王悦辉王婷石士考沈建红周济
- Al2O3对低温共烧介电材料性能和微观结构的影响
- 本文以氧化物组分为主,经过750℃煅烧,成功制备了Ba-Ti-B-Si-O玻璃陶瓷,烧结温度为900℃左右的低温共烧陶瓷组合材料,其性能为:1MHz时相对介电常数εr在10左右,介质损耗系数tanδ在2.0×1...
- 崔学民周济沈建红缪春林
- 关键词：低温共烧陶瓷玻璃陶瓷AL2O3介电损耗微观结构
- 衬底温度对ZnO薄膜生长过程及微观结构的影响研究被引量：16
- 2004年
- 以醋酸锌水溶液为前驱体,采用改进的超声喷雾热解法在Si(100)衬底上沉积ZnO薄膜,以X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等手段分析所得ZnO薄膜的晶体结构和微观形貌,着重考察了衬底温度对ZnO薄膜生长过程及微观结构的影响.结果表明,在衬底温度为500℃下所得ZnO薄膜表面均匀光滑,属六方纤锌矿结构,且沿c轴择优生长,晶粒尺寸的为40～50nm;衬底温度对ZnO薄膜生长过程影响显著,随衬底温度的升高,薄膜生长速率存在一极限值,且ZnO薄膜的c轴取向趋势增强,晶粒尺寸得到细化.
- 边继明李效民高相东于伟东
- 关键词：氧化锌
- 透明致密ZnO薄膜的恒电流沉积及生长过程研究被引量：5
- 2007年
- 采用阴极恒电流沉积方法,以Zn(NO3)2水溶液为电沉积液,在经电化学预处理后的ITO导电玻璃上生长了具有c轴高度择优取向、均匀致密的透明ZnO薄膜．采用X射线衍射、扫描电镜和光学透过谱等技术,对不同沉积时间条件下薄膜的结晶特性、表面和断面结构、光学性质等进行了研究．结果表明,沉积时间对ZnO薄膜质量影响明显:在薄膜生长后期(120min),ZnO薄膜的结晶性和表面平整度明显降低,晶粒尺寸增大,可见光透过率下降,表明高质量ZnO薄膜的电化学沉积有一最佳生长时间;此外,薄膜厚度随时间呈线性变化,表明可通过生长时间实现对ZnO薄膜厚度的精确控制．
- 彭芳李效民高相东于伟东邱继军
- 关键词：ZNO薄膜电沉积预处理微观结构
- Si(100)衬底上PLD法制备高取向度AlN薄膜被引量：8
- 2005年
- 采用脉冲激光沉积法(PLD),以KrF准分子为脉冲激光源,Si(100)为衬底,同时引 入缓冲层TiN和Ti0.8Al0.2N,制备了结晶质量优异的A1N薄膜,X射线衍射(XRD)及反射 式高能电子衍射(RHEED)分析表明A1N薄膜呈(001)取向、二维层状生长.研究发现,薄膜 的生长模式依赖于缓冲层种类,直接在Si衬底上或MgO／Si衬底上的A1N薄膜呈三维岛状生 长;而同时引入缓冲层TiN和Ti0.8Al0.2N时,A1N薄膜呈二维层状生长.此外,激光能量密 度大小对A1N薄膜的结晶性有显著的影响,激光能量密度过大,薄膜表面粗糙,有颗粒状沉积 物生成.在氮气气氛中沉积,能使薄膜的取向由(001)改变为(100).
- 张霞陈同来李效民
- 关键词：脉冲激光沉积ALN薄膜缓冲层
- 连续离子层吸附与反应法(SILAR)生长ZnO多晶薄膜的研究被引量：6
- 2004年
- 采用连续离子层吸附与反应法(SILAR),以锌氨络离子([Zn(NH_3)_4]^(2+))为前驱体溶液,在玻璃衬底上沉积了ZnO薄膜,以XRD和SEM等手段分析了薄膜的晶体结构和表面、断面形貌,考察了空气气氛下的退火过程对ZnO薄膜晶体结构与微观形貌的影响,并初步探讨了以SILAR方法沉积ZnO薄膜的机理.结果表明,经200次SILAR沉积循环,所得ZnO薄膜为红锌矿结构的多晶薄膜,沿<002>方向择优生长;薄膜表面致密、光滑均匀,厚度约800nm.退火处理使ZnO薄膜氧缺位减少,晶粒沿c轴取向增强;随退火温度升高,锌间隙原子增加;500℃退火时,ZnO薄膜发生再结晶.减小前驱体溶液的[NH_3·H_2O]/[Zn^(2+)]比率可提高ZnO薄膜生长速率.
- 高相东李效民于伟东
- 关键词：ZNO
- BaO-TiO_2-B_2O_3-SiO_2体系LTCC介电性能的研究被引量：2
- 2007年
- 利用预煅烧法制备了BaO-TiO2-B2O3-SiO2体系低温共烧陶瓷（简称LTCC）材料，其烧结温度在900℃以下，介电常数在4～20之间随组成变化而调节，介电损耗能保持在0．002左右的水平；研究发现，玻璃陶瓷材料的原始组成、烧结体致密度和电场频率等是影响介电常数的主要因素；而影响介电损耗大小的相关因素比较复杂，本文研究认为材料的原始相组成、烧结体相组成、体电阻率、温度及电场频率等因素起主要作用；研究结果进一步表明，LTCC烧结体的介电损耗与烧结致密度没有明显的联系。
- 崔学民邱树恒童张法周济
- 关键词：LTCC介电常数介电损耗
- 低温共烧陶瓷(LTCC)材料的应用及研究现状被引量：52
- 2005年
- 主要概述了低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramics,简称 LTCC)材料的应用和研究现状,认为利用低温共烧陶瓷技术将多种元器件复合或将其集成在多层陶瓷基板中是今后信息功能陶瓷发展的一个重要方向,在我国应大力发展具有自主知识产权的 LTCC 技术。
- 崔学民周济沈建红缪春林
- 关键词：低温共烧陶瓷多层陶瓷基板LTCC技术功能陶瓷陶瓷技术
