国家教育部博士点基金(20050335036)
- 作品数：5 被引量：26H指数：2
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- 相关机构：浙江大学杭州电子科技大学更多>>
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- 利用HRXRD和UV-Vis反射光谱确定AlGaN/GaN/Al2O3的结构与成分被引量：1
- 2008年
- 结合紫外-可见光谱和高分辨XRD两种测试方法,无损、可靠地确定了AlGaN/GaN HEMT结构内各层的厚度、成分、应力等参数,解决了高分辨XRD无法同时确定成分与应力的难题。这两种方法的好处是样品不需经过特殊的处理,也不需进行切割、减薄等工艺,具有快速、无损、准确的特点,可以作为AlGaN/GaNHEMT器件的筛选工具,提高器件的成品率、降低生产成本。
- 季振国冯丹丹席俊华毛启楠袁苑郝芳陈敏梅
- 关键词：X射线衍射无损检测
- 基于柱状ZnO薄膜的超低阈值电压压敏电阻被引量：6
- 2009年
- 利用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了基于柱状ZnO薄膜的Al-ZnO-Al三明治结构的超低阈值电压的压敏电阻。XRD和SEM测试结果表明,该压敏电阻中的ZnO薄膜层为结晶性能良好,并且沿ZnO的(002)晶面择优取向生长的柱状薄膜。I-V测试结果表明,这种由柱状ZnO薄膜构成的压敏电阻阈值电压仅3.2 V,为现有压敏电阻中阈值电压最低的压敏电阻。
- 季振国黄东席俊华柯伟青周荣富
- 关键词：氧化锌压敏电阻
- 掺Mn硅酸锌薄膜中微量氧化锌对发光强度的影响被引量：2
- 2006年
- 利用溶胶-凝胶法结合高温热处理在硅衬底上制备了掺Mn硅酸锌薄膜,用XRD、SEM、UV-Vis吸收谱和PL谱测试了样品的结晶性能与光学性能,并分析了热处理温度对掺Mn硅酸锌薄膜的结晶性能和光学性能的影响．实验结果发现,ZnO的适量存在对掺Mn薄膜的发光有增强作用．进一步的分析认为,这一现象的机理可由G．G．Qin提出的量子约束-发光中心(QCLC)模型进行解释,ZnO中受激发的电子和空穴通过隧穿效应到达硅酸锌基体中复合发光,从而增强发光强度．
- 席俊华季振国刘坤王超杜鹃
- 关键词：硅酸锌氧化锌光致发光
- 柔性衬底PET上低温沉积ZnxCd(1-x)O透明导电薄膜被引量：2
- 2008年
- 利用直流反应磁控溅射在柔性衬底(聚乙烯对苯二酸脂,PET)上低温沉积了对可见光透明的低电阻率的Zn_xCd_(1-x)O薄膜,并研究了Zn含量x对Zn_xCd_(1-x)O薄膜的结晶性能、电学性能及光学性能的影响.XRD分析结果表明,当x<0.65时,薄膜为CdO结构,但x>0.65时,薄膜为高度取向的ZnO结构.Hall效应测试显示,当x≤0.5时,薄膜的载流子浓度很高,电阻率为10^(-3)Ω·cm的数量级;迁移率随x增加先增大,在x=0.5处达到极大值,然后随x的增加而降低.紫外可见透射谱表明,掺Zn后的Zn_xCd_(1-x)O薄膜在整个可见光波段内的透过率远远高于纯CdO薄膜的透过率.综合分析结果表明,x=0.5是低温制备的低阻、高透光性能薄膜的最佳Zn含量.
- 季振国陈敏梅张品周强
- 关键词：直流磁控溅射柔性衬底透明导电膜
- Ⅲ族元素掺杂对SnO_2电子结构及电学性能的影响被引量：15
- 2007年
- 采用密度泛函理论研究了Ⅲ族元素掺杂对SnO2电子结构及电学性能的影响.态密度分析结果表明,以替代位存在的Ⅲ族杂质均使SnO2的费米能级明显向低能态方向移动,使得价带顶不完全填满,因此在SnO2中均充当受主作用.部分态密度分析结果表明,相对于掺Al的SnO2,Ⅲ族元素中的Ga及In对费米能级附近态密度贡献较大,其主要贡献来自Ga3d态或In4d态,这预示着在SnO2中掺Ga或In能实现更好的p型掺杂效果.电离能计算结果进一步表明,在Al,Ga及In三种元素中,替位In有最小的电离能(0.06eV),这说明其在SnO2中能形成最浅的受主能级,因而在同等掺杂情况下,可引入最高浓度的空穴,从而实现最佳的p型掺杂效果.
- 杜娟季振国
- 关键词：密度泛函理论SNO2电子结构
