国家自然科学基金(10564003)
- 作品数：8 被引量：15H指数：3
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- 界面效应对GaN/Ga_(1-x)Al_xN量子点中杂质态的影响
- 2007年
- 在有效质量近似下采用变分法以及界面处导带弯曲用三角势近似,研究了氮化物半导体GaN/Ga1-xAlxN材料中杂质态的结合能随量子点尺寸及电子面密度的变化关系.结果表明,导带弯曲对结合能的影响不容忽视.当电子面密度较大时候,随着量子点尺寸的增大,杂质态结合能随电子面密度的增大呈线性变化,而在电子面密度较大时,结合能随着量子点半径的增加而迅速减小,且在某个尺寸附近出现极小值,然后缓慢增大.与其不同的是,对Zn1-xCdxSe/ZnSe结构,结合能则随着量子点半径的增加呈现非线性单调减小.
- 张敏闫祖威
- 关键词：量子点结合能
- 压力下GaN/Ga_(1-x)Al_xN量子点中杂质态的界面效应被引量：3
- 2009年
- 考虑界面处导带弯曲,流体静压力以及有效质量随量子点位置的依赖性,采用变分法以及简化相干势近似,研究了无限高势垒GaN/Ga1-xAlxN球形量子点中杂质态的界面效应,计算了杂质态结合能随量子点尺寸、电子面密度以及压力的变化关系。结果表明,结合能随压力的增大呈线性增加的趋势,有效质量位置的依赖性以及导带弯曲对结合能有不容忽视的影响。
- 张敏闫祖威
- 关键词：量子点结合能
- GaN球形量子点中类氢杂质态的二次斯塔克效应被引量：2
- 2008年
- 在有效质量近似下,利用微扰—变分法研究了GaN球形量子点中类氢杂质态的二次斯塔克效应.计算了杂质态结合能随量子点半径和外加电场强度的变化关系.数值结果表明,随量子点尺寸和外加电场强度的增加,基态能和结合能均单调降低.此外,随着量子点半径的增大,斯塔克效应变得越来越明显.结果还表明在同一外电场下,球形量子点中杂质态的斯塔克能移较无杂质时导带电子的斯塔克能移小.
- 皇甫艳芳闫祖威
- 关键词：杂质态电场强度结合能斯塔克效应
- 外磁场下电子-声子相互作用对球形量子点杂质态的影响
- 2008年
- 在有效质量近似下,采用变分法研究了外磁场下球形量子点中的施主杂质基态结合能随量子点半径和磁感应强度的变化关系.考虑电子与体纵光学声子和表面光学声子相互作用,计算了施主杂质态结合能随杂质位置和量子点半径的变化.数值结果表明,结合能随量子点尺寸减小和外加磁感应强度的增强单调增加,且基态结合能明显依赖于杂质位置和电子-声子相互作用.
- 王利福闫祖威
- 关键词：量子点电子-声子相互作用结合能
- 压力下应变异质结中施主杂质态的Stark效应被引量：4
- 2008年
- 对应变GaN/AlxGa1-xN异质结系统,考虑理想界面突变势垒,引入简化相干势近似,采用变分法讨论了流体静压力下外界电场对束缚于界面附近的浅杂质态结合能的影响.对GaN为衬底的闪锌矿应变异质结,分别计算了(001)和(111)取向时杂质态的结合能随压力、杂质位置、电场强度以及组分的变化关系.结果表明,杂质态结合能随流体静压力呈近线性变化.电场对杂质态的Stark效应则随杂质位置不同而呈现谱线蓝、红移动.此外,还讨论了在不同压力情况下,Al组分对杂质结合能的影响.当杂质处于GaN材料中且距界面较远时,Al组分的增加使电子的二维特性增强,从而使结合能增大,且压力加剧增幅的增加;当杂质处于AlxGa1-xN材料中,Al组分的增加削弱了杂质与电子间的库仑相互作用,故而结合能降低.
- 张敏班士良
- 关键词：杂质态STARK效应
- 纤锌矿氮化物半导体椭球形量子点杂质态被引量：3
- 2009年
- 考虑纤锌矿结构氮化物半导体材料的单轴异性后,在有效质量近似下,利用变分法研究了无限高势垒近似下GaN,AlN和InN椭球形量子点中的杂质态,导出了杂质态结合能随量子点半径和椭球率变化的关系.数值计算结果发现,杂质态结合能随着量子点半径和椭球率的增加而减小.
- 石磊闫祖威
- 关键词：杂质态结合能
- 纤锌矿结构的GaAlN/GaN量子阱中电子激发态极化的压力效应(英文)
- 2007年
- 研究了GaN/GaAl N量子阱内电子的激发态极化(EESP)的压力效应,计算中考虑了纤锌矿结构材料的晶格常数、形变势的各向异性,以及内建电场(IEF)的作用.结果表明:电子势垒高度随压力下降;电子基态有效质量随压力下降而电子的第一激发态有效质量随压力上升;EESP强度随压力缓慢上升;电子极化的偶极矩随Al浓度非线性下降.一般情况下,EESP对IEF的影响可忽略,但当掺杂浓度n足够大(n>1019/cm3)时,EESP可屏蔽IEF.
- 吴晓薇杨瑞芳郭子政阎祖威
- 关键词：半导体内建电场静压
- 纤锌矿氮化物半导体束缚极化子及压力效应被引量：4
- 2008年
- 考虑到纤锌矿结构的氮化物半导体材料的单轴异性,采用变分法研究了两支异常光学声子LO-like和TO-like对杂质态结合能的影响,即极化子效应.计及电子有效质量,材料介电常数及晶格振动频率随流体静压力的变化,讨论了束缚极化子结合能的压力效应.数值结果表明,极化子效应使杂质态结合能明显降低,极化子效应的主要贡献来自杂质态与LO-like声子的相互作用.压力使得结合能增加,且增强了结合能的各向异性.
- 薛亚光闫祖威皇甫艳芳
- 关键词：结合能极化子氮化物半导体
