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AgGa_(1-x)In_xSe_2晶体热处理研究被引量：2: 2011年; 结合差示扫描量热曲线（DSC）和相图确定出热处理的温度范围。分别在真空和AgGa1-xInxSe2（x=0.2,0.6,0.8）多晶粉末包埋下,对AgGa0.4In0.6Se2晶体进行了热处理实验,分析了热处理对晶体性能的影响。结果表明：用x=0.6和0.8的多晶粉末包埋,在680℃下保温120 h后再淬火处理的晶片,其红外透过率在550~5500 cm-1波数范围内整体提高到65%以上,光学质量显著提高;EDX和XRD分析表明,采用AgGa0.2In0.8Se2多晶粉末包埋,能够补充晶片中的In缺失,成分更接近AgGa0.4In0.6Se2化学计量比,同时晶片结晶质量也得到明显改善。; 许建华赵北君朱世富陈宝军何知宇万书权; 关键词：红外透过率热分析

AgGa_(0.6)In_(0.4)Se_2晶体的制备与表征: 2011年; 以高纯单质为原料,按AgGa1-xInxSe2（x=0.4）化学计量配比配料（富1%Se）,在双层石英安瓿中,用机械和温度振荡相结合的方法,合成出高纯单相多晶料。差热分析表明,其熔点和凝固点分别为804.3℃和775.6℃。采用带有籽晶袋、内壁镀碳的双层石英安瓿,用改进的垂直布里奇曼法生长出尺寸为Φ20 mm×60 mm、结构完整的AgGa0.6In0.4Se2单晶体。经X射线衍射仪和红外分光光度计等分析表明,晶体为黄铜矿结构,晶格常数为a=0.602 32 nm,c=1.118 33 nm,其显露面和易解理面为（112）面;厚度约为2 mm的晶片在波长0.836~19.65μm范围内透过率接近或超过60%,禁带宽度约为1.48 eV。结果表明,改进方法生长的AgGa1-xInxSe2晶体的结构完整,光学质量高,可用于中远红外非线性光学器件制备。; 万书权朱世富赵北君陈宝军何知宇许建华刘勇; 关键词：单晶性能表征光学材料

AgGa1-xInxSe2晶体器件的定向加工: AgGa1-xInxSe2晶体是一种性能优异的中远红外非线性光学晶体,黄铜矿结构,42m点群。AgGa1-xInxSe2晶体非线性系数大,随X的不同,非线性光学系数d36在392.4pm/V之间变化。AgGa1-xInx...; 龙勇赵北君朱世富何知宇陈宝军万书权王莹; 文献传递

AgGa_(1-x)In_xSe_2晶体退火改性研究被引量：1: 2008年; 采用改进布里奇曼法生长出外观完整的AgGa1-xInxSe2（x=0.2）单晶锭,晶体的红外透过率低,不能直接用于红外非线性光学器件制备。采用TA公司生产的SDTQ-600热分析仪进行DSC-TGA测试,发现其熔点为826.69℃,结晶点为750.86℃,总失重约为3.9217%。采用同成份粉末源包裹晶体,在抽空封结后进行退火处理。退火处理后晶体的红外透过率有明显改善。在4000 cm^-1～7000 cm^-1范围内红外透过率由原先低于25%改进到高于40%;在750 cm^-1～4000 cm^-1范围的红外透过率由原先低于45%改善到超过50%,在2000 cm^-1～750 cm^-1区域甚至高达60%。结果表明：采用同成分粉末源包裹,在抽空封结后退火处理能有效提高AgGa1-xInxSe2晶体的红外透过率,改善晶体的光学均匀性,退火后的晶体适合红外非线性光学器件制备。; 万书权朱世富赵北君黄毅朱伟林徐承福何知宇陈宝军赵国栋; 关键词：退火处理差热分析红外透过率

硒铟镓银晶体中二相沉淀物研究被引量：1: 2013年; 应用金相显微镜、能量色散谱仪、X射线衍射仪等对AgGa0.8In0.2Se2晶体中的二相沉淀物进行了观察、测试和分析,发现呈梭状的二相沉淀物存在明显Ag含量缺失。根据EDS测试结果和差热实验数据研究了消除该二相沉淀物的热处理方案,即在含有Ag2Se组分的AgGa0.8In0.2Se2多晶混合粉末包埋下,对AgGa0.8In0.2Se2晶体进行淬火处理。结果表明:用含有1.26wt%Ag2Se的同成分多晶混合粉末包埋,在720℃下保温120 h后经淬火处理的晶片,梭状二相沉淀物得到很好的消除,红外透过率得到显著提高。; 赵玲赵北君朱世富陈宝军何知宇许建华吴莉姝沙铭雨王文阳; 关键词：红外透过率 X射线衍射分析

AgGa_(1-x)In_xSe_2晶体的蚀坑研究: 2009年; 晶体的质量是其元器件制备的关键之一,蚀坑密度(EPD)的观测是检验晶体质量的一个重要方法.用改进的Bridgman法生长出AgGa1-xInxSe2(x=0.2)单晶,通过化学腐蚀和金相显微镜研究了(101)晶面蚀坑的形貌、分布特征及其密度的大小.结果表明:采用HNO3:HCl=1:2.5的配方,在室温下腐蚀5min,获得了较好的梯形蚀坑.发现晶体的缺陷主要是位错,并初步讨论了蚀坑的成因及其克服的措施,为高质量晶体元件的制备奠定了基础.; 马杰华朱世富赵北君赵国栋杨帆陈宝军何知宇; 关键词：金相显微镜

硒铟镓银单晶生长过程中In分凝现象研究: 采用Bridgman法生长出尺寸为Φ15mm×45mm外表无裂纹的AgGa1-xInxSe2单晶体,XRD测试表明其峰值尖锐无杂峰。沿晶体生长方向分别于籽晶带、放肩、主体部位取三块不同位置的单晶片做EDX测试,发现其中I...; 杨帆赵北君朱世富赵国栋马杰华万书权陈宝军何知宇; 关键词：单晶体分凝系数; 文献传递

中远红外非线性光学晶体AgGaS_2、AgGaSe_2和AgGa_(1-x)In_xSe_2研究进展被引量：8: 2012年; 综合报道了本实验室关于黄铜矿类I-III-VI2型系列晶体的研究进展。采用两温区气相输运温度振荡法合成出高纯、单相、致密的多晶材料,在三温区立式炉中用坩埚旋转下降法生长出AgGaS2、AgGaSe2和AgGa1-xInxSe2等系列单晶体,X射线单晶衍射谱和回摆谱表明晶体的结晶性好,结构完整;红外透过率接近理论值,吸收系数低于0.017 cm-1,表明生长的晶体光学质量高。研究出一种新的能对AgGa1-xInxSe2晶体(112)晶面进行择优腐蚀的腐蚀剂:(30 g CrO3+10 mL H2O)∶H4PO4(85%)∶HNO3(65～68%)∶HF(40%)=10∶10∶10∶2(体积比),在60℃下腐蚀40 min,能够清晰地显示出AgGa1-xInxSe2晶体(112)面取向一致的三角形腐蚀坑,边界清晰,蚀坑密度大约为105/cm2数量级。采用自行研制的晶体定向切割新方法,加工出AgGa1-xInxSe2-OPO器件,获得了3～5μm的激光输出,光-光转换效率达21%。; 赵北君朱世富何知宇陈宝军; 关键词：AGGAS2 多晶合成单晶生长 OPO

AgGa_(1-x)In_xSe_2晶体的定向加工被引量：3: 2010年; 报道了一种AgGa1-xInxSe2晶体定向加工的新方法,即根据AgGa1-xInxSe2晶体自身解理面,结合晶体标准极图和X射线衍射仪,快速寻找AgGa1-xInxSe2晶体通光面并进行回摆精修的器件加工新方法。运用该方法,针对改进垂直Bridgman法自发成核生长的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)晶体,经定向切割、研磨和抛光,初步加工出AgGa1-xInxSe2(x=0.2)晶体光参量振荡(OPO)器件,其相位匹配角θm=54.71°、方位角φ=45°,元件尺寸达8mm×8mm×18mm。新方法不仅定向准确、操作简便,而且可以应用于不同In含量的系列AgGa1-xInxSe2晶体定向加工。; 龙勇赵北君朱世富何知宇陈宝军万书权王莹许建华; 关键词：X射线衍射分析

硒铟镓银单晶生长过程中In分凝现象研究: 2009年; 采用Bridgman法生长出尺寸为φ15mm×45mm外表无裂纹的AgGa(1-x)InxSe2单晶体,XRD测试表明其峰值尖锐无杂峰.沿晶体生长方向分别于籽晶带、放肩、主体部位取三块不同位置的单晶片做EDX测试,发现其中In含量与理论值不同,随晶体生长过程呈现递增趋势,分析表明是In的分凝结果所形成的.由上述部位XRD多晶粉末结构分析计算出的晶胞常数变化规律亦呈现递增趋势,与EDX实验结果一致.; 杨帆赵北君朱世富赵国栋马杰华万书权陈宝军何知宇; 关键词：单晶体分凝系数

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国家教育部博士点基金(20040610024)

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