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国家重点基础研究发展计划(61343010306)
作品数:
1
被引量:2
H指数:1
相关作者:
王庆艳
张中华
耿洪滨
李兴冀
何世禹
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相关机构:
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王庆艳
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年份
1篇
2011
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低能质子辐射硬质硼硅玻璃的模拟计算
被引量:2
2011年
为获得低能质子辐射时硬质硼硅玻璃的损伤特征,利用蒙特卡罗(MC)计算程序——SRIM模拟了入射质子在硬质硼硅玻璃中产生的电离和非电离能损.模拟结果表明:能量为40~200keV的质子损伤主要发生在表面;电离能损是能量损失的主要形式,峰值能量为80keV;非电离能损随能量降低而增大,导致氧、硅和硼等空位型缺陷的产生;空位分布与声子分布及慢化质子的沉积相同,均满足Bragg峰型分布特性.40~200keV质子的电离和非电离能损均会导致硬质硼硅玻璃微观结构的变化.
王庆艳
耿洪滨
李兴冀
张中华
何世禹
杨德庄
关键词:
硼硅玻璃
SRIM
能量损失
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