浙江省重点科技计划(2004C14004)
- 作品数：5 被引量：4H指数：2
- 相关作者：孙玲玲刘军徐晓俊胡江更多>>
- 相关机构：杭州电子科技大学浙江大学更多>>
- 发文基金：浙江省重点科技计划国防科技重点实验室基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- RF-CMOS建模:MOST在片测试结构寄生分析
- 2007年
- 提出了一种新的RF-CMOS晶体管在片测试结构寄生模型,模型综合考虑了射频/微波条件下RF-MOST器件在片测试结构中的各种寄生效应.模型考虑了PAD-互连金属、互连金属-DUT(device under test)之间的非连续性,对互连金属和基底之间的寄生效应单独进行了考虑.通过引入一个新的元件,对PAD结构基底感性损耗进行表征.模型最终应用到采用CSM(Chartered Semiconductor Manufacture Ltd)0.25μm RF-CMOS工艺制造的测试结构寄生效应等效电路建模中,高达40GHz测试和仿真数据验证了模型的良好精度.
- 刘军孙玲玲徐晓俊
- 关键词：RF-CMOS寄生效应
- Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT模型参数提取
- 2006年
- 对Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT模型本征集电极和发射极电流方程进行了改进,加强了模型的拟合能力.给出了HBT在零偏和冷偏下的等效电路模型,为精确提取基-射、基-集结本征和外围结电容,开发出一种新的、从零偏条件下测量所得S参数中直接提取本征、外部结电容的方法,该方法同时允许本征集电极电阻(Rci)的解析提取.运用该方法精确提取了一发射结面积为180μm2的GaAsHBT器件参数,验证结果表明,算法精度可达40GHz.
- 刘军孙玲玲
- RF-CMOS建模:面向低功耗应用的RF-MOSFET模型开发被引量：2
- 2007年
- 在EKVv2·6本征模型基础上发展出一种新的、可用于低压低功耗CMOSRFICCAD的RF-MOSFET模型,模型对栅氧化层寄生电阻以及有损基底损耗进行了考虑.在对晶体管零偏和线性工作态下等效电路进行分析的基础上,开发出新的解析提取RF-MOSFET器件射频寄生参数的算法.模型最终应用到采用CSM(CharteredSemiconductorManufactureLtd)0·25μmRF-CMOS工艺制造的一共源连接、8栅指(每指尺寸长L=0·24μm,宽W=9·58μm)n-MOSFET建模中,DC高达40GHz测量和仿真所得S参数对比结果验证了模型的良好精度.
- 刘军孙玲玲徐晓俊
- 关键词：低压低功耗
- Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT建模被引量：2
- 2005年
- Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT微波特性的精确建模对该类器件的微波功率应用极为重要.本文开发了一个可精确用于表征Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT直流、大、小信号特性的新模型,并可用于对HBT器件极为重要的自热效应的仿真.模型开发过程中对UCSDHBT模型和VBICBJT模型进行了借鉴,但新模型不同于以上两个模型.模型通过对比直流、S参数和功率测量结果进行验证.
- 刘军孙玲玲
- 关键词：小信号
- 共面波导不连续结构EC-ANN模型的电路设计与实现(英文)
- 2005年
- 将一种精确高效的等效电路训练人工神经网络模型引入共面波导不连续性结构建模.该建模算法继承了等效电路模型和电磁仿真人工神经网络模型的优点.此次开发并得到验证的共面波导不连续性结构模型包括:台阶段、叉指电容、对称十字节和螺旋电感.这些模型嵌入CAD仿真工具可以完成电路的设计、仿真和优化,最后通过一个GaAs工艺的共面波导带通滤波器的设计与实现验证了模型的有效性.
- 胡江孙玲玲
- 关键词：共面波导等效电路人工神经网络带通滤波器
