国家自然科学基金(61261004)
- 作品数：4 被引量：6H指数：2
- 相关作者：雷达陈雷锋王维彪梁静秋智颖飙更多>>
- 相关机构：内蒙古大学杭州电子科技大学中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
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- 一种平行栅碳纳米管阵列阴极的场发射特性研究被引量：3
- 2013年
- 建立一种平行栅碳纳米管阵列阴极,利用悬浮球模型和镜像电荷法进行计算,给出碳纳米管顶端表面电场与电场增强因子的解析式.在此基础上,进一步分析器件各类参数以及接触电阻对阴极电子发射性能的影响.分析表明,碳纳米管间距大约为2倍碳纳米管高度时阵列阴极的分布密度最佳,靠边缘部位的碳纳米管发射电子能力比其中心部位的大;除碳纳米管的长径比之外,栅极宽度和栅极间距也对电场增强因子有一定作用;接触电阻的存在大幅度降低碳纳米管顶端表面电场与发射电流,而接触电阻高于800 k时,器件对阳极驱动电压的要求更高.
- 雷达孟根其其格张荷亮智颖飙
- 关键词：接触电阻
- Modeling and simulation of field emission from a gated carbon nanotubes array
- To estimate the potential distribution and field-enhancement factor associated with a gated carbon nanotubes a...
- Da.LeiQiqige.MenggenHeliang.ZhangZhala.Wang
- 文献传递
- 一种带栅极碳纳米管阴极阵列的场发射性能研究被引量：3
- 2014年
- 研究碳纳米管与衬底之间的电学接触和器件结构尺寸的优化设计是提高碳纳米管冷阴极器件场发射特性的关键之一。本文利用镜像电荷法计算了一种背栅极碳纳米管阴极阵列的表面电场,给出碳纳米管顶端表面电场与接触电阻的关系,分析了接触电阻与栅极偏压对场发射电流、发射体顶端表面电场的影响。另外,还探究了最佳栅孔单元分布密度。结果表明,接触电阻大幅度降低了碳纳米管顶端表面电场与发射电流,当接触电阻高于1 MΨ时,器件对阳极驱动电压的要求更高,而栅极偏压的调制,能够有效地降低阳极驱动电压,最佳栅孔单元分布距离为约两倍的碳纳米管高度。
- 雷达孟根其其格陈雷锋
- 关键词：场发射接触电阻
- 一种平行背栅极碳纳米管阵列的场增强因子计算
- 2014年
- 建立一种平行背栅极碳纳米管阵列阴极,基于电场叠加原理,利用镜像电荷法对其进行计算,给出碳纳米管顶端表面电场增强因子。在此基础上,进一步分析器件各类参数对电场增强因子的影响。分析表明,碳纳米管阵列阴极具有最佳阵列密度,其对应碳纳米管间距大约为碳纳米管高度的两倍,靠阴极阵列边缘部位的碳纳米管发射电子能力比其中心部位的大。除了碳纳米管的长径比之外,栅极宽度、栅极厚度和栅极间距等也对电场增强因子有一定的影响:栅极越宽,场增强因子越大;而栅极厚度、栅极间距越大,场增强因子就越小。
- 雷达孟根其其格梁静秋王维彪
- 关键词：碳纳米管阵列
- 器件参量对栅极调制碳纳米管冷阴极的影响(英文)
- 2014年
- 基于电场叠加原理,利用悬浮球模型给出了带栅极纳米管顶端电场与电场增强因子,分析了碳纳米管与衬底之间的接触电阻、器件几何参量以及阴栅极之间的电介质对器件场发射性能的影响.结果表明:接触电阻大大降低了碳纳米管阴极的场发射电流,当接触电阻超过100kΩ时,发射电流密度非常小,此时需要更高的阳极开启电压;当阴栅极之间的电介质为真空时,阴极电子发射性能最佳;除了碳纳米管的长径比之外,栅孔半径、阴栅极间距以及阳极距离等的优化设计,也能提高器件发射性能;通过栅极偏压的调制,可以降低阳极驱动电压.
- 雷达孟根其其格红鸽陈雷锋梁静秋王维彪
- 关键词：碳纳米管冷阴极场发射接触电阻电介质
