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国家高技术研究发展计划(2007AA03Z542)

作品数:3 被引量:5H指数:2
相关作者:殷小玮张立同张鹏飞程瑜贺加贝更多>>
相关机构:西北工业大学更多>>
发文基金:教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家高技术研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇一般工业技术

主题

  • 3篇复合材料
  • 3篇复合材
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化硼
  • 2篇三维针刺
  • 2篇
  • 2篇C/C
  • 2篇C/C复合材...
  • 1篇电磁
  • 1篇电磁屏蔽
  • 1篇电磁屏蔽性能
  • 1篇电损耗
  • 1篇碳复合材料
  • 1篇碳毡
  • 1篇介电
  • 1篇介电损耗
  • 1篇孔隙率
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相渗
  • 1篇化学气相渗透

机构

  • 3篇西北工业大学

作者

  • 3篇张立同
  • 3篇殷小玮
  • 2篇程瑜
  • 2篇张鹏飞
  • 1篇成来飞
  • 1篇贺加贝
  • 1篇邵春艳
  • 1篇刘建功

传媒

  • 2篇复合材料学报
  • 1篇热加工工艺

年份

  • 1篇2012
  • 2篇2010
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
三维针刺碳毡增强碳/氮化硼复合材料的力学和介电性能被引量:3
2010年
三维针刺碳毡中碳纤维的排布方式有利于电磁波的吸收。采用碳基体和氮化硼(BN)基体与三维针刺碳毡复合,可望获得耐高温吸波复合材料。本文中采用先驱体浸渗裂解法(PIP)制备多孔三维针刺碳/碳(C/C)复合材料,再利用化学气相渗透法(CVI)将BN引入C/C复合材料中,最终获得了C/C-BN复合材料。研究了CVI时间对三维针刺C/C-BN复合材料微结构、力学性能及介电性能的影响规律。随着CVI时间的增加,C/C-BN的密度增加,孔隙率降低,抗弯强度提高,介电常数增加,介电损耗降低。在CVI时间达160 h后,C/C-BN密度为1.43 g/cm^3,总气孔率为25%,抗弯强度达到82 MPa。
张鹏飞张立同殷小玮程瑜贺加贝
关键词:氮化硼化学气相渗透
孔隙率对三维针刺C/C复合材料电磁屏蔽性能的影响被引量:2
2012年
通过多次重复先驱体浸渍裂解(PIP)工艺过程,改变材料的孔隙率和体密度,制备不同孔隙率的三维针刺碳/碳(C/C)复合材料,并研究了在8.2~12.4GHz频率范围内(X波段)不同孔隙率C/C复合材料的电磁屏蔽效能。结果表明:适当降低孔隙率有利于提高C/C复合材料的总电磁屏蔽效能和电磁吸收屏蔽效能,当开气孔率为33.4%时,C/C复合材料具有最大的电磁屏蔽效能(40dB),且电磁吸收屏蔽效能(30dB)远大于电磁反射屏蔽效能(12dB),是极具潜力的高吸收低反射电磁屏蔽材料。
邵春艳殷小玮张立同成来飞刘建功
关键词:C/C复合材料PIP工艺孔隙率电磁屏蔽性能
二维碳/碳-氮化硼复合材料的力学和介电性能研究被引量:3
2010年
采用先驱体浸渍裂解法(PIP)和低压化学气相渗透工艺(LPCVI)制备了2DC/C-BN复合材料。研究了CVI时间对2DC/C-BN复合材料的组分、微结构、力学性能及介电性能的影响。结果表明:随着沉积时间的延长,材料的孔隙率减小,密度延长。CVI80h后,复合材料的抗弯强度及断裂韧性达到最大值,分别为113MPa和15MPa·m1/2。随CVI时间的增加,BN逐渐填充材料内部的孔隙,减少了电磁波在材料内部的反射,降低了对电磁波多次反射损耗的能力,减小了复合材料介电损耗因子。
程瑜殷小玮张鹏飞张立同
关键词:C/C复合材料BN介电损耗
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