中国人民解放军总装备部预研基金(9140A23060510DZ02)
- 作品数：3 被引量：9H指数：2
- 相关作者：李娴太惠玲谢光忠蒋亚东张波更多>>
- 相关机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：中国人民解放军总装备部预研基金国家自然科学基金中央级公益性科研院所基本科研业务费专项更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
- α-六噻吩OTFT器件痕量NO_2气体传感器的制备及特性研究被引量：2
- 2012年
- 以α-六噻吩(α-sexithiophene,α-6T)为有源层,二氧化硅(SiO2)为绝缘层,钛/金(Ti/Au)为电极,分别制备了沟道宽长比为40、160和640的有机薄膜晶体管(Organic thin-film transistors,OTFT)器件。讨论了OTFT器件的宽长比对二氧化氮气敏性能的影响。结果表明,基于α-6T的OTFT器件对二氧化氮气体具有较高的实时响应;OTFT器件对二氧化氮气体的气敏性能与沟道宽长比有依赖关系,随着沟道宽长比的增大,器件的响应灵敏度提高、响应时间延长,宽长比为160的器件气敏性能最佳。
- 李娴蒋亚东谢光忠太惠玲
- 关键词：有机薄膜晶体管二氧化氮
- 酞菁铜薄膜晶体管气体传感器制备及特性研究被引量：7
- 2012年
- 以n型高掺杂硅为衬底,二氧化硅(SiO2)作绝缘层,钛/金(Ti/Au)双层膜为源漏电极层,真空蒸发酞菁铜(CuPc)作敏感层,制备了沟道宽长比为4000/25的有机薄膜晶体管气体传感器(OTFTs),研究了CuPc-OTFT气体传感器的基本电学特性及其在常温下对有毒还原型气体(H2S和NH3)的敏感性能。结果表明,基于CuPc的OTFT器件具有良好的电学特性,阈值电压为-8 V,载流子迁移率2.47×10-4cm2/V.s,开关电流比5。基于CuPc薄膜的OTFT气体传感器对不同浓度的H2S和NH3均具有较好的响应,对SO2气体响应较小,对CH4和H2几乎不响应。通过CuPc薄膜的紫外-可见光光谱和OTFT器件的转移特性曲线对CuPc-OTFT气体传感器的敏感机理进行了分析。
- 李娴蒋亚东太惠玲谢光忠张波
- 关键词：酞菁铜有机薄膜晶体管气体传感器H2SNH3
- 有机薄膜晶体管钛/金电极的刻蚀工艺研究被引量：2
- 2010年
- 采用感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀和湿法刻蚀的方法,分别刻蚀有机薄膜晶体管(OTFT)的钛/金薄膜电极。改变刻蚀的工艺条件,研究了不同的刻蚀工艺对OTFT器件性能的影响,并对刻蚀结果进行了比较与分析。结果表明,ICP干法刻蚀不适合用来刻蚀OTFT器件的钛/金电极,而湿法刻蚀工艺可用于刻蚀关键尺寸为5μm及其以上的钛/金电极,其最佳工艺条件分别是n(HF):n(HNO3):n(H2O)=1:1:5和n(KI):n(I2):n(H2O)=4:1:40。
- 严剑飞吴志明太惠玲李娴付嵩琦
- 关键词：刻蚀有机薄膜晶体管
