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国家自然科学基金(61078053)

作品数:6 被引量:2H指数:1
相关作者:徐军苏良碧俞平胜王庆国郭鑫更多>>
相关机构:中国科学院盐城工学院上海大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金江苏省自然科学基金中国科学院“百人计划”更多>>
相关领域:理学电子电信机械工程更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 5篇理学
  • 2篇电子电信
  • 1篇机械工程

主题

  • 5篇BI
  • 3篇发光
  • 3篇12
  • 2篇近红外
  • 2篇晶体
  • 2篇红外
  • 1篇单晶
  • 1篇电子束辐照
  • 1篇散射
  • 1篇散射光
  • 1篇散射光谱
  • 1篇射线衍射
  • 1篇射线衍射分析
  • 1篇锁模
  • 1篇铋离子
  • 1篇温下
  • 1篇离子
  • 1篇脉冲
  • 1篇脉冲持续时间
  • 1篇脉冲锁模

机构

  • 4篇中国科学院
  • 2篇盐城工学院
  • 1篇上海大学

作者

  • 4篇苏良碧
  • 4篇徐军
  • 3篇俞平胜
  • 1篇李欣年
  • 1篇杨秋红
  • 1篇蒋先涛
  • 1篇赵衡煜
  • 1篇范晓
  • 1篇方晓明
  • 1篇王庆国
  • 1篇郭鑫

传媒

  • 2篇发光学报
  • 1篇物理学报
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇Chines...
  • 1篇Scienc...

年份

  • 2篇2015
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
掺杂的Bi_4Ge_3O_(12)晶体的近红外发光性能被引量:1
2015年
生长了Mg、Ca离子掺杂(提拉法)和Cl离子掺杂(坩埚下降法)的Bi4Ge3O12(BGO)晶体,测试了晶体样品的吸收谱、光致发光谱和发光衰减时间等。这些掺杂的BGO晶体的可见光发光比纯BGO有所减弱,但在808 nm和980 nm激光二极管(LD)激发下出现了纯BGO几乎没有的近红外发光,归因于改变了能级的Bi离子或可能出现的低价态Bi离子。掺杂对近红外发光的影响跟掺杂离子价态有关,同价态的掺杂离子对近红外发光的影响相差不大。
俞平胜苏良碧徐军
关键词:光致发光近红外
Bi和Nd共掺CsI晶体近红外宽带发光性能
2013年
采用坩埚下降法生长了Bi和Nd共掺的CsI晶体。X射线衍射分析表明,Bi和Nd共掺并不影响晶体结构,其空间群为Pm3m。通过测试晶体的实际掺杂浓度发现,共掺导致了Bi掺杂浓度的降低。对晶体进行退火处理,并测试了晶体的吸收光谱和发射光谱。结果表明:Bi和Nd共掺能够提高晶体中带电子色心V′Cs的浓度,经高温退火后能获得较多的低价态的Bi离子发光团簇,从而提高了晶体的近红外宽带发光性能。晶体的Raman光谱显示,掺Bi的CsI晶体近红外宽带发光中心的2个特征Raman峰分别位于164和176cm–1处。此外,还提出CsI晶体中发光中心Bi+和低价态团簇Bi2+的形成离不开高价态Bi离子的靠拢团聚作用。
范晓苏良碧徐军蒋先涛
关键词:近红外发光共掺
Study on photoluminescence of thermally treated Bi_(12)GeO_(20) and Mo:Bi_(12)GeO_(20) crystals被引量:1
2011年
Photoluminescence (PL) of Bi12GeO20 and Mo doped Bi12GeO20 (Mo: Bi12GeO20) crystals in visible and near-infrared (NIR) spectral regions were studied. X-ray diffraction analysis, absorption and Raman scattering spectra of these crystals were also measured. Pure Bi12GeO20 after annealing in N2 atmosphere at 450 oC and 550 °C show predominant emissions at about 745 and 1250 nm bands, while the emission peaks of Mo:Bi12GeO20 crystals untreated or after annealing in Ar at 300 °C are at around 538 and 1165 nm. The results suggest that annealing induces intrinsic luminescence of Bi in pure Bi12GeO20 at room temperature and Mo influences the luminescence centers of Bi12GeO20. The emission peaks of Bi12GeO20 and Mo: Bi12GeO20 probably owe to lower-valent Bi ions.
YU PingShengSU LiangBiTANG HuiLiGUO XinZHAO HengYuYANG QiuHongXU Jun
关键词:拉曼散射光谱射线衍射分析铋离子
电子束辐照诱导Bi:α-BaB_2O_4单晶近红外宽带发光的研究
2011年
用提拉法技术生长出了Bi:α-BaB2O4单晶,并进行电子束辐照.测定了电子束辐照前后的吸收谱和荧光发射谱.在808nm波长激光二极管的激发下,电子束辐照后的Bi:α-BaB2O4单晶中观测到了中心波长在1135nm附近、半高宽为52nm左右的近红外宽带发光现象.近红外宽带发光的发光中心是Bi+离子.电子束射线起到了将Bi3+和Bi2+还原至一价态的作用.本文通过对比发现,在不同的辐照剂量处理后的过程中发光中心Bi+离子的产生机理是不相同的,并对其物理化学过程进行了初步的探讨.
赵衡煜俞平胜郭鑫苏良碧李欣年方晓明杨秋红徐军
关键词:电子束辐照
A 1.7-ps pulse mode-locked Yb^(3+):Sc_2SiO_5 laser with a reflective graphene oxide saturable absorber
2015年
By using a reflective graphene oxide as saturable absorber,a diode-pumped passively mode-locked Yb3+:Sc2Si O5(Yb:SSO)laser has been demonstrated for the first time.Without extra negative dispersion compensation,the minimum pulse duration of 1.7 ps with a repetition rate of 94 MHz was obtained at the central wavelength of 1062.6 nm.The average output power amounts to 355 m W under the absorbed pump power of 15 W.The maximum peak power of the mode-locking laser is up to 2.2 k W,and the single pulse energy is 3.8nJ.
葛平广苏黎明刘杰郑丽和苏良碧徐军王勇刚
关键词:脉冲锁模PS脉冲持续时间二极管泵浦
红色Bi_4Ge_3O_(12)晶体在低温下的发光性能被引量:1
2012年
用下降法制备了Bi4Ge3O12晶体,发现生长出来的圆柱状晶体外侧呈现淡红色。对红色Bi4Ge3O12晶体进行了低温(至8 K)下的近红外发射光谱及衰减寿命等测试分析。发现低温时(200 K以下)红色Bi4Ge3O12在1 150 nm等波长处有较强的发射峰,强度随温度降低而增强,衰减时间为几百μs。
俞平胜苏良碧王庆国徐军
关键词:发光
共1页<1>
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