陕西省自然科学基金(2005F37)
- 作品数：2 被引量：6H指数：2
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- 真空热蒸发制备ZnS薄膜及其特性的研究被引量：4
- 2010年
- 用真空热蒸发在不同衬底温度下制备了ZnS薄膜,利用X射线衍射(XRD)、X射线能谱(EDAX)、紫外可见分光光度计(UV-vis)和原子力显微镜(AFM)研究了ZnS薄膜的晶体结构、成分、光学性能和形貌,分析了衬底温度对ZnS薄膜结构与光学特性的影响。结果表明,所制备的ZnS薄膜呈立方闪锌矿结构,衬底温度为300℃所制备的ZnS薄膜原子比(S/Zn)为0.95/1;薄膜表面均匀致密,呈多晶态,晶粒尺寸为18.2nm;在可见区有好的透射性能,光学禁带宽度为3.82eV。
- 权乃承高斐孙杰刘立慧郝培风
- 关键词：ZNS薄膜热蒸发光学带隙
- 通过氧化Cu膜制备Cu2O薄膜
- 氧化亚铜(CuO)是一种应用潜力很大的半导体材料,具有无毒,制备成本低,材料广泛易得等优点,被广泛地应用于太阳电池、高效光化学电池光电极、磁器件和光催化等。CuO太阳电池的理论转化效率可达20%,但是至今为止获得的光电转...
- 孙杰高斐权乃承晏春愉张佳雯郝培风刘立慧
- 关键词：CU膜退火
- 文献传递
- 通过氧化Cu膜制备Cu_2O薄膜被引量：2
- 2009年
- 通过热蒸镀Cu膜并在空气中退火制备Cu2O薄膜,利用X射线衍射(XRD)、能量分散X射线谱(EDX)和原子力显微镜(AFM)研究了已沉积和不同温度退火薄膜的晶体结构、成份和表面形貌。结果表明,Cu膜在200℃退火30分钟可以得到具有单一成份的Cu2O薄膜。四探针测量得到所制备的Cu2O薄膜电阻率为0.22Ωcm。用紫外可见光分光光度计(UV-vis)研究了Cu2O薄膜的光学特性,得出其光学带隙为2.4eV。
- 孙杰高斐权乃承晏春愉张佳雯郝培风刘立慧
- 关键词：CU膜退火
