国家自然科学基金(51272034)
- 作品数：4 被引量：3H指数：1
- 相关作者：周大雨徐进李清郭春霞梁海龙更多>>
- 相关机构：大连理工大学大连东软信息学院电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电气工程更多>>
- HfO_2铁电相与四方相转变关系的第一性原理研究
- 2014年
- 基于密度泛函理论的缀加平面波方法计算了HfO2的正交相Pca21和四方相P42/nmc,其中正交相具有铁电性质。计算结果表明,在晶体结构方面,HfO2正交相和四方相都具有类萤石结构特征,并且从四方相P42/nmc到正交相Pca21的转变过程中单胞变形<3.75%;在电子结构方面,通过四方相到正交相的结构转变,Hf的5d和O的2p、2s的杂化效应增强,同时这些电子态向低能移动,使正交相的相对能量低于四方相。这些研究结果证实了HfO2具有铁电性质的Pca21正交相是一种稳定的相结构,并解释了从P42/nmc四方相到Pca21正交相的转变关系。
- 叶飞肖海珠周大雨
- 关键词：HFO2电子结构
- 纯水基溶胶-凝胶法制备HfO_2纳米超薄膜被引量：2
- 2014年
- 微电子工业的发展提出了不断提高集成电路芯片上多种器件电容密度的迫切需求,因此开展厚度<10nm超薄HfO2高-k电介质薄膜的可控制备技术研究具有重要意义。以氯氧化铪、硝酸和双氧水为主要试剂配制了纯水基溶胶前驱体,使用去离子水对溶胶进行适当稀释后,采用旋涂法在经等离子体清洗的硅基片上制备HfO2薄膜。以XRR、AFM以及XPS为主要手段对薄膜样品的厚度、表面形貌以及化学成分进行了分析,结果表明这种新颖的溶胶-凝胶技术可将薄膜的沉积速率控制在每旋涂周期1nm以下,薄膜表面平整致密,成分符合化学计量比。
- 李清郭春霞周大雨曲德舜梁海龙
- 关键词：溶胶-凝胶HFO2
- 衬底温度对直流反应磁控溅射TiN电极薄膜显微结构及导电性能的影响
- 2017年
- 二氧化铪基新型铁电薄膜器件等研究提出了在低衬底温度下制备高导电性和低表面粗糙度纳米超薄TiN电极薄膜的迫切需求。利用直流反应磁控溅射方法在单晶硅基片上制备TiN薄膜,衬底温度范围从室温~350℃,以XPS、XRD、AFM以及XRR等为主要手段对薄膜样品的成分、物相、表面粗糙度以及厚度和密度等进行了表征分析。结果表明在350℃的较低衬底温度下,通过减少溅射沉积时间可获得厚度<30nm的高导电性TiN电极薄膜。
- 周方杨徐进杨喜锐梁海龙赵鹏周大雨
- 关键词：TIN衬底温度电阻率
- Si掺杂HfO_2薄膜的铁电和反铁电性质被引量：1
- 2014年
- 通过改变Si掺杂量制备出了具有显著铁电和反铁电特征的HfO2纳米薄膜,对其电滞回线、电容-电压和漏电流-电压特性以及物相温度稳定性进行了对比研究.反铁电薄膜的介电系数大于铁电薄膜,在电场加载和减载过程中发生的可逆反铁电-铁电相变导致了双电滞回线的出现,在室温至185℃的测试温度范围内未出现反铁电→顺电相变.在电流-电压特性测量时观察到的负微分电阻效应归因于极化弛豫等慢响应机理的贡献.
- 周大雨徐进Johannes MüllerUwe Schroder
- 关键词：HFO2薄膜铁电相变
