国家高技术研究发展计划(2007AA03Z449)
- 作品数：5 被引量：7H指数：2
- 相关作者：周济马景陶林旭平邓长生陈乔更多>>
- 相关机构：清华大学广西大学东北大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：化学工程理学更多>>
- B_2O_3添加对(Zn_(0.5)Mg_(0.5))Nb_2O_6陶瓷微波介电性能的影响被引量：2
- 2009年
- 研究了B2O3助烧剂对(Zn0.5Mg0.5)Nb2O6陶瓷的烧结温度、微观结构、相结构及微波介电性能的影响。结果表明,助烧剂B2O3的添加有助于降低(Zn0.5Mg0.5)Nb2O6陶瓷的烧结温度,可以将(Zn0.5Mg0.5)Nb2O6陶瓷的烧结温度降低到950℃。其中掺杂2%B2O3(质量分数,下同)的(Zn0.5Mg0.5)Nb2O6陶瓷,在950℃烧结可获得结构致密的烧结体,并且具有较佳的介电性能:εr=20.7,Q×f=60156GHz。
- 林旭平马景陶陈乔张宝清邓长生周济
- 关键词：微波介质陶瓷氧化硼
- 低温烧结CuO-V2O5-Bi2O3掺杂Zn3Nb2O8陶瓷的微波介电性能被引量：1
- 2010年
- 研究了CuO–V2O5–Bi2O3作为烧结助剂对Zn3Nb2O8陶瓷的烧结特性、微观结构、相结构及微波介电性能的影响。CuO–V2O5–Bi2O3复合掺杂可以将Zn3Nb2O8陶瓷的烧结温度从1150℃降到900℃。在900℃烧结4h的Zn3Nb2O8–0.25%(质量分数,下同)CuO–1.5%V2O5–1.5%Bi2O3陶瓷的密度达到了理论密度的98.1%,相对介电常数为18.8,品质因数与谐振频率之积为39442GHz。该体系的介电性能和陶瓷的致密度与烧结助剂的含量及烧结温度密切相关,陶瓷的致密度和相对介电常数随CuO–V2O5–Bi2O3烧结助剂含量的增加而增加,同样陶瓷的致密度和相对介电常数也随烧结温度的升高而提高。
- 林旭平马景陶张宝清周济
- 关键词：微波介质陶瓷
- 氟氧微晶玻璃/二氧化硅系低温共烧陶瓷材料的煅烧行为
- 2010年
- 制备SiO2-B2O3-Al2O3-AlF3-Li2O-Na2O-K2O-CaO系氟氧低温微晶玻璃/二氧化硅共烧陶瓷材料,用X射线衍射、扫描电子显微镜和阻抗分析仪分析讨论氟氧微晶玻璃/氧化硅主晶相的形成、致密性及介电性能。结果表明:氟氧玻璃/氧化硅陶瓷材料体系样品的最佳煅烧温度范围为750～780℃,煅烧时部分玻璃相转变成方石英,有助于进一步降低相对介电常数(εr)和介电损耗(tanδ),在780℃煅烧时,样品的体积密度达到最大值(2.31g/cm-3),此时在1GHz频率测试,εr=4.42,tanδ=3×10-3,所制备的材料是一种在基板、无源集成和电子封装等方向都具有较大应用前景的低温共烧陶瓷材料。
- 王阳培华齐西伟李勃戴春雷郭海周济
- 关键词：低温共烧陶瓷玻璃陶瓷介电性能
- LTCC水基流延生带材料的制备与叠层性能被引量：2
- 2009年
- 利用硼硅酸盐玻璃和氧化铝陶瓷复合制备了相对介电常数为7～9的LTCC材料粉体,利用苯丙乳液作为粘结剂,甘油作为增塑剂,成功制备出了浆料固含量高、稳定性好的水基流延浆料;该工艺制备的生带材料表面光滑,强度高,且容易在室温下叠层,经过850～900℃烧结,其相对体积密度最高可以达到96%以上;以上述LTCC生带为原材料,在室温条件下制备了烧结性能良好的叠层器件,具有很好的应用前景。
- 崔学民贺艳张鹤彭海浪
- 关键词：TEMPERATURE玻璃陶瓷叠层
- CuO对(Zn_(0.5)Mg_(0.5))Nb_2O_6陶瓷的烧结温度和微波介电性能的影响被引量：2
- 2009年
- 本文研究了助烧剂CuO对(Zn0.5Mg0.5)Nb2O6陶瓷的烧结特性、微观结构、相结构及微波介电性能的影响。研究结果表明,助烧剂CuO可以将(Zn0.5Mg0.5)Nb2O6陶瓷的烧结温度降低到950℃。添加3 wt%CuO,在950℃烧结的(Zn0.5Mg0.5)Nb2O6陶瓷密度达到了理论密度的97%以上,介电常数为20,Q×f值为33556 GHz。
- 陈乔林旭平马景陶邓长生周济
- 关键词：微波介质陶瓷氧化铜
