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国家自然科学基金(61076086)

作品数：11 被引量：14H指数：2
相关作者：柯导明韩名君王保童王敏孟坚更多>>
相关机构：安徽大学芜湖职业技术学院镇江龙逸电子科技有限公司更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金安徽省高等学校优秀青年人才基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 11篇中文期刊文章

领域

  • 9篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 5篇MOSFET
  • 4篇沟道
  • 3篇电势
  • 3篇阈值电压
  • 2篇亚阈值
  • 2篇氧化物半导体
  • 2篇金属氧化物半...
  • 2篇寄生电容
  • 2篇半导体
  • 2篇场效应
  • 2篇超短
  • 1篇电势分布
  • 1篇电阻
  • 1篇调制器
  • 1篇短沟道
  • 1篇短沟道效应
  • 1篇短沟效应
  • 1篇信噪比
  • 1篇延时
  • 1篇延时锁定环

机构

  • 11篇安徽大学
  • 2篇芜湖职业技术...
  • 1篇安徽工程大学
  • 1篇安徽三联学院
  • 1篇镇江龙逸电子...

作者

  • 10篇柯导明
  • 4篇王保童
  • 4篇韩名君
  • 3篇王敏
  • 3篇陈军宁
  • 3篇孟坚
  • 2篇徐太龙
  • 2篇徐超
  • 2篇徐春夏
  • 1篇樊进
  • 1篇杨菲
  • 1篇代广珍
  • 1篇迟晓丽
  • 1篇薛峰
  • 1篇赵阳
  • 1篇申静
  • 1篇夏丹
  • 1篇周少阳

传媒

  • 3篇中国科学：信...
  • 2篇安徽大学学报...
  • 1篇物理学报
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇电子学报
  • 1篇计算机应用研...
  • 1篇小型微型计算...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2014
  • 7篇2013
  • 1篇2012
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
MOSFET漏/源电阻的半经验模型
2017年
本文基于微元电阻和积分中值定理导出了仅有3个待定参数的超深亚微米MOSFET的漏/源电阻模型,而这3个参数可以用多元线性回归方法得到.论文用数值模拟数据,拟合了衬底掺杂是1×10^(15)~1×10^(16)cm^(-3)、沟道长度是45～2000 nm的平面n MOSFET和n LDD-MOSFET的漏/源电阻模型的待定参数,得到了它们的半经验公式,最大误差仅有9.5%.漏/源电阻模型和它的半经验公式计算结果表明,漏/源电阻仅与漏/源pn结结深、电阻率和沟道到漏/源电极长度有关,沟道长度、叠栅长度和电极长度对它的影响可以忽略.由于这个半经验表达式形式简单、精度高、物理概念清晰、易于提取参数,所以它既可以用于MOSFET的特性分析又可以用于电路模拟器.
柯导明杨建国常红杨菲胡鹏飞彭雪扬孙乐尚吴笛
关键词：数值模拟
深结短沟道MOS晶体管准二维阈值电压模型
2013年
提出了一个新的短沟道MOS晶体管表面势的准二维解析模型。不同于经典模型,该模型对沟道耗尽层横向剖分,由高斯定理导出沟道耗尽层电势的一维微分方程,方程考虑了漏、源的横向电场对沟道耗尽层厚度的影响。求解方程得到了耗尽层厚度与表面势的关系函数,由此得出了一个包含有沟道长度的阈值电压公式。通过MEDICI软件对多种不同参数的MOS晶体管进行了仿真,此模型计算结果与MEDICI仿真数据吻合较好,比电荷分享模型精度高。
周少阳柯导明夏丹王保童申静
关键词：阈值电压短沟道效应表面势金属氧化物半导体场效应晶体管
高k栅MOSFET栅–源/漏寄生电容的半解析模型被引量：1
2014年
文章针对高k栅MOSFET的栅介质层及其侧壁掩蔽层提出了一个二维定解问题,求出了二维电势和电荷分布.文章根据栅极电荷与栅源及栅漏电压关系,提出了MOSFET的栅极和源极/漏极之间的寄生电容的模型,用半解析法计算了这些寄生电容,得到了寄生电容与几何尺寸之间的关系.文章的计算结果表明改变栅极电介质常数可以得到一个寄生电容的最小值,计算结果与CST仿真结果能够很好地符合.
樊进柯导明薛峰陈军宁
关键词：LAPLACE方程
全数字延时锁定环的研究进展被引量：2
2013年
全数字延时锁定环在现代超大规模系统芯片中具有极其重要的作用,被广泛地用于解决系统时钟的产生和分布问题,因此详细分析其研究进展具有一定的理论意义和实际应用价值.首先在分析延时锁定环工作原理的基础上,阐明了全数字延时锁定环相对于全模拟和混合信号延时锁定环具有的优点.其次详细阐述了全数字延时锁定环的发展过程、研究现状和存在的问题,尤其在指出传统逐次逼近寄存器延时锁定环存在谐波锁定、锁定时间没有达到理论值和死锁三个问题的基础上,对各种改进型逐次逼近寄存器延时锁定环的性能进行了对比分析.最后对全数字延时锁定环的未来发展趋势进行了展望.
徐太龙陈军宁孟坚徐超柯导明
关键词：时钟偏差
亚90nm沟道MOSFET亚阈值状态下二维电势和阈值电压的半解析模型被引量：1
2013年
本文提出一个亚90nm沟道MOSFET在亚阈值状态下的二维电势和阈值电压的半解析模型.文章首先根据短沟道MOSFET在亚阈值状态下的物理模型提出定解问题,然后用特征函数将由氧化层和空间电荷区衔接条件所得到的超越方程组作正交展开,得到关于未知量的线性代数方程组,求出了氧化层和空间电荷区的二维电势、耗尽层厚度和阈值电压的表达式.该模型不需要适配参数,运算量小,避免了方程离散化,计算精度与数值解精度相同.文章给出了沟道长度为90nm以下MOSFET的电势分布、表面势、耗尽层厚度和阈值电压计算结果,计算值与二维数值模拟值高度吻合.
孟坚柯导明韩名君
关键词：阈值电压
改进的一阶1 bit Sigma-Delta调制器研究被引量：1
2014年
为了改善量化噪声,提出了一种新的一阶1 bit Sigma-Delta调制器结构。通过对标准的一阶1 bit SigmaDelta调制器进行研究,指出了其量化噪声是非加性的,并且把输入和输出之差作为Sigma-Delta调制器的输入,进一步实现了输入信号的调制。理论推导得出新结构对正弦信号调制的信噪比比传统结构高6 dB,MATLAB Simulink仿真结果显示新结构带内噪声功率减小,为高性能的Sigma-Delta调制器提出了一种新的设计方法。
代广珍徐太龙孟坚徐会芳徐超陈军宁
关键词：SIGMA-DELTA调制器噪声整形过采样信噪比
超短沟道高k栅MOSFET寄生电容
2013年
寄生电容不随器件尺寸的减小而成比例减小,因此对小尺寸器件寄生电容的研究就更有意义.本文首次用矩形等效源建立了MOSFET电势分布二维半解析模型,综合半解析法和特征函数展开法求出二维电势分布函数,并由此得出寄生电容的解析表达式.研究结果表明,减小源/漏区尺寸和栅极厚度可以减小寄生电容,沟道长度的变化对寄生电容几乎没有影响,栅介电常数的增加会使边缘电容减小.模型求解时精度高、运算量小,可直接用于电路模拟程序和器件设计.
王敏王保童柯导明
关键词：寄生电容高K材料
一种改进的VSLMS算法被引量：3
2013年
根据几种变步长最小均方误差(VSLMS)算法的特性,把它们分为2类.把2类VSLMS算法的步长公式结合起来,提出一种改进的VSLMS算法.对改进前后的算法进行仿真实验,实验结果表明,改进算法同时获得了2类算法的优良性能,在收敛性、稳态误差及跟踪性方面都有显著提高.
徐春夏柯宜京柯导明
关键词：LMS变步长
亚阈值下MOSFET氧化层和空间电荷区的二维电势解析模型被引量：1
2013年
本文用特征函数将因氧化层和空间电荷区衔接条件得到的恒等式作正交展开,把未知量求解转化成一组线性代数方程,得到了二维电势解析表达式,并给出了电势能极值点的计算方法.模型的优点是精度与数值解的精度相同,不含适配参数、运算量小、避免了数值分析时的方程离散化,可直接用于电路模拟程序.文中讨论了亚阈值下NMOSFET的电势分布、阈值电压和界面态电荷的影响.结果表明,该模型与MEDICI结果极其吻合.
韩名君柯导明王保童王敏徐春夏
关键词：金属氧化物半导体场效应管栅氧化层空间电荷区
超短沟道MOSFET电势的二维半解析模型被引量：5
2013年
本文根据超短沟道MOSFET的工作原理,在绝缘栅和空间电荷区引入两个矩形源,提出了亚阈值下电势二维分布的定解问题.通过半解析法和谱方法相结合,首次得到了该定解问题的二维半解析解,解的结果是一个特殊函数,为无穷级数表达式.该模型的优点是避免了数值分析时的方程离散化,表达式不含适配参数、运算量小、精度与数值解的精度相同,可直接用于电路模拟程序.文中计算了沟道长度是45—22nm的MOSFET电势、表面势和阈值电压.结果表明,新模型与Medici数值分析结果相同.
韩名君柯导明迟晓丽王敏王保童
关键词：半解析法电势阈值电压MOSFET
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