国家自然科学基金(61076046)
- 作品数：6 被引量：14H指数：2
- 相关作者：李强余昭杰常玉春李靖丁传鹏更多>>
- 相关机构：吉林大学中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金吉林省科技厅基础研究项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于0.5m CMOS工艺的BOOST变换器设计被引量：1
- 2012年
- 针对便携式通信设备对DC-DC变换器的输出电压纹波和效率要求较高的问题,提出了一种同步整流模式的BOOST型DC-DC变换器电路,以提高芯片的转换效率。该设计采用CSMC(Central Semiconductor Man-ufacturing Corporation)0.5μm CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺,并利用0.5μm双层多晶硅三层金属的CMOS工艺实现了电路的版图绘制。仿真结果证明,变换器能稳定输出电压,并具有较小的电压纹波和较高的转换效率等优点。
- 丁玲余昭杰李靖周泉杜国同常玉春
- 关键词：同步整流DC-DC变换器
- 穿通增强型硅光电晶体管的结构及参数优化被引量：2
- 2013年
- 为克服各种常用光电探测器件的缺点,对穿通增强型硅光电晶体管进行了结构优化和参数优化。将窄基区穿通晶体管仅在一侧与宽基区光电晶体管复合的传统结构,改进为窄基区穿通晶体管在中间,两侧各复合一个长度减半的宽基区光电晶体管。同时,对不同窄基区宽度下的暗电流、光生电流及光电响应率等随偏压变化的电学性能和光电转换特性进行仿真,得到窄基区宽度最优参数。然后对优化后的器件在不同光强下的光生电流和光电响应率随偏压的变化进行了仿真,分析了器件在不同光强下的响应特性。结果表明,当窄基区宽度为0.6μm时,器件性能折中达到最优,在0.5 V偏压下,器件暗电流仅为1μA;入射光功率密度为10-7W/cm2时,器件响应率高达4×106A/W。
- 丁传鹏周泉陆逢阳王宝续常玉春
- 关键词：暗电流
- 红外探测器的读出电路设计被引量：2
- 2013年
- 为减少电路功耗和噪声,基于0.35μm n-well CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor)工艺,设计了320×240焦平面探测阵列的读出电路。该电路给出了一种新型单级电容跨导放大器,采样保持电路为相关双采样电路。电容跨导放大器采用稳定的偏置电路。该电路每帧图像的输出时间为10 ms,输出图像为100帧/s。
- 李强刘阳汤欲涛曹令今刘云峰常玉春殷景志
- 关键词：红外探测器读出电路相关双采样
- 自适应滤波器消除语音信号中混合噪声被引量：5
- 2012年
- 语音信号在实际采集和传输的过程中,往往掺杂着多种噪声干扰,比较常见的是正弦窄带干扰和高斯白噪声,而一个简单的自适应滤波器往往很难同时滤除多种噪声。为了抑制混合噪声而得到真实的语音信号,在最小均方误差(LMS)自适应算法和自适应噪声抵消原理的基础上,提出了一种两级自适应滤波器方案,第Ⅰ级在传统噪声抵消系统中加入延迟单元消除正弦窄带干扰,第Ⅱ级用LMS自适应噪声抵消器消除高斯白噪声,同时,利用Simulink模块库对所设计的两级自适应滤波器进行了建模仿真。仿真结果表明:该方案滤波器可以有效地滤除包含正弦窄带干扰和高斯白噪声的混合噪声,达到提高语音质量的目的。
- 高榕张仕凯李靖余昭杰丁传鹏李强
- 关键词：自适应最小均方误差算法SIMULINK混合噪声
- 基于建立-向下偏转过程11-bit 1-MS/s逐次逼近型模数转换器的设计被引量：2
- 2013年
- 采用0.35μm CMOS工艺设计了一款基于建立-向下(set-and-down)偏转过程11-bit1-MS/s的逐次逼近型模数转换器(SAR ADC),分析了电容网络的偏转过程。采用本文电容偏转过程的11-bit SAR ADC平均电容偏转能耗比传统的SAR ADC降低了81.25%,且单位电容的总数与传统SAR ADC相比也降低了50%。采用0.35μm 2P3M CMOS工艺对SARADC电路进行了版图绘制,版图尺寸约为705μm×412μm。后仿真结果表明,信号与噪声和失真比达到了66.6dB,有效精度达到了10.7bit。
- 常玉春余昭杰李靖曹令今李强杜国同
- 关键词：光电子学与激光技术模数转换器
- 基于0.35μm CMOS的高性能LDO稳压器设计被引量：2
- 2012年
- 为降低芯片负载波动及电源干扰对系统输出的影响,以提高芯片性能,基于0.35μm CMOS(Complementa-ry Metal Oxide Semiconductor)工艺,采用Cadence设计了高性能的无片外电容低压差(LDO:Low Drop-Out)线性稳压器集成电路,给出了负载瞬态响应增强网络以及电源干扰抑制增强网络的设计方案并进行了仿真实验。实验结果表明,电路具有良好的线性调整率和负载调整率,各项性能指标均符合行业标准,系统在3～5 V的输入电压范围内,稳定的输出电压为2.8 V,电源抑制比在高频1 MHz时达到-46 dB,负载变化引起的输出电压过冲小于55 mV。
- 刘阳李强余昭杰戚忠雪殷景志
- 关键词：低压差线性稳压器电源抑制比
