广西省自然科学基金(0236062)
- 作品数：3 被引量：5H指数：2
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- 衬底对钛酸铋铁电薄膜生长及性能的影响被引量：2
- 2004年
- 采用溶胶–凝胶工艺在Si和Pt/Ti/SiO2/Si两种衬底上制备了Bi4Ti3O12铁电薄膜,研究了衬底对Bi4Ti3O12铁电薄膜生长及性能的影响。研究表明:Pt/Ti/SiO2/Si基Bi4Ti3O12薄膜的剩余极化较高但易出现焦绿石相,而Si基Bi4Ti3O12薄膜易于沿c轴取向生长,有利于改善铁电薄膜与硅衬底之间的界面特性,但8mC/cm2的剩余极化却比前者有所降低。
- 王华
- 关键词：铁电薄膜钛酸铋溶胶-凝胶工艺
- 快速退火工艺条件下温度对Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜微观结构与性能的影响被引量：2
- 2006年
- 采用快速退火工艺在Pt/Ti/SiO2/p-Si衬底上制备了Bi4Ti3O12铁电薄膜。研究了退火温度对薄膜微观结构、铁电特性及介电性能的影响。研究表明:退火温度对Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜晶相结构的影响显著,对晶粒尺寸和表面形貌的影响较小,但退火温度超过800℃后会出现焦绿石等杂相;低于750℃时,薄膜的剩余极化随退火温度升高而增大,高于750℃时却有所减小,但矫顽电场随退火温度升高而逐渐降低;退火温度对薄膜的漏电流密度有一定的影响,薄膜的漏电流密度在200kV/cm极化电场作用下低于3×10-9A/cm2,750℃时的剩余极化和矫顽电场分别为11μC/cm2和77kV/cm,具有较好的铁电和介电性能。
- 王华任鸣放
- 关键词：BI4TI3O12铁电薄膜
- Bi_4Ti_3O_(12)薄膜的取向生长及其电性能研究被引量：1
- 2004年
- 采用Sol-Gel工艺,在快速退火的工艺条件下制备了Bi4Ti3O12铁电薄膜,研究了退火温度及时间、薄膜厚度对Bi4Ti3O12薄膜的取向生长行为及其铁电性能、漏电流的影响,探讨了Bi4Ti3O12薄膜取向生长的微观机制.结果表明:退火温度显著影响薄膜的c轴取向生长,其(00l)晶面的取向度F=(P-P0)/(1-P0)由550℃的0.081增加到850℃的0.827,退火时间对其(00l)晶面的取向度也有较大影响;经750℃以上温度退火处理的Bi4Ti3O12薄膜呈高度c轴取向,对铁电性能有较明显的削弱作用;薄膜的漏电流密度随退火温度升高而增大,但薄膜的c轴取向生长有利于减缓漏电流密度的增长.
- 王华
- 关键词：铁电薄膜BI4TI3O12电性能
