国家自然科学基金(60606016)
- 作品数：5 被引量：6H指数：1
- 相关作者：李海霞毛凌锋冉娜查根龙更多>>
- 相关机构：苏州大学宿迁学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学经济管理更多>>
- 简论电子期刊对图书馆期刊服务的影响
- 2009年
- 从电子期刊的发展入手,着重分析了电子期刊和传统期刊的不同,对图书馆的期刊管理提出了若干建议。
- 冉娜
- 关键词：图书馆
- Si能带的非抛物线性对MOSFET电子输运的影响被引量：1
- 2008年
- 随着器件尺寸的进一步减小,Si能带的非抛物线性以及高电场对MOSFET中沟道电子输运的影响变得越来越重要。在基于全能带蒙特卡罗方法的基础上,研究了非抛物线因子对沟道电子输运的影响。研究表明,非抛物线因子对小尺寸器件输运电流的影响大,而对大尺寸器件输运电流的影响不明显,这意味着对于深亚微米MOSFET必须考虑非抛物线因子对器件电子输运的影响。
- 李海霞毛凌锋
- 关键词：速度过冲
- 二维短沟道MOSFET阈值电压分析模型被引量：3
- 2009年
- 随着器件尺寸的进一步减小,由量子效应导致的能带分裂对MOSFET中阈值电压特性的影响变得越来越重要。提出了一个包含量子效应(QME)的短沟道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)分析的阈值电压模型,该模型建立在求解包含量子校正的泊松方程的基础上。分析在泊松方程中考虑量子效应后建立的分析的阈值电压模型可知:随着器件尺寸的减小,由量子效应和短沟道效应引起的阈值电压的升高变得越来越严重。本模型的优点是没有引入额外的物理参数。
- 李海霞毛凌锋
- 深亚微米器件中氧空位对栅漏电流的影响被引量：1
- 2011年
- 描述了影响硅器件性能的二氧化硅中的缺陷,介绍了氧空位的概念,分析计算了随机氧空位对栅漏电流的影响。模拟结果表明:当氧空位在栅氧化层中随机变化时,引起的栅漏电流的变化是在一定值附近上下波动;栅漏电流随氧化层厚度的减小而增大,因此,在小尺寸器件中,必须考虑氧空位对栅漏电流的影响。但当厚度在特定值及特定电场下时,单个氧空位引起的栅漏电流增加可以忽略。
- 李海霞毛凌锋查根龙
- 关键词：氧空位深亚微米器件
- 简论同行评议开放期刊的发展及影响被引量：1
- 2009年
- 知识共享对促进知识向生产力快速转化具有重要意义。科技期刊的开放获取是促进知识共享向生产力快速转化的一个重要因素。从同行评议开放期刊的产生着手,阐述了同行评议开放期刊的发展历史,分析了其影响力。
- 冉娜
- 关键词：同行评议
