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国家自然科学基金(60606002)

作品数:2 被引量:0H指数:0
相关作者:杨翠柏王翠梅胡国新王晓亮肖红领更多>>
相关机构:中国科学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇会议论文
  • 2篇期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 2篇氮化镓
  • 2篇氧化锌
  • 2篇迁移率
  • 2篇晶须
  • 2篇MOCVD
  • 2篇MOCVD生...
  • 2篇衬底
  • 2篇T-ZNOW
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化铝
  • 1篇氮化铟
  • 1篇导体
  • 1篇电学性能
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇性能比较
  • 1篇性能表征
  • 1篇氧化碳
  • 1篇氧化锌晶须
  • 1篇异质结
  • 1篇渗流阈值

机构

  • 7篇中国科学院
  • 1篇南京电子器件...

作者

  • 7篇王晓亮
  • 3篇肖红领
  • 2篇冉军学
  • 2篇王翠梅
  • 2篇杨翠柏
  • 1篇张小宾
  • 1篇李晋闽
  • 1篇马泽宇
  • 1篇姜丽娟
  • 1篇李建平
  • 1篇冯春
  • 1篇胡国新
  • 1篇陈堂胜
  • 1篇张明兰
  • 1篇殷海波
  • 1篇唐健

传媒

  • 2篇Journa...
  • 2篇第十五届全国...

年份

  • 1篇2010
  • 6篇2008
  • 1篇2007
2 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
MOCVD生长GaN的数值模拟和喷淋式反应室结构优化
对喷淋式MOCVD反应室内的输运过程及GaN的材料生长进行了二维数值模拟研究。在模拟计算中,分别改变反应腔体几何形状、顶盘入气小孔分布方式等条件,得到反应室内流场、热场及薄膜沉积速率的相应变化。根据对模拟结果的分析,发现...
殷海波王晓亮冉军学胡国新肖红领王翠梅杨翠柏李晋闽侯洵
关键词:GANMOCVD数值模拟流场沉积速率
文献传递
T-ZnOw的制备及其吸波特性研究进展
四针状氧化锌晶须(T-ZnOw)以其独特的三维空间结构及优良的特性,在吸波材料等诸多领域有着广泛的应用前景,引起众多学者的关注。介绍了氧化锌晶须的结构和基本特性,着重综述了氧化锌晶须的制备及其吸波特性的研究进展;指出改性...
马泽宇王晓亮
关键词:氧化锌晶须吸波特性
文献传递
过渡族和稀土族元素掺杂GaN基稀磁半导体性能比较
实验中采用离子注入结合快速退火工艺,在MOCVD外延生长的n型GaN薄膜表面分别注入Mn、Cr、Gd、Sm离子,得到了厚度约200nm的稀磁半导体薄膜,并用XRD、RBS、SQUID对三种样品的微结构和磁性能进行了测试分...
姜丽娟王晓亮王翠梅肖红领冉军学李晋闽王占国侯洵
关键词:稀磁半导体氮化镓离子注入快速退火
文献传递
SiC衬底GaN基HEMT结构材料与器件
使用金属有机物化学气相外延(MOCVD)技术在50 mm半绝缘6H-SiC衬底上生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEM)材料。50 mmHEM外延片平均方块电阻为305.3Ω/□,不均匀性为3.85%。使用此...
王晓亮陈堂胜唐健肖红领王翠梅李晋闽王占国侯洵
关键词:氮化镓高电子迁移率晶体管功率器件
文献传递
蓝宝石衬底上单晶InN薄膜的MOCVD生长
2007年
采用非掺GaN为缓冲层,利用金属有机物气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的InN单晶薄膜.用光学显微镜观察得到的InN薄膜,表面无铟滴生成.INN(0002)X射线双晶衍射摇摆曲线的半峰宽为9.18;原子力显微镜测得的表面平均粗糙度为18.618nm;Hall测量得到的InN薄膜的室温背景电子浓度为1.08×1019cm-3,相应的迁移率为696cm2/(V·s).
肖红领王晓亮杨翠柏胡国新冉军学王翠梅张小宾李建平李晋闽
关键词:氮化铟MOCVD迁移率
Simulation and research of percolation phenomenon in T-ZnOw resin matrix composite
2010年
A novel three-dimensional lattice model of tetrapod-like zinc oxide whisker(T-ZnOw) resin matrix composite with a coordination number of 12 is constructed based on the special structure of T-ZnOw;the percolation phenomenon of the system is simulated by the Monte Carlo method,and the percolation threshold is obtained at 23.2%.The critical mixing ratio of T-ZnOw is calculated by considering the practical factors,and the result basically agrees with the reported one.Theoretical calculation shows that the critical mixing ratio mainly depends on the L/D ratio of T-ZnOw, and is also related to the size of T-ZnOw as well as the preparation method of the composite.The microwave absorbing mechanism of T-ZnOw composite is discussed,and conductivity loss and point discharge caused by the polarization effect are regarded to be two important means of energy dissipation.
马泽宇王晓亮王翠梅肖红领杨翠柏
关键词:四针状氧化锌晶须树脂基复合材料渗流阈值
AlGaN/AlN_a/GaN/AlN_b/GaN HEMT结构材料生长及性能表征
设计了一种具有双AlN插入层的AlGaN/AlN_a/GaN/AlN_b/GaN HEM结构材料,用以提高沟道对2DEG的限制作用、改善材料的电学性能。采用MOCVD技术生长了该结构,重点研究了第一AlN_b插入层的生长...
肖红领王晓亮张明兰马志勇王翠梅杨翠柏唐健冉军学李晋闽王占国侯洵
关键词:HEMT氮化铝电学性能二维电子气
文献传递
AlGaN/GaN异质结气体传感器对低体积分数CO的响应研究
研究了基于AlGaN/GaN异质结材料的肖特基二极管气体传感器对于体积分数为2×10-4~10-3的CO气体的响应状况。在2 V正向偏压下,器件对于低至体积分数2×10-4的CO仍表现出了明显的响应(电流增大0.7 mA...
冯春王晓亮杨翠柏肖红领王翠梅侯奇峰马泽宇王军喜李晋闽王占国侯洵
关键词:ALGAN-GAN肖特基气体传感器氧化碳
文献传递
共1页<1>
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