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Ar Pressure Dependence of the Properties of Molybdenum-doped ZnO Films Grown by RF Magnetron Sputtering: 2007年; 有高透明性和相对低的抵抗力的做铝的氧化锌(MZO ) 的透明进行氧化物电影被 RF (收音机频率) 准备磁控管在房间温度劈啪作响。在不同 Ar 压力下面扔的电影的结构、电、光的性质是当 Ar 压力增加，这些电影的性质沿着 c-axis.The 抵抗力与六角形的结构和比较喜欢的取向是多晶的模式表演增加的 investigated.XRD (X 光检查衍射) 。最低抵抗力完成了 is9.2X10^( 为与 30cm2 · V ^ 的霍尔活动性在 0.6 Pa 的 Ar 压力扔的样品的 -4)OMEGA · cm (-1) · s^(-1)and 2.3X10 ^(20 ) 的搬运人集中 cm^(-3) 。在可见范围的平均发射度为所有样品超过 88% 。光乐队差距与从 0.6 ～ 3.0 Pa 增加 Ar 压力从 3.27 减少到 3.15eV。; Xianwu XIUZhiyong PANGMaoshui LVYing DAILi＇na YEShenghao HAN

原位诱导结晶低温制备α-Al_2O_3纳米粉体: 2008年; 为了研究在较低的温度下制备α-Al2O3纳米粉体工艺路线,以Al(NO3)3.9H2O和NH3.H2O溶液为原料,经改进的沉淀反应和原位诱导结晶,制备了分散性能良好的α-Al2O3纳米粉体.用XRD、TEM等技术研究了产物的物相、组成和形貌.结果表明,改进的沉淀反应和原位诱导结晶相结合,可有效的降低煅烧温度.在900℃煅烧2 h,即可得到尺寸分布均匀,结晶性好,分散性能良好的α-Al2O3纳米粉体.NH4NO3的存在对于α相变具有明显的促进作用.; 高善民赵静韩新利张江戴瑛黄柏标; 关键词：氧化铝沉淀法纳米粉

CuAlO_2纳米晶的水热-分解制备及表征被引量：4: 2006年; 采用新制备的Cu2O和Al(OH)3为反应原料,利用水热-分解法制备了p型半导体CuAlO2纳米晶。采用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)和紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱对其结构、形貌、表面组分和性能进行了表征分析,对反应机理进行了讨论。结果表明在水热条件下首先是Al(OH)3转化为-γAlOOH,然后γ-AlOOH分解并与Cu2O反应生成CuAlO2纳米晶。确定了以Cu2O和Al(OH)3溶胶为反应原料,采用水热-分解法制备CuAlO2纳米晶的最佳反应条件。; 高善民张江王群戴瑛黄柏标; 关键词：P型半导体纳米晶

金刚石N型导电研究: 2004年; 金刚石n型材料是近年来金刚石半导体器件研究的关键因而成为半导体材料领域研究的热点之一.本文通过理论计算对n-型材料研究中存在的磷(P)掺杂材料电子激活能量太高及掺硼p-型金刚石材料出现的导电类型转换现象进行了分析和探讨.; 戴瑛刘东红闫翠霞俞林杨剑; 关键词：金刚石半导体

氘化硼掺杂金刚石n型电导的研究被引量：2: 2005年; 室温下缺少浅施主中心,已经成为金刚石材料制造电子器件的主要障碍之一。最近报道显示硼掺杂p型同质外延金刚石暴露在氘离子束中能形成浅施主态的n型电导,这是在外延金刚石材料中首次测出的浅施主能级。本文分析研究了目前p型金刚石出现导电类型转换这一新现象的最新研究进展。; 俞琳刘东红胡连军戴瑛龙闰闫翠霞; 关键词：金刚石氘化掺杂

β-甲壳质纳米颗粒的制备与热稳定性被引量：1: 2006年; 鱿鱼软骨为原料，用微乳液与超声技术，在由聚氧乙烯醚、正辛烷和水组成的乳状液中，60℃超声条件下酸解，制得β-甲壳质纳米材料。结果表明，适宜的酸解用酸浓度为1．2-2．2mol／L。采用X射线衍射（XRD）、红外光谱（IR）对产物进行了表征。透射电子显微镜（TEM）分析表明，酸的浓度对产物的形貌和粒度有较大影响。热分析结果表明，β-甲壳质纳米颗粒在200℃以下是稳定的，随着温度的升高，β-甲壳质纳米颗粒逐步分解，700℃时只剩余少量灼烧残渣。; 张江高善民戴瑛黄柏标; 关键词：微乳液热稳定性

硼/氢掺杂金刚石薄膜导电特性研究被引量：4: 2006年; 金刚石是非常理想的功能器件材料,由于室温下金刚石缺少浅施主态,已成为金刚石作为电子器件材料的主要障碍之一。最近报道显示,硼掺杂同质外延金刚石层暴露在氘离子束中能形成浅施主态的n型电导。研究了CVD合成类Ⅰb型金刚石薄膜,通过硼、氢离子注入掺杂及退火温度对金刚石薄膜导电特性的影响。; 刘东红闫翠霞俞琳胡连军龙闰戴瑛; 关键词：金刚石掺杂离子注入喇曼光谱

金刚石N型导电研究: 金刚石n型材料是近年来金刚石半导体器件研究的关键因而成为半导体材料领域研究的热点之一.本文通过理论计算对n-型材料研究中存在的磷(P)掺杂材料电子激活能量太高及掺硼p-型金刚石材料出现的导电类型转换现象进行了分析和探讨。; 戴瑛刘东红闫翠霞俞林杨剑; 关键词：金刚石半导体; 文献传递

B离子注入引起的金刚石薄膜体积膨胀现象: ＜正＞金刚石半导体器件的实现有赖于金刚石N型或P型导电材料的获得。离子注入是获得金刚石N型或P型导电材料的有效途径之一。然而,离子注入对金刚石的晶格结构有破坏作用,造成金刚石薄膜体积的膨胀。关于合成金刚石薄膜离子注入带来...; 闫翠霞戴瑛刘东红俞林龙闰张振奎张智伟杨可松郭猛杨剑; 文献传递

B离子注入引起的金刚石薄膜体积膨胀现象: 2006年; 离子注入是获得金刚石N型或P型导电材料的有效途径之一。然而,离子注入对金刚石的晶格结构有破坏作用,造成金刚石薄膜体积的膨胀。本文对B离子注入合成Ib型金刚石薄膜后体积膨胀现象进行了研究,分析了引起体积膨胀的可能因素及原因。; 闫翠霞戴瑛刘东红; 关键词：退火

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