国家高技术研究发展计划(2001AA3130090)
- 作品数：9 被引量：46H指数：4
- 相关作者：朱长纯史永胜何伟张秀霞王琪琨更多>>
- 相关机构：西安交通大学陕西科技大学沈阳工程学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 碳纳米管场致发射显示器的研究进展被引量：4
- 2008年
- 碳纳米管场致发射显示器(CNT-FED)具有驱动电压低、功耗小和制造成本低廉等优势,有望成为下一代平板显示器件的主流产品。全面系统地分析了制约CNT-FED商品化进程中的关键技术:碳纳米管定向可控生长、阴极低的开启场、高的电流发射密度、大面积发射均匀性、长寿命稳定发射以及低成本制造工艺等的研究进展,结合我们的课题研究与国内外现状,提出了实现碳纳米管场致发射显示器产业化的发展方向与研究途径。
- 史永胜张媛媛何伟朱长纯
- 关键词：碳纳米管场致发射显示器阴极
- 碳纳米管场致发射阴极浆料的研制
- 2008年
- 通过筛选阴极浆料中的载体、不同种类的粘结剂和添加剂,开发出具有优良场致发射性能的大面积、低成本丝网印刷复合阴极浆料并烧结制成阴极。结果表明:在电场强度为3.2V/μm下其电流密度约为42×10–3A/cm2,场发射均匀性很好,二极管型发光板发光亮度为625cd/m2。该阴极适用于制作大面积的CNT-FED阴极和液晶显示器的背光源。
- 史永胜何伟张媛媛
- 关键词：电子技术碳纳米管浆料阴极
- 碳纳米管场致发射显示器支撑墙配置的优化设计被引量：9
- 2003年
- 采用梯度法对大屏幕碳纳米管场致发射显示器的支撑墙密度进行了优化设计.以支撑墙相邻间距、支撑墙的长度和宽度作为优化设计参数,预先设定的面板应力以及应变值作为目标函数,利用ANSYS有限元分析软件进行结构分析,其最佳分析结果变形值为0 487×10-5m,应力值为0 167×107Pa.为了验证分析结果,制作了一个12 7cm碳纳米管场致发射显示器样品,测量屏面板垂直方向的应变值,并与计算值对比分析,实验结果与计算分析结果吻合得较好.将优化结果与其他模拟结果比较对比可知,该优化方法能节约支撑墙制造成本30%以上,表明该优化设计方法对显示器支撑墙设计是有效的.该方法还适合其他真空器件及各种不同尺寸的真空显示器结构设计.
- 史永胜朱长纯
- 关键词：场致发射显示器有限元方法优化设计
- 新型圆柱结构的场发射碳纳米管发光管被引量：1
- 2006年
- 设计了一种新型结构的场发射碳纳米管发光管,采用热解法直接生长在钨丝上的碳纳米管作为发光管阴极,获得了新的碳纳米管生长工艺.扫描电子显微镜的表面形貌分析表明,钨丝上碳纳米管的顶端有许多分叉.在常温且真空度为10-4Pa的条件下,测试了钨丝上碳纳米管的电流-电压发射特性,测得开启电场强度为1.25 V/μm左右.当电场强度为2.0 V/μm时,电流密度可达320 A/m2.测试了发光管的发光特性,当电压为300 V时,亮度可达1 600 cd/m2.这种低成本、低耗能、高亮度的新结构碳纳米管发光管,有效地提高了场发射效率和发光亮度,可用于交通指示和大屏幕显示器.
- 张秀霞朱长纯
- 关键词：碳纳米管场发射发光管发光亮度
- 基于丝网印刷大面积碳纳米管阴极场发射的研究被引量：15
- 2003年
- 针对碳纳米管(CNT)阴极场发射均匀性这一关键难题,根据CNT场发射理论制备了一种新型碳纳米管阴极印刷浆料.实验表明:质量分数约为20%的纯化CNT与4.2%的导电氧化物粘接材料混合形成的印刷浆料,其阴极具有较佳的发射均匀特性.用丝网印刷技术制作成的大面积(对于线长度大于12.5cm)阴极,再经过快速烧结技术及两步后处理工艺,既能除掉粘接材料又能使CNT很好地与衬底固定,并使碳纳米管部分直立和充分暴露,进一步改善了发射均匀性.该均匀发射的阴极开启场为2.0V/μm,在电场强度为2.5V/μm下,电流密度为35mA/mm2,发光亮度为300cd/m2,场发射电流稳定,其波动性小于4.5%.该阴极可望应用于场致发射显示器,液晶显示的背光源、电光源等器件.
- 史永胜朱长纯王琪琨
- 关键词：碳纳米管阴极丝网印刷
- 基于半导体工艺制备碳纳米管阴极图形阵列被引量：2
- 2003年
- 提出一种成本低、简单易行的碳纳米管图形阵列制备技术。首先在硅基底上采用热解工艺生长碳纳米管(CNT)阴极,再用光刻腐蚀法制备阴极图形阵列。研究了掩模精度及腐蚀液的浓度对图形阵列的影响,对所得到的图形样品进行XPS分析表明,图形腐蚀彻底、图形边沿轮廓清晰;以二极管结构FED测试场发射性能知:该阴极开启场1.5V/μm;在电场强度为2.0V/μm下,电流密度为58mA/mm2,发光亮度高达450cd/m2。
- 朱长纯史永胜李琰
- 关键词：碳纳米管场致发射显示器
- 溅射功率对AZO透明导电薄膜的影响被引量：5
- 2011年
- 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积了AZO透明导电薄膜,并用原子力显微镜观测了薄膜表面形貌,XRD测试了薄膜相结构和单色仪测试了薄膜透射率。结果表明,制备的薄膜具有高度c轴择优取向性,其表面平整,晶粒均匀致密。当溅射功率为180W、溅射气体流量为15sccm、基片温度为200℃时制得的薄膜方阻为10Ω/□,在可见光区平均透射率大于85%。
- 史永胜陈阳阳宁青菊秦双亮宁磊
- 关键词：AZO射频磁控溅射溅射功率方阻透射率
- 丝网印刷碳纳米管薄膜的电子发射被引量：2
- 2008年
- 将碳纳米管(CNT)浆料印刷在不锈钢衬底上,进行了特殊的热烧结和后处理工艺处理。经过特殊热烧结和后处理工艺处理后的试样,在外加电场后,电子发射的开启电场从2.50V/μm降低到1.40V/μm;外加电场为3.30V/μm时场发射电流从8.50μA/cm2提高到350μA/cm2,场发射效率提高;当场强为4.0V/μm时,阳极上荧光点的面密度约从(5～8)个/cm2提高到(22～26)个/cm2,发射均匀性得到有效的提高。讨论了丝网印刷CNT薄膜中电子的场发射实验,表明特殊的热烧结和后处理工艺使CNT之间的残留物厚度变薄,而且使更多的CNT均匀地露出薄膜表面,只有电子隧穿达到裸露的CNT才能有效地发生场发射。
- 张秀霞朱长纯曾凡光
- 关键词：丝网印刷碳纳米管薄膜后处理场致发射
- 集成门极换流晶闸管驱动电路的研究被引量：8
- 2005年
- 根据集成门极换流晶闸管驱动电路基本逻辑功能的要求,提出应用电子设计自动化技术和复杂可编程逻辑器件芯片实现高可靠性、单片化、灵活设计的方案,设计出一种采用了硬驱动和集成门极技术的集成门极换流晶闸管门极驱动电路.该电路具有结构简单,开关速度快,可靠性高,增加保护电路和测试电路方便等优点.电路仿真结果表明,开通时门极电流可在2μs内迅速达到200A左右,关断时电流门极电流可在4μs内抽取400A左右,符合集成门极换流晶闸管开通和关断时的特性要求.
- 朱长纯吴春瑜王颖刘兴辉尹常永
- 关键词：集成门极换流晶闸管驱动电路复杂可编程逻辑器件
