您的位置： 专家智库 > >

国家自然科学基金(60244001)

作品数：15 被引量：60H指数：5
相关作者：罗毅孙长征郝智彪郭文平韩彦军更多>>
相关机构：清华大学中国科学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信环境科学与工程电气工程机械工程更多>>

文献类型

  • 15篇中文期刊文章

领域

  • 11篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 4篇GAN
  • 3篇二极管
  • 3篇发光
  • 3篇发光二极管
  • 2篇氮化镓
  • 2篇电阻
  • 2篇多量子阱
  • 2篇多量子阱材料
  • 2篇量子阱材料
  • 2篇P型
  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇等离子体
  • 1篇电场
  • 1篇电吸收
  • 1篇电吸收调制
  • 1篇电吸收调制器
  • 1篇电子能
  • 1篇电子能谱
  • 1篇电子器件

机构

  • 14篇清华大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 14篇罗毅
  • 9篇郝智彪
  • 9篇孙长征
  • 6篇郭文平
  • 5篇韩彦军
  • 4篇薛松
  • 4篇胡卉
  • 4篇邵嘉平
  • 3篇熊兵
  • 3篇王健
  • 2篇田建柏
  • 2篇唐广
  • 2篇蔡鹏飞
  • 2篇何为
  • 2篇钱可元
  • 1篇周进波
  • 1篇吴桐
  • 1篇张家宝
  • 1篇汪莱
  • 1篇谢亮

传媒

  • 9篇Journa...
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇物理学报
  • 1篇稀有金属
  • 1篇中国有色金属...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇Scienc...

年份

  • 8篇2005
  • 5篇2004
  • 2篇2003
共 15 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
高In组分In_xGa_(1-x)N/GaN多量子阱材料电致荧光谱的研究被引量：4
2005年
研究了高In组分InxGa1-xN/GaN(x≈30%)多量子阱(MQWs)结构发光二极管样品在不同注入电流下的电致荧光(EL)谱及反常的双峰现象.结果表明:有源区内建电场在外界电流注入条件下逐渐受屏蔽,这一效应在高In组分InxGa1-xN/GaNMQWs材料的发光复合机理中占有重要地位.
邵嘉平胡卉郭文平汪莱罗毅孙长征郝智彪
关键词：多量子阱材料GAN荧光谱发光二极管内建电场
基于同一外延层结构的10Gb/s单片集成光发射模块(英文)被引量：1
2005年
利用同一外延层集成工艺方法制作了10Gb/s电吸收调制器/分布反馈(DFB)半导体激光器单片集成光发射模块.在器件中引入增益耦合机制以提高单模成品率,并采用感应耦合等离子体干法刻蚀技术以降低调制器电容.集成器件阈值电流为12mA,在-2V偏置时的消光比为15dB,器件的小信号调制带宽超过10GHz.在10Gb/s 调制速率下经过35km单模光纤传输后,误码率为10-12时的功率代价小于1dB.
孙长征熊兵王健蔡鹏飞田建柏罗毅刘宇谢亮张家宝祝宁华
关键词：分布反馈激光器电吸收调制器增益耦合
GaN基绿光LED材料蓝带发光对器件特性的影响被引量：2
2004年
分析比较了在不同外延生长条件下 Ga N基高 In组分绿光 L ED材料室温和低温 10 K下光致发光谱中蓝带发光峰 ,研究了外延结构中 p型层蓝带峰发光特性对材料晶体质量和器件电光转换效率的影响 .结果表明 :通过优化 p型层的外延生长条件 ,可有效降低和消除其蓝带发光峰较之多量子阱主峰的相对强度 ,有利于提高 L ED器件特别是高 In组分绿光 L ED器件在同等注入电流条件下的发光功率 .
邵嘉平郭文平胡卉郝智彪孙长征罗毅
关键词：GANLED材料
利用光聚合反应制作表面平整的聚合物光栅被引量：3
2005年
提出利用紫外光聚合反应来制作聚合物光栅的方法 .实验发现 ,光栅的表面起伏深度很小 ,约为 12 4～0 7nm ;折射率调制较大 ,达到 0 0 10左右 .这种方法在低阶分布反馈聚合物激光器的制作中具有很好的应用前景 .
周进波孙长征熊兵王健罗毅
氧气等离子体处理对AlGaN肖特基接触的影响被引量：1
2004年
研究了不同的干法刻蚀以及氧气等离子体处理条件对AlGaN表面特性的影响。在合适的条件下,氧气等离子体处理可以使AlGaN表面发生氧化,并使肖特基接触的反向漏电流降低两个数量级,反向击穿电压也有显著提高。该方法简单易行,可应用于制备高性能的AlGaN/GaNHEMT器件。
唐广郝智彪钱可元罗毅
关键词：ALGAN肖特基接触等离子体
p型GaN欧姆接触的比接触电阻率测量被引量：7
2005年
采用多种传输线模型方法,测量了p型GaN上的欧姆接触的比接触电阻率.通过比较和分析不同测量方法所得的结果之间的差异,得出了一个准确、可靠测量p型GaN上的欧姆接触的比接触电阻率的方法———圆点传输线模型方法.利用该方法优化了p型GaN上欧姆接触的退火温度,在氧气气氛中650℃退火后获得了最优的欧姆接触,其比接触电阻率为5 12×10-4Ω·cm2.
薛松韩彦军吴震罗毅
关键词：比接触电阻率传输线模型
不同AlGaN层厚度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的静态特性(英文)
2003年
利用金属有机化合物气相外延技术研究了 Al Ga N/ Ga N高电子迁移率晶体管 (HEMT)结构的外延生长及器件制作 ,重点比较了具有不同 Al Ga N层厚度的 HEMT器件的静态特性 .实验发现具有较薄 Al Ga N隔离层的结构表现出较好的器件特性 .栅长为 1μm的器件获得了 6 5 0 m A/ m m的最大饱和电流密度和 10 0 m S/ mm的最大跨导 .
吴桐郝智彪唐广郭文平胡卉孙长征罗毅
关键词：高电子迁移率晶体管氮化镓功率器件
GaN基发光二极管芯片光提取效率的研究被引量：20
2005年
基于蒙特卡罗方法模拟分析了限制GaN基发光二极管(LEDs)芯片光提取效率的主要因素。结果表明,GaN与蓝宝石之间的较大折射率差别严重限制了芯片光提取效率的提高,通过蓝宝石背面出光比通过p型GaN层的正面出光的芯片光提取效率至少高20%;同时,低GaN光吸收系数、高电极反射率以及环氧树脂封装可以有效的增加芯片光提取效率,并且LEDs芯片尺寸在400μm以下时光提取效率较高。
申屠伟进胡飞韩彦军薛松罗毅钱可元
关键词：发光二极管蒙特卡罗方法芯片尺寸LEDSP型
GaAs图形衬底上InAs量子点生长停顿的动力学蒙特卡罗模拟被引量：4
2005年
采用动力学蒙特卡罗模拟方法对GaAs图形衬底上自组织生长InAs量子点的停顿过程进行了研究.用衬底束缚能的表面分布模拟衬底图形,考察生长之后的停顿时间对量子点形成的影响.结果表明,合适的停顿时间使图形衬底上的量子点分布更趋规则化,对量子点的定位生长有积极的影响.
何为郝智彪罗毅
关键词：量子点
p型GaN材料的表面物理特性被引量：7
2003年
运用 X射线光电子能谱 (XPS)和俄歇电子能谱 (AES)等表面分析手段对表面状态不同的 p- Ga N样品进行了分析 .在样品表面制作了 Ni/ Au电极并进行了 I- V特性测试 .实验结果表明样品表面镓氮元素化学比 (Ga/ N)的减小以及 C,O杂质含量的减少可以改善电极的欧姆接触性能 .
薛松韩彦军郭文平孙长征郝智彪罗毅
关键词：P-GAN表面物理特性XPSAESX射线光电子能谱俄歇电子能谱
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0