安徽省自然科学基金(03044703)
- 作品数：18 被引量：68H指数：5
- 相关作者：李合琴赵之明何晓雄顾金宝王淑占更多>>
- 相关机构：合肥工业大学中国科学院中国电子科技集团公司更多>>
- 发文基金：安徽省自然科学基金中国科学院“百人计划”安徽省红外与低温等离子体重点实验室基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺电气工程理学更多>>
- 纳米Ni-20Fe颗粒增韧Al_2O_3复合材料的力学性能与磁性能被引量：7
- 2006年
- 用机械化学及热压烧结方法成功制备了高致密Ni-20Fe/Al2O3纳米复合材料。通过X-ray、FE-SEM、力学性能、磁性能测试,结果表明,复合后材料断裂韧性从纯-αAl2O3相的4.7 MPa.m1/2提高到6.2 MPa.m1/2(19%(Ni-20Fe)/Al2O3),断裂方式有沿晶断裂和穿晶断裂两种。当Ni-20Fe合金的体积百分数达到19%时,复合材料的饱和磁化强度达33 emu/g,矫顽力为200 Oe,且在低于500℃的情况下,矫顽力基本不随温度而变,具有良好的磁热稳定性。
- 李合琴何晓雄曹闰秦晓英
- 关键词：纳米复合材料氧化铝饱和磁化强度
- 掺氮ZnO薄膜的光致发光特性研究被引量：2
- 2009年
- 采用射频磁控溅射技术,通过改变O2∶N2比在玻璃衬底上制备不同浓度N掺杂的ZnO薄膜,研究了掺杂薄膜的光致发光(PL)特性。观察到370～380nm、390～405nm附近的2个荧光峰。结果表明,随着薄膜中N掺杂量的不同,荧光峰峰位发生了相应的变化,强度也发生了明显的变化。当Ar∶O2∶N2为15∶7∶8时,薄膜中N含量最多,分别在374nm、391nm处出现了发光峰且发光强度最佳,此时薄膜已明显表现出p型ZnO薄膜的特征。
- 沈洪雪李合琴方广志
- 关键词：P型ZNO薄膜荧光光谱红移
- 射频磁控反应溅射制备ZnO/AlN双层膜的结构和性能
- 2008年
- 采用射频磁控反应溅射在Si(100)衬底上制备了ZnO/AlN双层膜。使用X射线衍射仪、原子力显微镜(AFM)、LCR测试仪及荧光分光光度计等仪器对样品进行了结构、表面形貌、导电性及荧光光谱的测试,并与相同工艺下制备的ZnO单层薄膜进行了对比研究。结果表明,ZnO/AlN双层膜的c轴择优取向性优于单层ZnO薄膜,薄膜应力更小,且为压应力,晶粒尺寸大于单层膜,表面粗糙度较小,并且其电阻率更低。荧光光谱显示,ZnO/AlN双层膜的结晶质量更好。
- 巫邵波李合琴王淑占顾金宝赵之明
- 关键词：射频磁控反应溅射缓冲层表面形貌电阻率荧光光谱
- Ca_(1-x)Y_xMnO_3体系的电磁输运性能及团簇玻璃态行为被引量：2
- 2005年
- 文章系统地研究了电子型掺杂Ca1-xYxMnO3(0
- 李合琴陈志宝
- 关键词：钙钛矿锰氧化物
- 用内耗技术研究La_(0.7)Pb_(0.3)MnO_3巨磁电阻材料被引量：1
- 2003年
- 用低频扭摆法在多功能内耗仪上测量了巨磁电阻材料La_0.7Pb_O.3MnO_3(LPMO)的温度内耗谱和弹性模量.结果表明,内耗峰位与测量频率无关,并且峰高与频率成反比,弹性模量在对应的内耗峰处有明显的转折,内耗峰表现为相变峰的特征.结合电阻和磁化率的测试,解释了内耗和电阻-温度曲线的双峰现象,高温内耗峰和高温电阻峰与居里温度有很好的对应,来源于顺磁半导体向铁磁金属的转变,低温内耗峰和磁化率的单调下降来源于铁磁相分离过程,而较大的低温电阻峰部分来源于相分离过程.
- 李合琴何晓雄方前锋
- 关键词：巨磁电阻效应内耗
- La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3/La_(0.75)MnO_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3庞磁电阻三层膜的制备及结构形貌和性能被引量：2
- 2004年
- 用磁控溅射法在 (0 0 1)取向的LaAlO3单晶基片上制备了La0 .6 7Sr0 .33MnO3/La0 .75MnO3/La0 .6 7Sr0 .33MnO3外延三层膜。结果表明 ,与La0 .6 7Sr0 .33MnO3单层膜相比较 ,外延三层膜的X射线衍射图上出现 3级衍射峰 ,每级衍射峰由 3个峰组成 :其中强度最高的衍射峰代表衬底的衍射 ;次强的代表上下两层La0 .6 7Sr0 .33MnO3膜 ;最弱的代表中间La0 .75MnO3层。三层膜的二维原子力表面形貌为均匀的小颗粒状 ,表明其三维形貌为外延岛状柱状晶。这种三层膜的巨磁电阻效应与中间层La0 .75MnO3的厚度有关 ,当中间层厚度为 70nm时 ,其最大磁电阻值可达到 3 2 % ,这个结果优于La0 .6 7Sr0 .33MnO3单层膜的巨磁电阻效应。其可能的原因是电子在界面上的散射、层间的交互作用 ,以及点阵错配导致的内应力的综合结果。
- 李合琴何晓雄方前锋
- 关键词：X射线衍射原子力显微镜庞磁电阻
- 掺氮类金刚石薄膜的显微结构和光谱学研究被引量：12
- 2008年
- 本文利用射频磁控溅射法,以高纯N2、Ar混合气体为溅射气体,用高纯石墨靶在Si(100)基片上制备出掺氮的类金刚石薄膜(DLC∶N)。拉曼光谱(Raman)测试表明该薄膜仍然是类金刚石结构,对其进行拟合后得两个特征峰,分别是在1342.9 cm-1的D峰和1555.3 cm-1的G峰,ID/IG=0.45;X射线光电子能谱(XPS)表明薄膜含氮量为24%,XPS光谱的C1s和N1s的芯能级证实了薄膜中的碳氮进行了化合,形成了C-N、C=N、C≡N,说明薄膜中形成了非晶碳氮结构;傅里叶变换红外透射光谱(FTIR)也表明了薄膜中碳氮进行了化合;扫描电子显微镜(SEM)结果表明,实验所制备的薄膜表面均匀、致密、光滑,从横截面图像观察,薄膜与衬底结合紧密,薄膜的厚度大约为150 nm。
- 李合琴何晓雄王淑占巫邵波赵之明
- 关键词：射频磁控反应溅射掺氮类金刚石薄膜X射线光电子能谱扫描电子显微镜
- 高致密Ni-Fe/Al_2O_3纳米复合材料的制备及其断裂韧性研究被引量：5
- 2004年
- 为提高氧化铝陶瓷断裂韧性,该文采用机械-化学法(Mechano-chemcialMethod)合成出高分散的Ni-Fe/Al2O3纳米复合粉体,并采用高温热压烧结工艺,制备出了高致密、颗粒细小、分散均匀的氧化铝基纳米复合材料。热压块体相对密度最高达到99%,Ni-Fe晶粒大小为100～500nm。断裂韧性从单相α-Al2O3的4.75MPa·m1/2提高到6.24MPa·m1/2,φ(Ni-Fe/Al2O3)=19%。通过对材料微结构的表征,讨论了纳米Ni-Fe颗粒增韧氧化铝陶瓷的机理。
- 曹闰李合琴秦晓英
- 关键词：纳米复合材料NI-FE合金热压烧结断裂韧性
- Na掺杂钙钛矿型锰氧化物的庞磁电阻效应及团簇玻璃态行为被引量：6
- 2006年
- 研究了钙钛矿型锰氧化物La1-xNaxMnO3(x=0.1,0.2)多晶块材的电磁输运性能和庞磁电阻(CMR)效应以及低温下的团簇玻璃态行为。研究表明该材料具有菱形(R3C)结构,材料的居里温度TC均在室温或室温以上,样品的电阻率随温度变化的-ρT曲线出现3个峰,定义中间最高电阻峰温度为TP1,低温电阻峰温度为TP2,高温电阻峰温度为TP3。综合磁化强度测量的结果,认为TP1与居里温度TC相对应,来源于顺磁绝缘体向铁磁金属的转变,同时在此附近出现较大的低场室温磁电阻(LFMR)效应,TP2峰出现的原因是在此温度附近出现了相分离。另外,磁化强度测量观察到La0.8Na0.2MnO3低温下的团簇玻璃态行为,其出现原因认为是随着Na+离子掺杂量的升高,样品中的Mn4+离子数量增加并且Mn3+和Mn4+离子不均匀分布。
- 李冠欣李合琴
- 关键词：庞磁电阻效应
- 巨磁电阻材料La_(0.85)MnO_3的低频内耗和电磁性能
- 2003年
- 用低频扭摆法在多功能内耗仪上测量了自掺杂巨磁电阻材料La0.85MnO3的温度内耗谱。结果表明内耗峰位不随频率的变化而变化,但峰高和频率成反比且对应的内耗峰处模量有明显变化,这说明对应的内耗峰处的变化是由某种相变引起的。内耗、电阻及磁化率曲线的对应关系,说明该材料出现了顺磁-铁磁转变和半导体-金属转变,所伴随的结构变化导致了内耗峰的出现。
- 尹文红李合琴
- 关键词：巨磁电阻材料电磁性能低频内耗巨磁电阻效应居里温度
