国家教育部博士点基金(20050701015)
- 作品数：21 被引量：51H指数：4
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- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 一种采用0.5μm CMOS工艺的多通道SAR ADC被引量：2
- 2007年
- 设计并实现了一个多通道12位逐次逼近(SAR)A/D转换器。转换器内部集成了多路复用器和并行到串行转换寄存器、复合型DAC等。整体电路采用Hspice进行仿真,转换速率为133 ksps,转换时间为7.5μs。通过低功耗设计,工作电流降低为2.48 mA。芯片基于0.5μmCMOS工艺完成版图设计,版图面积为2.4 mm×2.3 mm,流片测试满足设计指标。
- 彭新芒杨银堂朱樟明
- 关键词：CMOS工艺
- 一种基于衬底驱动的亚1V轨至轨运放设计
- 2008年
- 基于衬底驱动技术,本文设计了一种亚1V Rail-to-Rail运算放大器。在差分对衬底端加信号避开低压环境MOS管阈值电压限制,运用局部正反馈技术来增加增益和带宽。在0.8V电源电压,18pf的电容负载下用Hspice仿真,结果表明:直流增益达74.1dB,相位裕度为62o,单位增益带宽为4.56MHz,输出范围达2.72～782.17mV,失调电压仅为12μV,功耗为144.2μW。
- 朱冬勇杨银堂朱樟明陈杉
- 关键词：衬底驱动RAIL-TO-RAILCMOS运算放大器
- 基于Simulink的Sigma-DeltaA/D转换器调制器系统建模被引量：4
- 2008年
- 基于Sigma-Delta模数转换器结构,采用Simulink仿真工具提出了过采样Sigma-Delta调制器系统建模方法。结合调制器结构参数和电路噪声参数,建立了二阶低通型和二阶带通型过采样Sigma-Delta模数转换器调制器的非理想系统模型,并对调制器的功率谱密度图和信噪比进行仿真,验证了建模方法的正确性。
- 朱樟明杨银堂
- 关键词：SIMULINKSIGMA-DELTA调制器噪声
- 一种高效2.1声道D类音频功放设计被引量：1
- 2008年
- 基于CSMC 0.5μm DPDM CMOS工艺,实现了一种具有2.1声道的D类音频功率放大器的设计,该功放由一个全桥差分输出结构的重低音功率放大器和两个半桥单端输出结构的立体声功率放大器构成。详细介绍了2.1声道D类音频功放的整体结构、前置运算放大器和轨至轨比较器的电路设计。仿真和测试结果表明:在电源电压5 V,该功放可向3Ω负载电阻提供2.5 W+0.6 W×2的输出功率;在电源电压3～6 V范围内,最大转换效率可达90%以上;重低音通道的总谐波失真与噪声之和小于0.7%,立体声通道的总谐波失真与噪声之和小于1%。
- 刘帘曦朱樟明杨银堂
- 关键词：音频功率放大器脉宽调制总谐波失真
- 一种PWM/伪PFM双模调制的降压型DC/DC开关电源(英文)被引量：6
- 2008年
- 利用根据负载电流的大小变换调制模式的方法实现了一种降压型高转换效率的DC/DC开关电源.当控制电压占空比小于20%时,采用伪PFM（pseudo-pulse-frequency modulation）模式调制;占空比大于20%时,采用PWM（pulse-width modulation）模式调制,平均转换效率约为90%,输出电流范围为0.01-3.0A.控制芯片采用0.5μm DPDM CMOS工艺制造,并采用二次集成的方式在封装内部集成了功率p-MOSFET.
- 刘帘曦杨银堂朱樟明
- 关键词：脉宽调制占空比
- 一种0.8V衬底驱动轨对轨运算放大器设计被引量：2
- 2009年
- 采用衬底驱动技术设计低压低功耗轨对轨运算放大器。输入级采用衬底驱动MOSFET,有效避开阈值电压限制,将电源电压降至0.8V,实现低压下轨对轨共模输入范围。增加衬底驱动冗余差分对及反折式共源共栅求和电路实现恒定跨导控制,消除共模电压对输入级跨导的影响,输出采用前馈式AB类输出级,以提高动态输出电压范围。基于标准0.18μmCMOS工艺仿真运放,测得输出范围0.4～782.5mV,功耗48.8μW,电源抑制比58dB,CMRR65dB,直流开环增益63.8dB,单位增益带宽2.4MHz,相位裕度68°。版图设计采用双阱交叉空铅技术,面积为97.8μm×127.6μm。
- 杨银堂李娅妮朱樟明
- 关键词：衬底驱动低压低功耗轨对轨恒定跨导
- 一种基于衬底驱动PMOS晶体管的低压共源共栅电流镜被引量：1
- 2007年
- 基于衬底驱动PMOS晶体管设计了低压PMOS衬底驱动CMOS共源共栅电流镜电路(BDCCM),并讨论分析了其输入阻抗、输出阻抗和频率特性。基于TSMC 0.25μm 2P4M CMOS工艺的仿真和测试结果说明,BDCCM的最低输入压降要求只有0.3V,但是其输入输出线性度和频率带宽要比传统的共源共栅电流镜低,是低频低压CMOS模拟集成电路设计的新型高性能共源共栅电流镜。
- 朱樟明杨银堂尹韬张海军张宝君
- 关键词：衬底驱动电流镜CMOS低压低功耗
- 基于0.8μm BCD工艺的20W×2集成D类音频功放设计被引量：3
- 2008年
- 基于0.8μm BCD工艺完成了一种具有高转换效率的20W×2立体声集成音频功率放大器.该放大器可在18V电源电压下以全桥输出的方式向8Ω负载提供超过20W的功率,其转换效率可达85%以上.介绍了功率输出级、过流保护电路以及高性能轨-轨比较器的设计,并基于横向双扩散MOSFET器件结构讨论了功率输出器件寄生效应对输出电压波形失真的影响.最后给出了所设计的D类音频功率放大器的测试结果.
- 刘帘曦朱樟明杨银堂过伟史斌
- 关键词：D类功率放大器全桥过流保护
- CMOS PWM D类音频功率放大器的过流保护电路被引量：6
- 2008年
- 基于Class-D音频功率放大器的应用,采用失调比较器及单边迟滞技术,提出了一种过流保护电路,其核心为两个CMOS失调比较器。整个电路基于CSMC0.5μmCMOS工艺的BSIM3V3Spice典型模型,采用Hspice对比较器的特性进行了仿真。失调比较器的直流开环增益约为95dB,失调电压分别为0.25V和0.286V。仿真和测试结果显示,当音频放大器输出短路或输出短接电源时,过流保护电路都能正常启动,保证音频放大器不会受到损坏,能完全满足D类音频放大器的设计要求。过流保护电路有效面积为291μm×59.5μm。
- 朱樟明过伟史斌杨银堂
- 关键词：音频功率放大器过流保护互补金属氧化物半导体
- 一种无滤波器的高效立体声D类音频功率放大器被引量：2
- 2009年
- 基于CSMC 0.5μm DPDM CMOS工艺设计了一种高效率的D类音频功率放大器,利用全差分型积分负反馈技术和全集成H桥式输出结构实现了该音频功放的无滤波器应用.仿真和测试结果均表明：在电源电压5 V,无外部滤波器,总谐波失真与噪声之和小于0.5%的条件下,该功放可向3Ω负载电阻提供大于3.5 W×2的输出功率;电源电压在3-6 V范围内,最大转换效率可达90%以上;电源电压为5 V,输出功率小于3.0 W时,每个通道的总谐波失真与噪声之和小于0.1%.
- 刘帘曦杨银堂朱樟明
- 关键词：音频功放总谐波失真
