云南省自然科学基金(2008CC012)
- 作品数：12 被引量：20H指数：3
- 相关作者：杨宇王茺李亮鲁植全杨洲更多>>
- 相关机构：云南大学中国科学院昆明理工大学更多>>
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- 离子束溅射自组装生长Ge/Si量子点浸润层的研究
- 采用离子束溅射技术,通过控制沉积量、温度等参数,在n型Si(100)衬底上自组装生长了一系列Ge量子点样品,利用AFM和Raman光谱对样品表面形貌和结构进行表征,并研究浸润层随生长参数的变化情况。结果表明,在离子束溅射...
- 张学贵王茺杨杰鲁植全潘红星李亮杨宇
- 关键词：离子束溅射GE量子点表面形貌RAMAN光谱
- 文献传递
- 温度对绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET电学特性的影响被引量：3
- 2013年
- 本文利用二维数值模拟方法,模拟分析了不同工作温度时绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET的输出特性和亚阈值特性。结果表明:随着器件工作温度的不断提高,漏源饱和电流单调减小;亚阈值电流略有增大;亚阈值摆幅的改变量ΔS与温度基本上成线性关系;阈值电压不断地向正方向偏移。通过考虑自热效应的影响,不同Ge组分器件的漏源饱和电流均有不同程度的降低,且随着Ge组分的增加,漏源饱和电流的降低幅度增大。
- 于杰王茺杨洲胡伟达杨宇
- 关键词：温度P-MOSFET自热效应
- Ge/Si量子点生长的研究进展被引量：1
- 2010年
- 回顾了近年来在Ge/Si量子点生长方面的研究进展。主要讨论了为了提高量子点空间分布有序性、增大量子点的密度、减小量子点的尺寸及改善其分布均匀性而采取的各种方法,如图形衬底辅助生长、表面原子掺杂及利用超薄SiO2层辅助生长等,以及Ge量子点的演变及组分变化。
- 鲁植全王茺杨宇
- 关键词：图形衬底
- 磁控溅射生长Ge/Si纳米岛的AFM和Raman光谱研究
- 采用AFM和Raman光谱对磁控溅射生长的一系列Ge/Si(100)纳米岛样品进行了研究,具体分析了Ge的沉积量、Ge的生长温度及Si缓冲层的生长温度等对Ge岛的影响。结果表明,在我们研究的范围内,随着沉积量增加Ge岛的...
- 鲁植全王茺杨杰张学贵潘红星李亮杨宇
- 关键词：AFMRAMAN光谱
- 文献传递
- 缓冲层生长温度对量子点生长的影响
- 采用离子束溅射技术,在生长了Si缓冲层的硅基底上制备了一系列Ge量子点样品。利用Raman光谱和AFM对样品进行表征,系统研究了随着缓冲层生长温度的改变,量子点的面密度和尺寸的演变规律。实验结果表明,通过控制缓冲层的生长...
- 潘红星王茺熊飞张学贵杨杰李天信杨宇
- 关键词：锗量子点离子束溅射
- 文献传递
- 溅射气压对Ge/Si纳米点表面形貌的影响被引量：1
- 2012年
- 利用磁控溅射技术在Si(100)衬底上直接外延生长一系列不同压强下的Ge纳米点样品,并利用AFM、Raman和XRF对Ge纳米点样品形貌和结构进行了研究。结果表明Ge薄膜表面粗糙度在某一临界压强下发生突变,高能粒子热化的临界值与这种转变密切相联;分析讨论了Ge岛在不同溅射气压下的生长过程,在一定范围随着压强的增大会显示典型生长阶段的特征。
- 叶小松王茺关中杰靳映霞李亮杨宇
- 关键词：磁控溅射表面形貌
- Ge 组分对应变 Si1-x Gex 沟道 P-MOSFET 电学特性影响被引量：2
- 2011年
- 利用二维数值模拟方法,研究了不同Ge组分应变Si1-xGex沟道p-MOSFET的电容-电压特性以及阈值电压的变化情况.计算结果表明:提高应变Si1-xGex沟道层中的Ge组分,器件亚阈值电流明显增大;栅电容在器件进入反型状态时产生显著变化;阈值电压的改变量与Ge组分基本成线性关系.通过改变Si1-xGex沟道的长度,并结合相关物理模型,在低电场情况下,沟道中的空穴迁移率与总电阻对沟道长度的微分成反比关系.
- 杨洲王茺王洪涛胡伟达杨宇
- 关键词：沟道P-MOSFET空穴迁移率栅电容
- Ge在Si(100)-2×1表面化学吸附的第一性原理研究被引量：2
- 2012年
- 应用密度泛函理论,构造了具有非对称二聚体结构的Si(100)-2×1重构表面,在系统研究了其表面结构及特性的基础上,计算了Ge在不同吸附位置的表面吸附能,以及吸附前后的表面投影态密度。计算结果表明:Ge原子在基位(pedestal)吸附最稳定。另外,在吸附Ge原子之后,我们得到了一个具有完整对称性的特殊Si原子二聚体结构。此结构中相邻的两个二聚体链互相平行且分别与Si表面平行,每对二聚体Si原子呈对称分布。
- 陆顺其王茺靳映霞卜琼琼杨宇
- 关键词：化学吸附密度泛函理论
- 绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET电学特性模拟分析被引量：1
- 2013年
- 利用数值模拟软件ISE TCAD对绝缘层上应变SiGe (SGOI)和Si (SOI) p-MOSFET的电学特性进行了二维数值模拟.计算结果表明,与传统的SOI p-MOSFET相比,SGOI p-MOSFET的漏源饱和电流几乎要高出两倍；其亚阈值电流要高出1～3个数量级.Ge合金组分作为应变SiGe沟道MOSFET的重要参数,就不同Ge合金组分对SGOI p-MOSFET的电学特性的影响也进行了较为深入的研究.随着Ge合金组分的增大,SGOI p-MOSFET的总体电学性能有所提高.
- 于杰王茺杨洲陈效双杨宇
- 关键词：P-MOSFET
- 温度对SiO_2表面上磁控溅射制备Ge纳米点的生长模式和尺寸的影响被引量：2
- 2010年
- 采用磁控溅射技术在SiO2/Si(100)表面上制备了一系列不同生长温度的Ge纳米点样品。原子力显微镜(AFM)的实验结果表明:不同衬底温度下Ge纳米点在SiO2薄膜上的生长模式和尺寸分布有所不同。当衬底生长温度达到500℃时,SiO2开始与Ge原子发生化学反应,并形成"Ge纳米点的Si窗口"。在此温度条件下,外延生长实验可获得尺寸均匀且密度高达3.2×1010cm-2的Ge纳米点。
- 夏中高王茺鲁植全李亮杨宇
- 关键词：磁控溅射SIO2薄膜
