国防科技重点实验室基金(514910501005DZ0201)
- 作品数：16 被引量：23H指数：4
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- 电极距离对激光电化学刻蚀速率及钻蚀的影响被引量：1
- 2007年
- 利用溶液回路电流和红外热像监测,研究了电极距离对半导体激光电化学刻蚀速率和电化学横向钻蚀特性的影响。实验结果表明,电极距离由15 cm缩短为5 cm后,回路电流数值增大,其变化率增加约15.4%,等量化学热生成时间至少缩短2/3,说明缩短电极距离使半导体激光电化学刻蚀速率加快;当电极距离分别为20、15、10和5 cm时,垂直晶向刻蚀50μm直线凹槽,所得凹槽实际宽度分别为100、85、70和60μm,其晶向影响受到明显抑制,横向钻蚀大幅减小。研究结果说明,通过电极距离调节这一简单方式,有可能解决激光电化学刻蚀速度慢、横向钻蚀严重等难题。
- 刘霖叶玉堂陈镇龙范超吴云峰王昱琳
- 关键词：光电子半导体化合物刻蚀速率
- 半导体腐蚀进程中表面液层热对流信息的红外表征
- 2007年
- 研究了半导体腐蚀过程中液层的红外热像分布特性。经处理分析,实现了对任意时刻表面液层的热对流信息的红外表征。半导体腐蚀过程中产生的化学反应会有热量的释放或吸收,这会引起液层之间能量的交换,从而导致腐蚀液温度的变化。利用红外热像仪可以实时监测这一特性,也可为深入分析、表征液层热对流奠定基础。实验结果表明,越靠近半导体材料与腐蚀液接触面的位置,液层的温度变化越显著,且以半导体材料为中心,由内而外呈梯度状降低,水平液层间的热对流速率明显大于竖直液层间的速率;提取的红外热像截面图可以清楚地表征水平液层及竖直液层的温度变化特性。该方法对分析任意时刻液层的热对流信息具有重要的价值。
- 刘霞叶玉堂刘霖吴云峰陈镇龙罗颖田骁王昱琳
- 关键词：红外热像化学腐蚀截面热对流
- 湿法腐蚀的红外热像对比研究被引量：5
- 2006年
- 提出了一种研究半导体湿法腐蚀进程的红外热像法。将半导体基片浸泡于化学试剂中,利用红外热像仪探测红外腐蚀信号,并由计算机进行处理,得到热像图。对GaAs在不同配比溶剂中的腐蚀进程进行了红外热像的对比研究,结果表明:红外热像法可以观测到对比实验的显著差异,并直观地表征了基片、腐蚀剂以及腐蚀时间的相互关系。
- 范超叶玉堂焦世龙刘霖陈镇龙吴云峰王昱琳田骁
- 关键词：红外热像湿法腐蚀半导体
- 利用红外热像研究不同浓度腐蚀液中GaAs的反应启动时长被引量：1
- 2007年
- 提出了一种测定材料湿法刻蚀启动时长的红外热成像新方法．该方法的实质是利用反应启动时必然有化学热吸收或释放，从而引起材料表面液膜温度变化这一特点，通过红外热成像实时监测系统，采集液膜温度变化过程的红外热像，从而判断反应启动时长．实验发现，2mm宽线形液膜是较为理想的监测对象，因其同时具备温度变化信息和空间分布信息，可以将线形液膜中心作为理想的观测特征点；由滑动液滴形成残留线形液膜可以得到超浅液膜，温度变化灵敏度高，GaAs竖直放置，可以避免液膜重力对启动时长的影响，获得更为准确的监测数据．在本实验条件下，由线形液膜的横向剖面灰度变化得到GaAs材料与H2SO4：H2O2：H2O（=5：1：50和15：3：50）腐蚀液的反应启动时长分别约为0．2S和0.3-0.4s之间．该方法的提出，对于快速刻蚀技术以及固．液吸附等性能研究均具有重要价值．
- 刘霖叶玉堂吴云峰方亮陆佳佳
- 关键词：红外辐射液滴液膜砷化镓
- 激光化学诱导液相腐蚀新方法被引量：4
- 2005年
- 提出了一种激光诱导液相腐蚀新方法——抗蚀膜掩蔽法。抗蚀膜掩蔽法是指在激光腐蚀中,用抗蚀膜来实现对激光腐蚀区域的控制。理论分析和实验结果都表明,抗蚀膜掩蔽法可以有效地控制激光化学腐蚀的图像形状;因不需要对激光光束进行聚焦,光传播垂直于基片表面,制作出的腐蚀孔侧壁可以具有很高的垂直度;利用激光光束中心区域能量分布近似均匀的特点,使小面积腐蚀区域的腐蚀速率近似相等,腐蚀面内各点没有明显的高度差。因为以上优点,抗蚀膜掩蔽法能克服现有激光腐蚀方法的诸多弊端,简化激光腐蚀工艺,在特殊结构光电器件和光电集成中具有广泛的应用前景。
- 刘霖叶玉堂赵素英刘娟秀范超吴云峰王昱琳
- 关键词：光电子半导体化合物
- 消除半导体激光诱导腐蚀晶向影响的两步腐蚀新方法被引量：1
- 2006年
- 提出了一种消除激光化学诱导液相腐蚀晶体取向影响的新方法———两步腐蚀法。激光化学液相两步腐蚀法实质上是加长非晶向方向图形的腐蚀时间,保证与晶向方向腐蚀程度一致。实验结果表明,晶体取向对激光化学诱导液相腐蚀图形有较大的影响;两步腐蚀法可以有效地消除晶体取向影响,得到需要的图形;与国内外普遍采用的表面抗蚀膜掩蔽和激光光强分布调节等方法相比,具有可以处理内部晶向影响,操作简单,设备要求低等特点,两步腐蚀法可以有效地克服常规方法的诸多弊端,达到消除晶向影响的目的,在特殊结构光电器件和光电集成中具有广泛的应用前景。
- 刘霖叶玉堂吴云峰陈镇龙范超王昱琳
- 关键词：光电子学晶体取向半导体化合物
- 一种新的激光诱导液相腐蚀法制作GaAs腐蚀孔被引量：5
- 2006年
- 提出了一种掩膜投影的激光诱导液相腐蚀方法,采用波长0.53μm的倍频Nd:YAG连续激光器、镀Cr掩膜板、H2SO4和H2O2混合溶液,在GaAs基片上制作腐蚀孔。通过对腐蚀原理的分析,对影响加工精度的溶液配比和激光功率密度进行了实验研究,得出了H2SO4∶H2O2∶H2O=4∶1∶20、激光功率密度11.7 W/cm2的最佳实验组合,并在此条件下得到了直径为30μm的高质量腐蚀孔。通过对腐蚀孔的横向与底面形状的分析,从改进实验装置和进行激光束空间整形2方面提出了改进的方法,对提高掩膜投影法的加工精度具有重要意义。
- 陈镇龙叶玉堂刘霖田骁吴云峰焦世龙范超王昱琳
- 关键词：光电子GAAS
- 湿法腐蚀进程的红外热像学研究被引量：4
- 2006年
- 提出了一种研究湿法腐蚀进程的新方法———红外热像法。在湿法腐蚀中,金属或半导体基片浸泡在化学试剂中,由于化学能的作用,会在溶剂中产生热能,从而发出红外辐射,利用红外热像仪,将探测到的红外辐射信号送至计算机进行处理,得到热像图,从而可以对湿法腐蚀的进程进行分析。理论分析和实验结果都表明,红外热像法可以直观地观测到湿法腐蚀时显著的热扩散过程,从而对湿法腐蚀进程的监测、控制具有指导意义,同时也是红外技术应用的扩展。
- 范超叶玉堂刘霖陈镇龙焦世龙吴云峰王昱琳田骁
- 关键词：成像系统红外热像湿法腐蚀半导体
- 无掩膜激光辅助刻蚀GaAs图形中的衍射条纹分布被引量：1
- 2008年
- 以菲涅耳直边衍射理论为基础,通过大量实验;对影响激光辅助化学刻蚀图形效果最为明显的直边、宽缝和交叉三种衍射行为进行研究;获得了光强分布与衍射腐蚀条纹分布的主要特性。实验表明,直边衍射的衍射腐蚀深度最大值位于直接照明区,微微偏离阴影边区域;缝宽对宽缝衍射的腐蚀条纹特性有较大影响;交叉衍射时,受GaAS晶体取向影响,其刻蚀条纹分布不完全对称。
- 刘旭吴云峰叶玉堂刘霖陈镇龙田骁罗颖王昱琳
- 关键词：光强分布半导体
- 星载光控高温超导衰减器及其光热效应影响时长
- 2007年
- 提出了一种针对星载高温超导系统使用的新型光控高温超导微波可变衰减器。该衰减器的实质是利用高温超导薄膜极低的微波表面电阻和卓越的激光响应特性,实现优良的衰减性能。主要结论包括:高温超导衰减器的插入损耗小于0.2dB,比常规衰减器低1个数量级;当激光波长为0.68μm时,高温超导衰减器的可变衰减精度小于0.01dB,比常规衰减器至少低1～2个数量级;研究了激光热效应的影响时长,当激光功率为45mW时,高温超导微带线的激光响应幅度约0.09dB,空间热效应影响持续时长约3.5s。
- 刘霖叶玉堂吴云峰刘娟秀陈镇龙王昱琳
- 关键词：高温超导衰减器微波
