博士科研启动基金(jit-b-201206)
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
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- 相关机构：金陵科技学院南京航空航天大学更多>>
- 发文基金：江苏高校优势学科建设工程项目博士科研启动基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- AIC多晶硅薄膜的制备与其上HWCVD低温外延生长多晶硅薄膜的研究被引量：1
- 2012年
- 铝诱导晶化法(AIC)是一种低温制备大晶粒多晶硅薄膜的重要方法。本文分别基于Al/Al2O3/a-Si叠层和a-Si/SiOx/Al叠层制备了AIC多晶硅薄膜,前者表面粗糙,后者表面光滑。以后者为籽晶层,在其上用HWCVD法300℃低温下外延生长了表面形貌与籽晶层相似的多晶硅薄膜。铝诱导晶化过程中,在原始非晶硅层中会形成多晶硅、非晶硅和铝的混合层,去除铝后残留的硅将使表面粗糙,而在原始铝层中则形成连续的多晶硅薄膜。Al/Al2O3/a-Si叠层和a-Si/SiOx/Al叠层的上层分别是非晶硅层和铝层,发生层交换后,前者上层是硅铝混合层,因此表面粗糙,后者上层是连续的多晶硅薄膜,因此表面光滑。在AIC多晶硅薄膜表面外延生长多晶硅薄膜等效于铝诱导多晶硅的晶核在垂直于薄膜方向上的继续生长,因此外延生长的薄膜与AIC多晶硅薄膜呈现相似的枝晶状形貌。
- 唐正霞沈鸿烈江丰张磊
- 关键词：多晶硅薄膜铝诱导晶化热丝化学气相沉积
- 铝诱导过程中硅铝厚度比优化的研究
- 2012年
- 以康宁Eagle 2000玻璃为衬底,用磁控溅射法制备了不同硅铝厚度比的非晶硅/二氧化硅/铝叠层,在氩气保护下于450℃退火一定时间,制备出铝诱导多晶硅薄膜。用Raman光谱和紫外反射光谱讨论了硅铝厚度比对薄膜结晶性能的影响。结果表明,硅铝厚度比对多晶硅薄膜的结晶性能有显著影响,最佳硅铝厚度比为5∶1。
- 唐正霞沈鸿烈江丰
- 关键词：多晶硅铝诱导晶化
