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国家自然科学基金(50772092)

作品数:9 被引量:6H指数:2
相关作者:王豫董亮花中秋赵洪旺李统业更多>>
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相关领域:电子电信一般工业技术电气工程机械工程更多>>

文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 4篇一般工业技术
  • 3篇电气工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程

主题

  • 5篇WO
  • 4篇电学
  • 4篇陶瓷
  • 3篇电阻
  • 2篇压敏电阻
  • 2篇氧化钨
  • 2篇三氧化钨
  • 2篇势垒
  • 2篇掺杂
  • 1篇导电
  • 1篇导电陶瓷
  • 1篇电学特性
  • 1篇电学性质
  • 1篇电阻器
  • 1篇压敏
  • 1篇压敏电阻器
  • 1篇压敏特性
  • 1篇塞贝克系数
  • 1篇陶瓷材料
  • 1篇陶瓷制备

机构

  • 7篇西南交通大学

作者

  • 6篇王豫
  • 5篇董亮
  • 3篇李统业
  • 3篇赵洪旺
  • 3篇花中秋
  • 2篇严仲明
  • 2篇张英
  • 2篇李德柱
  • 2篇王海庆
  • 1篇刘旭
  • 1篇陈汉军
  • 1篇郭娜

传媒

  • 3篇功能材料
  • 2篇电工材料
  • 1篇Journa...
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇西南交通大学...
  • 1篇Scienc...

年份

  • 1篇2013
  • 3篇2010
  • 3篇2009
  • 2篇2008
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
三氧化钨陶瓷非线性伏安特性研究被引量:3
2010年
采用传统陶瓷工艺制备了三氧化钨(WO3)陶瓷,研究了淬火工艺和气氛条件下热处理对WO3陶瓷非线性特性的影响。XRD和SEM微结构分析显示,陶瓷样品经不同气氛下的热处理后,微结构特征没有发生变化;电学测量表明,陶瓷样品的电学特性发生了显著的变化,高温下淬火和淬火后在N2,Ar气氛条件处理的样品,表现出线性小电阻行为,而正常烧结和在富氧条件下处理的淬火样品则呈现出明显的非线性行为。根据实验结果认为,WO3陶瓷非线性特性可能起源于陶瓷冷却过程中,晶粒内外非平衡缺陷形成和迁移而产生的晶界势垒。
花中秋王海庆赵洪旺董亮王豫
关键词:非线性势垒
纳米Gd_2O_3掺杂对WO_3基陶瓷电学行为的影响被引量:1
2008年
采用传统电子陶瓷工艺制备纳米Gd2O3掺杂的WO3陶瓷,对其电学行为进行研究,分析了显微结构与其电学行为的关系。结果表明,小剂量的纳米Gd2O3掺杂能明显改善WO3陶瓷的非线性电学特性,这种影响被认为是元素替代和由此而引起的晶粒尺寸减小共同作用的结果。当掺杂量为50(摩尔分数,下同)时,Gd2O3和WO3发生固相反应生成Gd2(WO4)3相,该相导致WO3相减少甚至消失,这是导致WO3陶瓷非线性电学行为消失的主要原因。
郭娜刘旭张英
关键词:I-V特性介电常数微观结构相结构
三氧化钨陶瓷的压敏特性和机理被引量:1
2010年
采用传统电子陶瓷烧结工艺,制备了无掺杂物的三氧化钨(WO3)陶瓷。分析了陶瓷样品经淬火和不同气氛下处理后的微结构和压敏电学特性。研究表明:陶瓷冷却过程中在氧吸附的作用下,WO3陶瓷晶粒表面呈现氧元素富集。分析认为,晶粒表面吸附的氧与晶粒内的电子作用,在晶粒表面形成界面态,并进一步在晶界形成Schottky势垒,这可能是WO3陶瓷压敏行为的起源。根据实验结果,提出了一种修正的晶界Schottky势垒模型,解释了WO3陶瓷的压敏行为。
花中秋王海庆赵洪旺董亮王豫
固相合成法制备ZrW2O8陶瓷及其电学行为研究
2009年
按Zr和W的原子比为1∶2.1,通过固相反应技术,在1200℃加热24h,然后在冰水中快速冷却,得到立方晶相的ZrW2O8产物,XRD分析表明产物的纯度很高,基本上没有杂项,对样品的电学性能进行了测试,用物性测量系统PPMS测量了在T=39800A/m下样品的磁化率(M)随温度的变化,经过分析表明,样品在15和250K左右出现的磁化率明显变化和WO3的相转变温度吻合。
董亮王豫严仲明李统业李德柱
关键词:ZRW2O8磁化率相变
Thermoelectric properties of tungsten ceramics prepared from nanopowder precursors
2013年
Tungsten trioxide ceramics were prepared from nm-sized powder precursors. Thermoelectric properties of samples were investigated. The results demonstrated that ceramics prepared in this manner have improved electrical conductivity and Seebeck coefficient values. The power factor of these samples also improved markedly, the largest power factor being 0.027 μW m-1K-2 at 773 K.
DONG LiangCHEN HanJunGAN YingJieWANG YuDONG XiangPENG ShuJie
关键词:陶瓷制备三氧化钨塞贝克系数
Ce掺杂的WO_3薄膜的电学性质被引量:2
2009年
在磁控溅射仪上用直流Ce和W共同磁控溅射方法,在载玻片上沉积Ce掺杂的WO3薄膜,以研究溅射功率对该薄膜电学性质的影响.薄膜在550℃的空气中退火1 h,用X射线衍射和扫描电子显微镜分析薄膜的显微结构.结果表明:Ce掺杂后薄膜呈岛状结构生长,有利于薄膜沿b轴方向生长;当Ce和W的溅射功率分别为40 W和160 W时,薄膜的非线性系数最大,达到7.92.
董亮王豫李德柱李统业严仲明
关键词:CE掺杂WO3薄膜磁控溅射显微结构电学性质
Co_2O_3掺杂WO_3陶瓷的电学特性
2008年
采用常规的电子陶瓷工艺制备了Co0.04W0.96O3多晶陶瓷,并对样品进行了微观形貌、相结构及I-V特性测试分析,发现Co0.04W0.96O3多晶陶瓷存在着奇特的负微分电阻特性。微分电阻随电场变化的曲线图揭示了Co′W′′缺陷有着与众不同的特点,正是这种缺陷的存在使得多晶陶瓷具有负微分电阻特性。主要讨论了Co0.04W0.96O3多晶陶瓷负微分电阻特性的产生机制,并提出了二次势垒模型。
张英王豫
关键词:陶瓷材料掺杂负微分电阻
Origin of varistor properties of tungsten trioxide (WO_3) ceramics
2010年
To study the physical origin of the non-ohmic behavior of WO_3 ceramics,the effects of heat treatment in different atmospheres on WO_3 varistors were investigated.Experiments showed that there was a dependence of the nonlinear coefficient on thermal treatment under different atmospheres.Thermal treatments in argon and oxygen atmospheres at 900℃proved this dependence,and indicated that the nonlinear coefficient got significantly lower when the samples were thermally treated under argon atmosphere.Subsequent exposure to oxygen atmosphere at the same temperature led to the restoration of electrical properties.The result shows that the physical origin of the non-ohmic behavior of WO_3 ceramics is oxygen on the grain surfaces adsorbed by intrinsic defects.
赵洪旺花中秋李统业王豫赵勇
关键词:压敏电阻器三氧化钨
CuO掺杂对WO_3压敏电阻微结构和电学性能的影响被引量:2
2009年
研究了CuO掺杂对WO3压敏电阻微结构和电学行为的影响,样品采用传统的陶瓷工艺制备。微结构通过扫描电子显微镜(SEM)观察,相结构和成分借助于X射线衍射(XRD)和能谱(EDS)进行分析。结果表明,微量的CuO掺杂能够促进WO3陶瓷的致密化和晶粒生长。根据I-V特性测量结果,0.2%(摩尔分数)CuO掺杂的WO3陶瓷具有线性伏安特性和极小的电阻率。CuO含量的继续增加使样品的非线性电学行为和电阻率又获得恢复,这是因为偏析于晶界处的CuO与两侧的晶粒形成了n-p-n型的双肖特基势垒。
赵洪旺花中秋李统业陈汉军董亮王豫
关键词:压敏电阻导电陶瓷WO3CUO
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