国家自然科学基金(50772099)
- 作品数：3 被引量：15H指数：2
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- 相关机构：浙江大学杭州电子科技大学更多>>
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- 相关领域：理学更多>>
- N掺杂对Co-ZnO薄膜电学和磁学性能的影响被引量：4
- 2010年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)法通过电离活化方式在石英和Si(100)衬底上制备了Co-N共掺ZnO薄膜,研究了N掺杂对Co-ZnO薄膜电学和磁学性能的影响.实验观察到700℃、N2O压强为15Pa时生长的Co-N共掺ZnO薄膜显示室温磁滞回线.采用XRD、SEM、XPS、霍尔测试和SQUID等手段对样品进行了测试,结果表明,所得薄膜样品具有高度的c轴择优取向,XRD图谱中并没有发现Co、N的相关分相,Co、N原子分别以替代位形式CoZn、NO存在于薄膜中.霍尔测试和SQUID测试表明,Co-N共掺ZnO薄膜呈p型,具有室温磁滞效应.与Co掺杂ZnO薄膜相比,载流子浓度降低,同时,饱和磁化强度和矫顽力有很大提高,可见,N的掺入改变了Co掺杂ZnO稀磁半导体薄膜的导电类型,并增强了磁性。
- 王雪涛朱丽萍叶志高叶志镇赵炳辉
- 关键词：PLDZNO薄膜磁性
- Mg质量分数及缓冲层对ZnMgO∶Ga薄膜性能的影响
- 2011年
- 为了解决氧化锌在柔性电子器件应用方面的问题,利用脉冲激光沉积法(PLD)在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)柔性衬底上室温下制备镓掺杂氧化锌(ZnO∶Ga)和镓掺杂Zn1-xMgxO(Zn1-xMgxO∶Ga)透明导电薄膜,采用X射线衍射仪(XRD),扫描电镜,霍尔效应测试仪,紫外-可见光分光光度计对结构和性能进行表征,探讨靶材中镁质量分数对薄膜结构及光电性能的影响,并采用预沉积ZnO无机缓冲层法来改善薄膜样品的性能.研究结果表明,在柔性衬底上通过优化生长参数制备出性能良好的ZnO基透明导电薄膜,通过缓冲层的预沉积可以明显改善薄膜的结构和电学性能,薄膜电阻率最低可至8.27×10-4Ω.cm,在可见光区平均透射率超过70%.
- 袁伟朱丽萍曹铃叶志镇
- 关键词：PLD柔性衬底透明导电薄膜
- 脉冲激光沉积法(PLD)生长Co掺杂ZnO薄膜及其磁学性能被引量：11
- 2008年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)及石英衬底上生长Co掺杂ZnO薄膜,并且比较了不同生长条件下薄膜的性能。实验观察到了700℃、0.02Pa氧压气氛下生长的Co掺杂ZnO薄膜显示室温磁滞回线。采用XRD、SEM等手段对Co掺杂ZnO薄膜的晶体结构及微观形貌进行了分析,得到的ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向,结构比较致密,表面平整度较高,并且没有发现Co的相关分相,初步表明Co有效地掺入了ZnO的晶格当中。霍尔测试表明Co掺杂ZnO薄膜样品保持了半导体的电学性能,电阻率为0.04Ω·cm左右,载流子浓度约为1018/cm3,迁移率都在18.7cm2/V·s以上。实验结果表明材料保持了ZnO半导体的性能,并具有室温铁磁性。
- 叶志高朱丽萍彭英姿叶志镇何海平赵炳辉
- 关键词：氧化锌CO掺杂脉冲激光沉积
