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国家高技术研究发展计划(2001AA313130)

作品数：2 被引量：8H指数：2
相关作者：孙长征罗毅韩彦军郭文平邵嘉平更多>>
相关机构：清华大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇流体力学
  • 1篇局域
  • 1篇计算流体力学
  • 1篇GAN
  • 1篇GAN材料
  • 1篇MOCVD
  • 1篇MOCVD生...

机构

  • 2篇清华大学

作者

  • 2篇罗毅
  • 2篇孙长征
  • 1篇周进波
  • 1篇熊兵
  • 1篇郝智彪
  • 1篇邵嘉平
  • 1篇郭文平
  • 1篇韩彦军
  • 1篇王健

传媒

  • 2篇Journa...

年份

  • 2篇2005
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
MOCVD生长GaN材料的模拟被引量：5
2005年
基于计算流体力学在三维空间中模拟了水平行星式金属有机物化学气相沉积(MOCVD)反应器生长GaN材料的流场、热场、反应物与生成物的分布以及材料生长速率等重要物理参数.计算结果与同样条件下的实验结果吻合程度相当高,表明化学反应机理和计算方法是非常可靠的,能够以此来模拟和指导GaN基材料的MOCVD生长工艺.研究并讨论了GaN的MOCVD生长中输入Ⅴ/Ⅲ比、进气口双束流上下比、总流量、反应室压力等工艺条件对局域Ⅴ/Ⅲ比的影响.
郭文平邵嘉平罗毅孙长征郝智彪韩彦军
关键词：GANMOCVD计算流体力学
利用光聚合反应制作表面平整的聚合物光栅被引量：3
2005年
提出利用紫外光聚合反应来制作聚合物光栅的方法 .实验发现 ,光栅的表面起伏深度很小 ,约为 12 4～0 7nm ;折射率调制较大 ,达到 0 0 10左右 .这种方法在低阶分布反馈聚合物激光器的制作中具有很好的应用前景 .
周进波孙长征熊兵王健罗毅
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