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亚胺化工艺对聚酰亚胺/纳米Al_2O_3三层复合薄膜耐电晕性能的影响被引量：3: 2017年; 以均苯四甲酸二酐和4,4’-二氨基二苯醚作为原材料,N,N-二甲基乙酰胺作为溶剂,采用原位聚合法通过不同的亚胺化工艺分别制备了3组掺杂量为12%(质量分数)的PI/纳米Al_2O_3三层复合薄膜。采用红外光谱(FT-IR)对复合薄膜的第1层进行了表征,并计算了不同工艺下第1层复合薄膜的亚胺化率。采用扫描电子显微镜(SEM)对三层复合薄膜的断面结构进行了表征。同时,利用光激放电(photon-stimulated discharge,PSD)测试了复合薄膜的陷阱状态,并对纯膜及复合薄膜的电老化阀值和耐电晕时间进行了测试。结果表明,随着亚胺化温度与时间的增加,第1层复合薄膜的亚胺化程度随之增加,即亚胺化率增大;随着亚胺化率的增加,复合薄膜的层间结合程度逐渐变好,复合薄膜内部陷阱密度降低,电老化阀值增加,耐电晕时间增加。; 贺洪菊刘立柱翁凌; 关键词：聚酰亚胺 PSD 耐电晕

聚酰亚胺/氧化铝复合薄膜在电晕放电下的老化过程及击穿特点被引量：7: 2016年; 为探讨电晕放电对复合薄膜绝缘的损伤过程,参照GB/T 22689—2008标准,利用扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)、红外光谱仪(FTIR)研究了PI/Al_2O_3薄膜在电晕放电下老化至击穿的整个过程。实验结果表明:随着电晕放电时间的延长,电晕破坏区的表面被破坏的越来越严重,表面的有机物逐渐减少,氧化铝越来越多,膨松的氧化铝在表面形成了连续覆盖层。电晕老化击穿后形成的击穿孔为20μm左右的圆形孔洞,定位击穿孔的位置发现击穿孔并不在电晕放电破坏的区域内,而在中心处不易散热的区域,这说明电晕老化击穿并不是传统的电击穿和电化学击穿引起的,而是由于电晕放电产生的热量积累引起材料发生了热击穿。; 张明玉刘立柱翁凌崔巍巍田丰王诚; 关键词：聚酰亚胺电晕放电热积累击穿

纳米钛酸钡掺杂聚酰亚胺基高介电复合薄膜的制备及性能被引量：4: 2012年; 采用原位聚合法和高速砂磨法制备了纳米钛酸钡/聚酰亚胺高介电常数复合薄膜,分析了不同制备方法及钛酸钡粉体用量对复合薄膜结构和性能的影响。实验结果表明,高速砂磨法对于纳米钛酸钡粉体的分散效果优于原位分散法;钛酸钡粉体的引入,有效提高了复合薄膜的热稳定性和介电性能。当粉体的体积分数达到50%时,复合薄膜介电常数相较于纯膜提高了10倍,而介电损耗只有少量增加。; 翁凌刘立柱杨立倩曹振兴王诚; 关键词：聚酰亚胺纳米钛酸钡高介电常数

溶胶–凝胶法在聚酰亚胺表面沉积氧化铝薄膜及性能被引量：8: 2014年; 采用溶胶凝胶法利用表面处理和离子交换技术,在纯聚酰亚胺(polyimide,PI)薄膜表面提拉制备了氧化铝(Al2O3)薄膜。利用扫描电子显微镜(scanning electron microscopy,SEM),原子力显微镜(atomic force microscopy,AFM),X射线衍射仪(X-ray diffractions,XRD)对薄膜进行了表征,并对表面覆盖Al2O3薄膜的PI薄膜(复合膜)的热稳定性(thermogravimentric analyses,TGA)、击穿和耐电晕性能进行分析。结果显示Al2O3薄膜在PI基体表面呈连续分布、表观平整且致密。断面显示Al2O3薄膜和PI基体有非常清晰、明显的三层结构,Al2O3薄膜的厚度约为1?m;Al2O3薄膜主要由?-AlOOH,??-AlOOH和?-AlOOH三种一水合氧化铝构成;热稳定性显示在初始升温阶段复合膜的热失重比纯膜快,后期趋向于持平;击穿测试结果表明由于复合膜中含有极性基团而比纯膜的击穿场强有所下降;耐电晕测试结果表明,复合膜的耐电晕时间由纯膜的4.4 min提高到了104.6 min,耐电晕寿命获得了极大的提升,比纯膜提高了23.8倍。; 张明玉刘立柱翁凌周浩然万胜; 关键词：聚酰亚胺溶胶凝胶法表面处理氧化铝薄膜

KH550修饰Al_2O_3及其对PI/Al_2O_3薄膜性能的影响: 2014年; 通过调整KH550的含量对Al2O3粉体表面进行改性,并用红外光谱(FT-IR)和X射线衍射(XRD)对改性后的粉体进行表征,表征结果显示KH550成功的键合到Al2O3粉体表面。然后分别使用Al2O3以及改性Al2O3制备了一系列无机粉体含量为16%(质量分数)的PI复合薄膜,通过扫描电子显微镜(SEM)对复合薄膜的断面微观形貌进行表征,并对复合薄膜的力学性能和击穿场强进行测试。测试结果显示KH550的含量对无机粉体分散情况有较大影响。当KH550含量为2%(质量分数)时,PI/KH550-Al2O3复合薄膜的拉伸强度和断裂伸长率最优,分别为130 MPa,12%,与PI/Al2O3薄膜相比,拉伸强度和断裂伸长率分别提高了22.8%,44.5%,击穿场强与其相近。; 刘立柱李园园翁凌丁军崔巍魏; 关键词：PI AL2O3 力学性能

聚酰亚胺薄膜在电晕放电下击穿特点分析被引量：6: 2017年; 为探讨电晕放电引起聚酰亚胺(PI)薄膜绝缘老化的原因,利用扫描电镜(SEM)分别研究了纯PI薄膜和PI/Al_2O_3复合薄膜在电晕放电下老化击穿的特点,并通过重复电晕老化击穿实验统计了薄膜击穿位置出现的规律。结果表明:电晕老化击穿后纯PI薄膜和PI/Al_2O_3复合薄膜均形成了直径约为20μm的圆形击穿孔,统计击穿孔的位置发现大多数击穿位置集中在特定的圆心区和边缘区,只有少数击穿发生在电晕破坏环上,说明电晕放电对薄膜的破坏并不是引起薄膜最终老化击穿的主要原因,电晕放电产生大量的热量在薄膜上积累引发的热击穿导致薄膜最终发生了热老化击穿。; 张明玉姜秀刚刘立柱张正中; 关键词：聚酰亚胺电晕放电击穿

聚酰亚胺/SiO2-Al2O3三层复合薄膜制备工艺研究: 本论文分别研究了聚酰亚胺三层复合薄膜制备工艺中的一、二层成膜温度及时间、三层膜中单层掺杂层与未掺杂层的厚度比、无机粒子的含量和无机组分重量比等因素对聚酰亚胺三层复合薄膜亚胺化程度、力学性能和介电性能的影响。; 刘立柱杨立倩翁凌崔巍巍朱兴松石慧; 关键词：聚酰亚胺亚胺化硅溶胶纳米AL2O3; 文献传递

离子交换法制备聚酰亚胺/氧化铝复合薄膜及性能研究被引量：10: 2013年; 采用离子交换技术以氯化铝溶液为铝源制备出了上下两个表层含氧化铝的聚酰亚胺/氧化铝(PI/Al2O3)复合薄膜。对制备的复合薄膜的形貌、力学性能、热性能和电性能进行了表征和测试,并与纯PI薄膜进行了对比。扫描电镜(SEM)结果显示复合薄膜表面无可见粒子,能谱(EDS)显示复合薄膜表面含有Al元素;力学测试结果显示复合薄膜基本上维持了纯膜优越的力学性能;热失重(TG)表明复合薄膜比纯膜有更好的热稳定性;击穿场强测试结果表明复合薄膜击穿场强由原纯膜的291kV/mm提高到了303kV/mm;耐电晕测试结果表明复合薄膜的耐电晕时间由原纯膜的8min提高到了53min,比原纯膜有了很大提升。; 张明玉刘立柱翁凌崔巍巍朱兴松; 关键词：聚酰亚胺离子交换表面处理

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黑龙江省自然科学基金(ZD201004)