国家自然科学基金(60177003)
- 作品数：6 被引量：8H指数：2
- 相关作者：王长顺王秀如莫育俊孙润光丁菲更多>>
- 相关机构：河南大学上海交通大学上海大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学自动化与计算机技术电子电信更多>>
- The study on the diffraction field distribution by photomultiplier
- The diffractive field distributions of the dark edge on the negative, the edge of the knife and the single edg...
- 孙存英潘煦许洪涛王长顺王绍民
- 文献传递
- 自制多功能数据采集卡驱动程序设计及其与Labview的适配被引量：2
- 2004年
- 为自制多功能数据采集卡编写了DLL形式的驱动程序,并将其挂接到labview开发平台上,利用DLL驱动程序实现了对步进电机的自动控制.
- 韩俊鹤程培红孙献文黄宗胤
- 关键词：多功能数据采集卡动态链接库步进电机
- Yb:YAG晶体的合作发光现象被引量：2
- 2005年
- 研究了Yb:YAG晶体的合作发光现象。当用940nm的近红外光激发时,Yb:YAG晶体有明显的上转换蓝色发光。实验发现498nm的蓝色发光强度与激发功率的平方成正比,而且Yb3+掺杂浓度越高,蓝色发光越强。分析表明这是Yb3+间强的相互作用导致的合作发光,是由于Yb3+在共价性的YAG基质中,它的4f13电子易于与近邻离子发生相互作用导致的。
- 毛艳丽丁菲王长顺邓佩珍干福熹
- 关键词：YB:YAG晶体上转换发光
- The study on the diffraction field distribution byphotomultiplier
- ＜正＞ The diffractive field distributions of the dark edge on the negative, the edge of the knife and the single...
- 孙存英潘煦许洪涛王长顺王绍民
- 文献传递
- 一维传输线结构负折射材料的带隙深度计算
- 2004年
- 详细分析了C-L周期性结构的一个单元的传输性质,并在此基础上分析了多单元的周期性结构的透射系数S21与电容电感之间的关系,定性分析了一维周期性结构的C-L网络的电磁特性产生的物理机制,给出了带隙产生的物理根源,最后给出了实验结果,并对实验结果进行了详细的讨论.
- 王素玲苏本庆
- 关键词：阻抗变换
- 含咔唑与偶氮分散红共聚物的表面增强共振拉曼光谱研究被引量：3
- 2006年
- 借助于表面增强共振拉曼光谱散射(SERRS)技术,研究了一种新型的偶氮聚合物材料侧链含咔唑与偶氮分散红共聚物(CAP)在化学沉积法制备的银膜表面的拉曼峰增强和吸附行为。实验结果显示,CAP在银表面的状态为:聚合物通过咔唑单体中咔唑基团和偶氮单体中硝基与银膜衬底发生物理吸附,而聚合物的主链与衬底相距较远没有相互作用。可以推测,聚合物在衬底表面的这种状态将对偶氮光存储器件的稳定性和工作效率产生不良影响。
- 王秀如孙润光王长顺莫育俊
- 一种新型含偶氮聚合物的偏振全息研究
- 2002年
- 对一种含偶氮侧链聚合物介质的光致双折射性质进行了研究。结果表明 ,该聚合物具有大的光致双折射系数 (Δn=7.8× 10 - 3) ,并利用该样品实现了高衍射效率的偏振全息图像的记录 ,实验所得偏振全息图衍射效率为 η=19.3 %。
- 王长顺钱萍王秀如王德建
- 关键词：光致双折射偏振全息偶氮聚合物
- Area-selective deposition of self-assembled monolayers on a synchrotron radiation etching pattern
- Patterning of self-assembled monolayer (SAM) was demonstrated by area-selective deposition of SAMs on a patter...
- 王长顺孙存英
- 文献传递
- 同步辐射光激励的二氧化硅薄膜刻蚀研究被引量：1
- 2006年
- 利用热氧化法在硅晶片上生长SiO2薄膜,结合光刻和磁控溅射技术在SiO2薄膜表面制备接触型钴掩模,通过掩模方法在硅表面开展了同步辐射光激励的表面刻蚀研究,在室温下制备了SiO2薄膜的刻蚀图样.实验结果表明:在同步辐射光照射下,通入SF6气体可以有效地对SiO2薄膜进行各向异性刻蚀,并在一定的气压范围内,刻蚀率随SF6气体浓度的增加而增加,随样品温度的下降而升高;如果在同步辐射光照射下,用SF6和O2的混合气体作为反应气体,刻蚀过程将停止在SiO2/Si界面,即不对硅刻蚀,实现了同步辐射对硅和二氧化硅两种材料的选择性刻蚀;另外,钴表现出强的抗刻蚀能力,是一种理想的同步辐射光掩模材料.
- 王长顺潘煦Urisu Tsuneo
- 关键词：二氧化硅薄膜
