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菱方晶体的有序结构: 2007年; 就菱方晶体建立了简单菱方晶格气体模型,用密度波理论研究了菱方固溶体的有序结构.根据无序态固溶体系统的能量在Brillouin区高对称点取极值的特点,确定驱动有序结构的波矢量.由此推导出7种有序结构类型,包括4种完全有序结构和相应的A基元浓度.根据这些理论结果预报了A1/4B3/4,A1/2B1/2,A3/4B1/4型有序固溶体的存在.根据刚玉型二元金属氧化物的特点,用二次有序化理论对其中阳离子的有序结构进行研究,预报了(A1/4B3/4)2O3,(A1/2B1/2)2O3和(A3/4B1/4)2O3型有序固溶体的存在.根据理论结果对文献报道的典型实验结果进行了解释,包括刚玉结构的过渡金属掺杂α-Al2-xTxO3(T=Sc,Y,La,Ac,x=0.5)晶体,刚玉型α-FeAlO3晶体,α-Fe2-xCrxO3固溶体,以α-Al2O3,α-Cr2O3和α-Y2O3为主要成分的抗高温氧化的多元膜和复合膜等.这些有序结构的确定为材料结构和性能的第一性原理研究等奠定了基础.; 宋庆功姜恩永; 关键词：密度波刚玉

磁控溅射TiAlVN薄膜中V含量对其结构和抗腐蚀性能的影响被引量：11: 2011年; 向TiAlN薄膜中添加V可改善薄膜性能。采用磁控溅射技术沉积了不同V含量的TiAlVN薄膜,通过能谱仪、台阶仪、X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)分析薄膜的成分、厚度、相结构和表面形貌,用动电位极化的方法研究薄膜的抗腐蚀性能。结果表明:TiAlVN薄膜属于面心立方(fcc)和六方密排(hcp)二重结构,晶格常量比TiAlN薄膜小,晶粒尺寸比TiAlN薄膜大,含V10.20%的TiAlVN薄膜质量相对较好;TiAlVN薄膜的腐蚀电流明显小于TiAlN薄膜,抗腐蚀性能增强,含V 10.20%的TiAlVN薄膜的抗腐蚀性能约为TiAlN薄膜的4倍。; 宋庆功辛慧; 关键词：磁控溅射 TIALN薄膜抗腐蚀性能

磁控溅射制备(Ti,Al,Cr)N硬质薄膜及其力学性能的研究被引量：3: 2009年; 用反应磁控溅射的方法通过改变Cr靶溅射功率在不锈钢基体上沉积不同Cr含量TiAlCrN薄膜。采用台阶仪测量薄膜厚度;采用纳米压痕仪测量薄膜的硬度、弹性模量和薄膜与基体的结合力。沉积的TiAlCrN薄膜随着Cr含量增加,薄膜硬度先增大,而后减小;TiAlCrN薄膜的第一临界载荷和第二临界载荷均随Cr含量增加而增大。; 宋庆功程立军; 关键词：临界载荷

钛铝基合金抗氧化性与延展性的研究进展被引量：1: 2007年; 分别从结构、抗氧化性和延展性3个方面综述了钛铝基合金研究进展,指出合金化和表面改性是提高其抗氧化性能的有效手段,合金化和热加工则是提高其延展性的主要方法。在此基础上提出综合运用合金化、表面改性和热加工技术是进一步提高钛铝基合金综合性能的有效方法。; 宋庆功康建海陈逸飞裴海林; 关键词：TIAL基合金抗氧化延展性

材料信息学平台的研究现状发展趋势与作用被引量：4: 2008年; 调查分析了材料信息学平台研究与应用的现状,指出了材料信息学平台已成为材料研发的最重要的设备之一,展望了新一代材料信息学平台的发展趋势,概述了材料信息平台对于材料研究与发展的重要促进作用,认为材料信息学平台的应用将加速材料科学与工程的发展,引起材料研究模式的变革。; 宋庆功姜恩永韩志勇张茂才; 关键词：材料信息学材料数据库

第一性原理方法在插层化合物LixTiS2结构与性能研究中的应用: 介绍了用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法研究插层化合物 LiJiS系列的结构、能量性质、能带结构和电子结构的工作。理论结果与实验结果吻合较好, 表明用基于 DFT 的第一性原理方法研究有序 LiTiS系统的是可...; 宋庆功王延峰康建海严慧羽; 关键词：插层化合物第一性原理计算; 文献传递

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中国民航总局教育研究基金(03-3-07)